一般硅甲烷的泄漏會自燃引起火災(zāi)，若硅甲烷在高壓下釋放或在高流速下可能發(fā)生延遲性的爆炸。下列有關(guān)說法中錯誤的是
[     ]
A．硅烷的分子通式可表示為SinH2n+2
B．硅甲烷燃燒生成二氧化硅和水
C．相同條件下，硅甲烷的密度小于甲烷
D．硅甲烷與硅乙烷的相對分子質(zhì)量相差30
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

晶體硅是一種重要的非金屬材料．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3：Si+3HCl
 300℃ 
.
 
SiHCl3+H2
③SiHCl3與過量H2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅．
已知SiHCl3能與H2O強烈反應(yīng)，在空氣中易自燃．請回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
．
（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點33.0℃）中含有少量SiCl4（沸點57.6℃）和HCl（沸點-84.7℃），提純SiHCl3采用的方法為：
分餾
分餾
．
（3）用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：
①裝置B中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
．
②反應(yīng)一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是
高溫下，普通玻璃會軟化
高溫下，普通玻璃會軟化
，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
．
③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時間H2，將裝置中的空氣排盡
先通一段時間H2，將裝置中的空氣排盡
．
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號）是
bd
bd

a．碘水b．氯水c．NaOH溶液d．KSCN溶液e．Na2SO3溶液．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

晶體硅是一種重要的非金屬材料．請寫出晶體硅的二種用途：
計算機芯片
計算機芯片
、
太陽能電池
太陽能電池
．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3（常溫下為液態(tài)，易揮發(fā)）
③SiHCl3與過量H2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅．
已知：
Ⅰ．SiHCl3水解會生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物，請寫出其水解的化學(xué)方程式：
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
．
Ⅱ．SiHCl3 在空氣中自燃．請回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
．
（2）用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

①裝置B中的試劑是
濃H2SO4
濃H2SO4
，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是
使SiHCl3氣化
使SiHCl3氣化
；
②反應(yīng)一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
；
③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時間H2，將裝置中的空氣排盡
先通一段時間H2，將裝置中的空氣排盡
；
④設(shè)計鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法：
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e，若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e．
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e，若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e．
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

工業(yè)合成氨與制備硝酸一般可連續(xù)生產(chǎn)，流程如圖：
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（1）工業(yè)生產(chǎn)時，制取氫氣的一個反應(yīng)為：CO（g）+H2O（g）?CO2（g）+H2（g）．t℃時，往10L密閉容器中充入2mol CO和3mol水蒸氣．反應(yīng)建立平衡后，體系中c（H2）=0.12mol?L-1．則該溫度下此反應(yīng)的平衡常數(shù)K=
 
（填計算結(jié)果）．
（2）合成塔中發(fā)生反應(yīng)N2（g）+3H2（g）?2NH3（g）△H＜0．下表為不同溫度下該反應(yīng)的平衡常數(shù)．由此可推知，表中T1
 
300℃（填“＞”、“＜”或“=”）．
T/℃ T1 300 T2
K 1.00×107 2.45×105 1.88×103
（3）氨氣在純氧中燃燒生成一種單質(zhì)和水，科學(xué)家利用此原理，設(shè)計成“氨氣-氧氣”燃料電池，則通入氨氣的電極是
 
（填“正極”或“負極”）；堿性條件下，該電極發(fā)生反應(yīng)的電極反應(yīng)式為
 
．
（4）用氨氣氧化可以生產(chǎn)硝酸，但尾氣中的NOx會污染空氣．目前科學(xué)家探索利用燃料氣體中的甲烷等將氮的氧化物還原為氮氣和水，反應(yīng)機理為：
CH4（g）+4NO2（g）═4NO（g）+CO2（g）+2H2O（g）△H=-574kJ?mol-1
CH4（g）+4NO（g）═2N2（g）+CO2（g）+2H2O（g）△H=-1160kJ?mol-1
則甲烷直接將NO2還原為N2的熱化學(xué)方程式為
 
．
（5）某研究小組在實驗室以“Ag-ZSM-5”為催化劑，測得將NO轉(zhuǎn)化為N2的轉(zhuǎn)化率隨溫度變化情況如下圖．據(jù)圖分析，若不使用CO，溫度超過775℃，發(fā)現(xiàn)NO的轉(zhuǎn)化率降低，其可能的原因為
 
；在
n(NO)
n(CO)
=1的條件下，應(yīng)控制的最佳溫度在
 
左右．
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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年江西省高三第一次考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

(10分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。請寫出晶體硅的二種用途：______、______

制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(常溫下為液態(tài)，易揮發(fā))

③SiHCl3與過量Ｈ2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅。

已知:Ⅰ.SiHCl3水解會生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物，請寫出其水解的化學(xué)方程式：___________。

Ⅱ.SiHCl3 在空氣中自燃。請回答下列問題：

（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為　　　　　　　　　　　　　　　　　。

（2）用SiHCl3與過量Ｈ2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

①裝置Ｂ中的試劑是　　　　 ，裝置Ｃ中的燒瓶需要加熱，其目的是______________，

②反應(yīng)一段時間后，裝置Ｄ中觀察到的現(xiàn)象是　　　　　　　　　　　　　　　_　　，

裝置Ｄ中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為　　　　　　　　　　　　　　　　　　___　　，

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度

以及　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　_____________　，

④設(shè)計鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:_________________________________。

 

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