19.(1)寫出基態(tài)鎵(Ga)原子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1
(2)將下列物質(zhì)按熔點(diǎn)由高到低排列,并說明判斷依據(jù):
①氧化鎂 ②金剛石③干冰④氯化鉀②>①>④>③,依據(jù)原子晶體>離子晶體>分子晶體,對(duì)于離子化合物來說,決定于離子晶體,所帶的電荷數(shù)越多、半徑越小鍵能越大,熔點(diǎn)越高.

分析 (1)鎵是31號(hào)元素,其原子核外有31個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫其核外電子排布式;
(2)一般來說,晶體熔沸點(diǎn):原子晶體>離子晶體>分子晶體,對(duì)于離子化合物來說,決定于離子晶體,所帶的電荷數(shù)越多、半徑越小鍵能越大,熔點(diǎn)越高,據(jù)此分析.

解答 解:(1)鎵是31號(hào)元素,其原子核外有31個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理知其核外電子排布式1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1,
故答案為:1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1;
(2)一般來說,晶體熔沸點(diǎn):原子晶體>離子晶體>分子晶體,所以②金剛石為原子晶體熔點(diǎn)最高,③干冰為分子晶體熔點(diǎn)最低,而①氧化鎂 和④氯化鉀都為離子晶體,其中氧化鎂中離子所帶電荷數(shù)多、半徑小,所以熔點(diǎn)①氧化鎂 大于④氯化鉀,則熔點(diǎn)由高到低排列②>①>④>③;
故答案為:②>①>④>③,依據(jù)原子晶體>離子晶體>分子晶體,對(duì)于離子化合物來說,決定于離子晶體,所帶的電荷數(shù)越多、半徑越小鍵能越大,熔點(diǎn)越高.

點(diǎn)評(píng) 本題考查了原子核外電子排布式的書寫、晶體熔點(diǎn)的判斷等知識(shí)點(diǎn),抓住晶體類型與熔沸點(diǎn)的關(guān)系來分析解答,難度不大,注意基礎(chǔ)知識(shí)的積累.

練習(xí)冊(cè)系列答案
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6.閱讀下列信息,完成下列各題
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(5)在一定溫度下,將冰醋酸加水稀釋的過程中,溶液的導(dǎo)電能力I隨加入水的體積V變化的曲線如圖所示.
①a、b、c三點(diǎn)對(duì)應(yīng)的溶液中,C(H+)最大的是b.(填字母,后同)
②a、b、c三點(diǎn)對(duì)應(yīng)的溶液中,CH3COOH的電離程度最大的是c.

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