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科目: 來源: 題型:填空題

晚上,在桌面鋪一張白紙,把一塊小平面鏡平放在紙上,讓手電筒光正對著平面鏡照射,從側(cè)面看去,白紙被照亮,而平面鏡卻比較暗,這是由于光射到白紙上發(fā)生________反射,射到平面鏡上發(fā)生________反射.

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科目: 來源: 題型:解答題

學習了液體壓強的知識之后,某興趣小組同學研究浸沒在液體中的物體上表面和下表面受到液體的壓強有哪些規(guī)律.如圖所示,他們在燒杯內(nèi)倒入適量的液體,將一圓柱形金屬塊豎直浸沒在液體中,并將兩個數(shù)字式壓強傳感器探頭分別緊貼在金屬塊上下表面,測出兩個傳感器受到的液體壓強(已經(jīng)消除大氣壓影響)進行實驗,如圖所示,再換用其他液體重復上述實驗(已知ρ酒精<ρ),并將每次實驗的相關數(shù)據(jù)記錄在表一和表二中.
表一
液體實驗序號h(厘米)傳感器1(帕)傳感器2(帕)
酒精1107841176
22015681960
33023522744
表二
液體實驗序號h(厘米)傳感器1(帕)傳感器2(帕)
4109801470
52019602450
63029403430
(1)由表一(或表二)數(shù)據(jù)中傳感器受到的壓強隨h變化的規(guī)律,可以確定h的數(shù)據(jù)為圖中標出的 ______(選填“h1”或“h2”)數(shù)據(jù),于是得出結(jié)論:______.
(2)由實驗序號 ______中的傳感器得到的壓強數(shù)據(jù)及相關條件,可得出結(jié)論:浸沒在同一深度處,液體的密度越大,物體上表面或下表面受到的壓強也越大;
(3)進一步分析比較表一或表二中的數(shù)據(jù)及相關條件,可以得到:同一圓柱體浸沒在同種液體中時,深度不同,______也不同;
進一步分析比較表一和表二中的數(shù)據(jù)及相關條件,可以得到:______.

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科目: 來源: 題型:解答題

如圖所示,小雨在公園里滑滑梯,他分別沿三條長短不同的路徑滑到地面.在不考慮摩擦和空氣阻力的情況下,他到達滑梯最底端時的速度是相同的,請解釋原因.

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科目: 來源: 題型:填空題

某導體兩端的電壓為6伏,5秒鐘內(nèi)通過該導體橫截面的電量為3庫,則通過該導體的電流為________安,電流做功為________焦.當導體兩端電壓為0時,該導體的電阻為________歐.

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科目: 來源: 題型:解答題

在“研究電流跟電壓、電阻的關系”時,同學們設計如圖電路圖,其中R為定值電阻,R′為滑動變阻器,實驗后,數(shù)據(jù)記錄在表一和表二中.

表一
R=5Ω電壓/V1.02.03.0
電流/A0.20.40.6
表二
U=3V電阻/Ω51015
電流/A0.60.30.2
(1)根據(jù)表中實驗數(shù)據(jù),可得出如下結(jié)論:
由表一可得:______.
由表二可得:______.
(2)請根據(jù)表一中數(shù)據(jù)在圖乙的坐標紙上作出 U-I圖象.

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科目: 來源: 題型:單選題

小剛為了研究導體的電阻與導體的橫截 面積的關系,他保持電路兩端的電壓不變,把下表的合金線分別接入該電路中,測出通過金屬線的電流大小進行對比研究,他應選用哪兩條電阻絲進行上面的實驗
電阻絲材料長度(m)橫截面積(mm2
R1鎳鉻10.1
R2鎳鉻0.50.2
R3鎳鉻10.2
R4錳銅10.1


  1. A.
    選用R1和R2
  2. B.
    選用R1和R3
  3. C.
    選用R3和R4
  4. D.
    選用R2和R3

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科目: 來源: 題型:填空題

力的作用效果有兩種,一是________;二是________.

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科目: 來源: 題型:解答題

力學和光學作圖:
①如圖所示,足球隊員已將足球踢向空中,請在圖中畫出足球在向斜上方飛行過程中某時刻的受力示意圖.
②如圖所示為激光液面控制儀原理簡圖,固定的一束激光AO以入射角θ=60°照射到水平液面,反射光OB射到與其垂直的光屏上,用光電轉(zhuǎn)換器將光信號變成電信號,輸入控制系統(tǒng)用以控制液面高度.如果液面高度降低,發(fā)現(xiàn)光點B在光屏上移動了一段距離到B′,請在圖中標明B′的位置.(要求畫出光路圖)

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科目: 來源: 題型:填空題

如圖所示,電源兩端的電壓不變,滑動變阻器的最大阻值Rm是定值電阻R的四倍.當滑動變阻器的滑片P位于阻值最大位置時,電阻R兩端的電壓是U1;當滑動變阻器的滑片P位于中點時,變阻器兩端的電壓是U2,則U1:U2=________.

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科目: 來源: 題型:單選題

雕塑藝術家在塑造銅像的時候,需要把銅水灌入模具中.圖中的四幅圖象里能正確反映銅像成型過程的曲線是


  1. A.
  2. B.
  3. C.
  4. D.

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