【題目】下列玻璃儀器可以用于直接加熱的是
A. 燒杯 B. 試管
C. 蒸餾燒瓶 D. 容量瓶
科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】如圖所示裝置,電流表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),同時A極逐漸變粗,B極逐漸變細,C為電解質(zhì)溶液,則A、B、C應是下列各組中的( )
A. A是Zn,B是Cu,C為稀硫酸
B. A是Cu,B是Zn,C為稀硫酸
C. A是Fe,B是Ag,C為稀AgNO3溶液
D. A是Ag,B是Fe,C為稀AgNO3溶液
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【題目】某同學采用硫鐵礦焙燒取硫后的燒渣(主要成分為Fe2O3、SiO2、Al2O3,不考慮其他雜質(zhì))制取七水合硫酸亞鐵(FeSO4·7H2O)晶體,設(shè)計了如下流程:
已知:(1)常溫下,金屬離子開始沉淀和沉淀完全時的pH 見下表。
開始形成氫氧化物沉淀的pH | 完全形成氫氧化物沉淀的pH | |
Fe2+ | 7.0 | 9.0 |
Fe3+ | 1.9 | 3.2 |
Al3+ | 3.3 | 5.0 |
(2)七水合硫酸亞鐵(FeSO4·7H2O)的溶解度
溫度/℃ | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 |
FeSO4·7H2O溶解度(g) | 15.5 | 26.5 | 32.9 | 40.2 | 48.9 |
(1)溶解燒渣選用足量硫酸,寫出Fe2O3與硫酸反應的離子方程式_______________;檢驗溶液1中含有Fe3+的實驗方法是___________________;
(2)固體1是制作單晶硅的主要原料,寫出該反應的化學方程式___________________;
(3)試劑X是__________________;固體2是___________________;
(4)加入NaOH溶液控制pH應不超過_________________;
(5)從溶液2中獲得晶體的的方法為______________, _____________過濾、洗滌、干燥。
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【題目】規(guī)范的實驗操作是實驗安全的基礎(chǔ),下列實驗操作合理的是
A. 給試管中的固體加熱時,試管口斜向上45度,且不能對著人
B. 用氫氣還原氧化銅時,先通一會兒氫氣,然后再點燃酒精燈加熱
C. 實驗結(jié)束,將廢液倒入下水道排出實驗室,以免污染實驗室
D. 用燃著的酒精燈去點燃另一盞酒精燈
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【題目】元素性質(zhì)呈周期性變化的決定因素是( )
A.元素原子半徑大小呈周期性變化
B.元素相對原子質(zhì)量依次遞增
C.元素原子最外層電子排布呈周期性變化
D.元素的最高正化合價呈周期性變化(O、F除外)
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【題目】烴A的質(zhì)譜圖中,質(zhì)荷比最大的數(shù)值為42。碳氫兩元素的質(zhì)量比為6:1,其核磁共振氫譜有三個峰,峰的面積比為1:2:3。A與其他有機物之間的關(guān)系如下圖所示:
已知:CH2=CH2 HOCH2CH2OH,回答下列問題:
(1)F的結(jié)構(gòu)簡式為__________________。
(2)有機物C中的官能團名稱_______________________。
(3)指出下列轉(zhuǎn)化的化學反應類型:A→B__________ E→G____________。
(4)寫出C與新制的氫氧化銅反應的化學方程式___________________________。
(5)E在一定條件下可以相互反應生成一種六元環(huán)有機物,則此反應的化學方程式為__________ 。
(6)與E互為同分異構(gòu)體,且屬于酯類的有機物,除CH3OCOOCH3、CH3CH2OCOOH外還有 __________種(分子中無O—O鍵)。
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【題目】有A、B、C、D、E五種短周期主族元素,它們的原子序數(shù)依次增大,已知A的L層電子數(shù)是K層電子數(shù)的兩倍,D是短周期元素中原子半徑最大的元素,D的單質(zhì)在高溫下與C的單質(zhì)充分反應,可以得到與E單質(zhì)顏色相同的淡黃色固態(tài)化合物,試根據(jù)以上敘述回答:
(1)元素名稱:A______;B______;E______;
(2)元素E在周期表中的位置_________,B、C、D、E的原子半徑由小到大的順序為(用元素符號或化學式表示,以下同)____________,D2C2的電子式__________,所含化學鍵____________.
(3)寫出與反應的化學方程式_______________________.
(4)C、E的簡單氫化物的沸點較高的是_____________,原因是________________.
(5)用電子式表示化合物D2E的形成過程______________________.
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【題目】在原子結(jié)構(gòu)中,決定元素化學性質(zhì)的主要因素是( )
A.質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)
B.核外電子數(shù)和電子層數(shù)
C.核電荷數(shù)
D.最外層電子數(shù)
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