Question

16．（1）①元素的第一電離能：Al＜Si（填“＞”或：“＜”）基態(tài)Mn²⁺的核外電子排布式為[Ar]3d⁵．
②硅烷（Si_nH_2n+2）的沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖1所示，呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是因?yàn)楣柰槎紝儆诜肿泳�體，而分子晶體的熔沸點(diǎn)隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增加，范德華力增強(qiáng)，熔沸點(diǎn)升高．

（2）硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉，其陰離子X(jué)^m-（含B、O、H三種元素）的球棍模型如圖2所示：
①硼砂晶體由Na⁺、X^m-和H₂O構(gòu)成，它們之間存在的作用力有ADE（填序號(hào)）．
A．離子鍵       B．共價(jià)鍵      C．金屬鍵   D．范德華力      E．氫鍵
②在X^m-中，硼原子軌道的雜化類(lèi)型有sp²雜化、sp³雜化；配位鍵存在于4號(hào)與5號(hào)原子之間（填原子的數(shù)字標(biāo)號(hào)）；
③在X^m-中，m=2（填數(shù)字）．

Answer 1

分析 （1）①同周期從左到右第一電離能逐漸增大趨勢(shì)，ⅡA和ⅤA族則反常；根據(jù)Mn的核外電子排布式判斷基態(tài)Mn²⁺的核外電子排布式；
②硅烷是分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間的范德華力越大，沸點(diǎn)越高；
（2）①注意題目要求，鈉離子與X^m-形成離子鍵，結(jié)晶水分子間存在氫鍵和范德華力；
②1，3，5，6代表氧原子，2，4代表B原子，2號(hào)B形成3個(gè)鍵，則B原子為SP²雜化，4號(hào)B形成4個(gè)鍵，則B原子為SP³雜化； B一般是形成3個(gè)鍵，4號(hào)B形成4個(gè)鍵，其中1個(gè)鍵很可能就是配位鍵，配位鍵存在4號(hào)與5號(hào)之間；
③結(jié)合化合價(jià)代數(shù)和為0的原則判斷計(jì)算m的值．

解答 解：（1）①同周期從左到右第一電離能逐漸增大趨勢(shì)，ⅡA和ⅤA族則反常，所以鋁的第一電離能小硅；Mn的電子排布式為[Ar]3d⁵4s²，則基態(tài)Mn²⁺的核外電子排布式為[Ar]3d⁵，故答案為：＜；[Ar]3d⁵；
②硅烷是分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間的范德華力越大，沸點(diǎn)越高，故答案為：因?yàn)楣柰槎紝儆诜肿泳�體，而分子晶體的熔沸點(diǎn)隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增加，范德華力增強(qiáng)，熔沸點(diǎn)升高；
（2）①鈉離子與X^m-形成離子鍵，結(jié)晶水分子間存在氫鍵和范德華力，故答案為：ADE；
②1，3，5，6代表氧原子，2，4代表B原子，2號(hào)B形成3個(gè)鍵，則B原子為SP²雜化，4號(hào)B形成4個(gè)鍵，則B原子為SP³雜化； B一般是形成3個(gè)鍵，4號(hào)B形成4個(gè)鍵，其中1個(gè)鍵很可能就是配位鍵，配位鍵存在4號(hào)與5號(hào)之間．故答案為：sp²雜化、sp³雜化；4號(hào)與5號(hào)；
③觀(guān)察模型，可知X^m-是（H₄B₄O₉）^m-，依據(jù)化合價(jià)H為+1，B為+3，O為-2，可得m=2，故答案為：2．

點(diǎn)評(píng) 本題考查較為綜合，題目難度中等，注意一般題目是比較鎂鋁的電離能，這樣設(shè)問(wèn)可見(jiàn)出題求異，主要考查思維能力，空間能力要求比較高，（4）中注意仔細(xì)讀題，題目是問(wèn)鈉離子、X^m-、水分子之間的作用力，而不是硼砂晶體中的作用力，可能會(huì)多選B．