Question

13．（1）用“＞”、“＜”或“=”填寫下列空格：
①鍵能：H₂S＜H₂O
②鍵角：BCl₃＞NCl₃
③原子的核外電子排布中，未成對電子數(shù)：₂₅Mn＞₂₇Co
④A元素的電子構(gòu)型為ns²np³，B元素的電子構(gòu)型為ns²np⁴，第一電離能：A＞B
（2）短周期元素中原子核外p軌道上電子數(shù)與s軌道上電子總數(shù)相等的元素是O、Mg（寫元素符號）．
（3）Ti（BH₄）₂是一種重要的儲氫材料．在基態(tài)Ti²⁺中，電子占據(jù)的最高能層符號為M，該能層具有的原子軌道數(shù)為9．
（4）下列微粒：①CH₄；②CH≡CH；③NH₄⁺；④BF₃；⑤H₂O填寫下列空白（填序號）呈正四面體的是①③． 所有原子共平面的是②④⑤，共線的是②．
（5）往硫酸銅溶液中加入過量氨水，可生成[Cu（NH₃）₄]²⁺配離子，寫出該配離子的結(jié)構(gòu)簡式（標(biāo)明配位鍵）．已知NF₃與NH₃的空間構(gòu)型都是三角錐形，但NF₃不易與Cu²⁺形成配離子，其原因是：共用電子對偏向F而偏離N原子，使得N原子上的孤對電子難于與Cu²⁺形成配位鍵．

Answer 1

分析 （1）①原子半徑越小，共價(jià)鍵的鍵能越大；
②元素的非金屬性越強(qiáng)，最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物酸性越強(qiáng)；
③根據(jù)分子的空間構(gòu)型來判斷；
④根據(jù)同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大，注意同一周期的第ⅡA元素的第一電離能大于第ⅢA族的，第ⅤA族的大于第ⅥA族的；
（2）當(dāng)s軌道上電子總數(shù)為4時(shí)，則p軌道上電子數(shù)也為4，即1s²2s²2p⁴；當(dāng)s軌道上電子總數(shù)為6時(shí)，則p軌道上電子數(shù)也為6，即1s²2s²2p⁶3s²；
（3）在基態(tài)Ti²⁺中，電子占據(jù)的最高能層符號為M，該能層具有的原子軌道數(shù)為9；
（4）根據(jù)分子的空間構(gòu)型分析；
（5）中心原子提供空軌道，配體提供孤電子對，配合物中配位鍵由配體指向中心原子；NF₃分子中氟原子電負(fù)性強(qiáng)，吸引孤對電子能力強(qiáng)．

解答 解：（1）①原子半徑越小，共價(jià)鍵的鍵能越大，所以鍵能：H₂S＜H₂O，故答案為：＜；
②BCl₃的空間構(gòu)型為平面三角形，鍵角為120°，BCl₃的分子構(gòu)型為三角錐形，鍵角為107°，所以鍵角：BCl₃＞NCl₃，故答案為：＞；
③₂₇Cr核外電子排布式：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁷4s²，未成對電子數(shù)為3，₂₅Mn核外電子排布式：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁵4s²，未成對電子數(shù)為5，所以未成對電子數(shù)：₂₅Mn＞₂₇Con，故答案為：＞；
④元素的電子構(gòu)型為ns²np³，為第ⅤA族，電子排布為半滿狀態(tài)，較穩(wěn)定，不易失去電子，所以第一電離能較大，B元素的電子構(gòu)型為ns²np⁴，為第ⅥA族，所以第一電離能：A＞B，
故答案為：＞；
（2）當(dāng)s軌道上電子總數(shù)為4時(shí)，則p軌道上電子數(shù)也為4，即1s²2s²2p⁴為O元素，當(dāng)s軌道上電子總數(shù)為6時(shí)，則p軌道上電子數(shù)也為6，即1s²2s²2p⁶3s²為Mg元素；
故答案為：O、Mg；
（3）在基態(tài)Ti²⁺中，核外電子排布為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d²，電子占據(jù)的最高能層符號為M，該能層具有的原子軌道數(shù)為9，故答案為：M；9；
（4）①CH₄是正四面體結(jié)構(gòu)；②CH≡CH是直線形分子，所有原子共平面也共線；③NH₄⁺是正四面體結(jié)構(gòu)；④BF₃是平面三角形分子，所有原子共平面而不共線；⑤H₂O是V形分子，所有原子共平面而不共線，故答案為：①③；②④⑤；②；
（5）在配合物離子[Fe（SCN）]²⁺中，中心離子是Fe³⁺，提供提供空軌道接受孤對電子，配合物離子[Cu（NH₃）₄]²⁺中的配位鍵為；NF₃分子中氟原子電負(fù)性強(qiáng)，吸引電子能力強(qiáng)，共用電子對偏向F而偏離N原子，使得氮原子上的孤對電子難于與Cu²⁺形成配位鍵；
故答案為：；共用電子對偏向F而偏離N原子，使得N原子上的孤對電子難于與Cu²⁺形成配位鍵．

點(diǎn)評 本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考查，涉及鍵能、核外電子排布、第一電離能、配合物性等，是對主干知識的考查，需要學(xué)生具備扎實(shí)的基礎(chǔ)，難度中等．