芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl
 加熱 
.
 
SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si（純）+3HCl．下列說法錯誤的是（　�。�
A、①②③屬于同一基本反應(yīng)類型
B、②③的目的是將粗硅提純
C、生產(chǎn)過程中HCl可以循環(huán)使用
D、上述反應(yīng)只需在干燥的設(shè)備中進(jìn)行
分析：A、①②③都是置換反應(yīng)；
B、通過②③可以將粗硅提純；
C、生產(chǎn)過程中HCl可以循環(huán)使用；
D、上述反應(yīng)需在干燥、耐高溫的設(shè)備中進(jìn)行．
解答：解：A、①②③屬于同一基本反應(yīng)類型．正確；
B、②③的目的是將粗硅提純．正確；
C、生產(chǎn)過程中HCl可以循環(huán)使用．正確；
D、用于反應(yīng)的設(shè)備需要耐高溫．錯誤．
故選D．
點評：可以從化學(xué)方程式中的反應(yīng)物和生成物的種類、條件方面進(jìn)行分析、判斷，從而得出正確的結(jié)論．
練習(xí)冊系列答案
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科目：初中化學(xué) 來源： 題型：

（2012?玄武區(qū)一模）芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說法錯誤的是（　�。�

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科目：初中化學(xué) 來源：玄武區(qū)一模 題型：單選題

芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說法錯誤的是（　　）
A．反應(yīng)①中，CO是還原劑
B．①②③屬于同一反應(yīng)類型
C．②③的目的是將粗硅提純
D．上述反應(yīng)進(jìn)行中不能有O2存在

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科目：初中化學(xué) 來源：2012年江蘇省南京市玄武區(qū)中考化學(xué)一模試卷（解析版） 題型：選擇題

芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說法錯誤的是（ ）
A．反應(yīng)①中，CO是還原劑
B．①②③屬于同一反應(yīng)類型
C．②③的目的是將粗硅提純
D．上述反應(yīng)進(jìn)行中不能有O2存在

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科目：初中化學(xué) 來源：2011年山東省濟(jì)南市中考化學(xué)模擬試卷（四）（解析版） 題型：選擇題

（2011?西城區(qū)一模）芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HClSiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2Si（純）+3HCl．下列說法錯誤的是（ ）

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