美國(guó)等國(guó)家發(fā)射的航空器將我國(guó)的磁譜儀帶入太空,其目的是探索反物質(zhì).反物質(zhì)的主要特征是電子帶正電荷,質(zhì)子帶負(fù)電荷,下列表示反物質(zhì)酸堿中和的離子方程式正確的是( 。
A、H-+OH+═H2O
B、H++OH+═H2O
C、H-+OH-═H2O
D、H++OH-═H2O
考點(diǎn):離子方程式的書(shū)寫(xiě)
專題:信息給予題
分析:主要是結(jié)合題目所給的信息進(jìn)行分析,中和反應(yīng)的實(shí)質(zhì)是氫離子與氫氧根離子的結(jié)合,然后結(jié)合反物質(zhì)”的主要特征是電子帶正電荷,質(zhì)子帶負(fù)電荷判斷即可.
解答: 解:中和反應(yīng)的通式是氫離子與氫氧根離子結(jié)合成水,所以結(jié)合氫離子實(shí)際上是質(zhì)子,反物質(zhì)帶負(fù)電,氫氧根離子多余一個(gè)電子帶正電,從而可判斷A正確.
故選A.
點(diǎn)評(píng):此題是一道信息給予題,解題的關(guān)鍵是抽取題干中的有效信息““反物質(zhì)”的主要特征是電子帶正電荷,質(zhì)子帶負(fù)電荷”.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下列關(guān)于碳族元素的說(shuō)法正確的是( 。
A、單質(zhì)都是無(wú)色晶體
B、單質(zhì)中硅單質(zhì)熔點(diǎn)最高
C、碳族元素形成的化合物種類最多
D、在化合物中最穩(wěn)定的化合價(jià)都是+4價(jià)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

在同一溫度下,弱電解質(zhì)溶液a,強(qiáng)電解質(zhì)溶液b,金屬導(dǎo)體c的導(dǎo)電能力相同,若升高溫度后,它們的導(dǎo)電能力是( 。
A、a>b>c
B、a=b=c
C、c>a>b
D、b>c>a

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

在不同條件下分別測(cè)得反應(yīng)2SO2+O2?2SO3的化學(xué)反應(yīng)速率,其中表示該反應(yīng)進(jìn)行的最快的是( 。
A、v(SO2)=4mol/(L?min)
B、v(O2)=3mol/(L?min)
C、v(SO2)=0.1mol/(L?s)
D、v(O2)=0.1mol/(L?s)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下列所述變化規(guī)律正確的是(  )
A、Na、Mg、Al還原性依次增強(qiáng)
B、HCl、PH3、H2S穩(wěn)定性依次減弱
C、NaOH、KOH、CsOH堿性依次增強(qiáng)
D、S2-、Cl-、K+、Ca2+離子半徑依次增大

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

X,Y,Z都是金屬,在X與稀H2SO4反應(yīng)中,加入少量Z的硫酸鹽溶液時(shí)能使反應(yīng)加快;X與Y組成原電池時(shí),Y電極質(zhì)量減少,X,Y,Z三種金屬的活動(dòng)性順序?yàn)椋ā 。?/div>
A、X>Y>Z
B、X>Z>Y
C、Y>X>Z
D、Y>Z>X

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下列各組物質(zhì)中,互為同素異形體的是( 。
A、T2O與D2O
B、
 
40
19
K
 
40
20
Ca
C、O2和O3
D、
 
2
1
H和
 
3
1
H

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.科學(xué)家預(yù)計(jì),到2010年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對(duì)硅的純度要求很高.用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:
①SiO2+2C 
 高溫 
.
 
Si+2CO↑ ②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl,其中反應(yīng)①和③屬于(  )
A、化合反應(yīng)B、分解反應(yīng)
C、置換反應(yīng)D、復(fù)分解反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

高分子化合物是由下列哪些有機(jī)物加聚生成(  )
A、126B、135
C、125D、235

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同步練習(xí)冊(cè)答案