對(duì)反應(yīng) 2C +SiO2Si + 2CO↑的分析正確是

A．二氧化硅發(fā)生了氧化反應(yīng)          B．碳發(fā)生了還原反應(yīng)

C．一氧化碳作還原劑                D．二氧化硅作氧化劑

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：初中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

8、單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：
①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（　　）

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科目：初中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2013?松江區(qū)二模）對(duì)反應(yīng) 2C+SiO2
 高溫 
.
 
Si+2CO↑的分析正確是（　�。�

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科目：初中化學(xué) 來(lái)源：《9.2 化學(xué)與材料》2010年同步練習(xí)（4）（解析版） 題型：選擇題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：
①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．分解反應(yīng)
C．置換反應(yīng)
D．復(fù)分解反應(yīng)

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科目：初中化學(xué) 來(lái)源：2010年山東省濰坊市諸城市中考考前模擬化學(xué)試卷（5）（解析版） 題型：選擇題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：
①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（ ）

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科目：初中化學(xué) 來(lái)源：2010年北京市中考化學(xué)一模解密預(yù)測(cè)試卷（四）（解析版） 題型：選擇題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：
①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（ ）

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