【題目】Cu(In1-xGaxSe2)(簡(jiǎn)稱CIGS)可作多晶膜太陽(yáng)能電池材料,具有非常好的發(fā)展前景。

回答下列問題:

1)已知銦的原子序數(shù)為49,基態(tài)銦原子的電子排布式為[Kr]___;Ga、In、Se,第一電離能從大到小順序?yàn)?/span>___。

2)硅與碳位于同主族,碳的化合物中往往有碳碳雙鍵、碳碳三鍵,但是硅的化合物中只存在硅硅單鍵,其主要原因是___。常溫常壓下,SiF4呈氣態(tài),而SiCl4呈液態(tài),其主要原因是___。

331Ga可以形成GaCl3·xNH3x=3、45、6)等一系列配位數(shù)為6的配合物,向上述某物質(zhì)的溶液中加入足量AgNO3溶液,有沉淀生成;過濾后,充分加熱濾液有氨氣逸出,且又有沉淀生成,兩次沉淀的物質(zhì)的量之比為12。則該溶液中溶質(zhì)的化學(xué)式為___。

4SeO32-的立體構(gòu)型為___SeO2中硒原子采取雜化類型是___。

5)常見的銅的硫化物有CuSCu2S兩種。已知:晶胞中S2-的位置如圖1所示,銅離子位于硫離子所構(gòu)成的四面體中心,它們晶胞具有相同的側(cè)視圖如圖2所示。已知CuSCu2S的晶胞參數(shù)分別為apmbpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。

CuS晶體中,相鄰的兩個(gè)銅離子間的距離為___pm。

Cu2S晶體中,S2-的配位數(shù)為___。

Cu2S晶體的密度為ρ=___g·cm-3(列出計(jì)算式即可)。

【答案】4d105s25p1 Se>Ga>In 硅原子半徑大于碳,硅原子的原子軌道肩并肩重疊程度小,形成三鍵、三鍵不穩(wěn)定 組成、結(jié)構(gòu)相似、四氯化硅的相對(duì)分子質(zhì)量較大 [Ga(NH3)4Cl2]Cl 三角錐形 sp2 a 8

【解析】

GaIn同主族,SeGa同周期;碳與硅同主族,碳原子半徑小于硅原子半徑;硒原子的價(jià)層電子數(shù)為4,其中為1個(gè)孤對(duì)電子對(duì)、3個(gè)成鍵電子對(duì);CuS晶胞中S2-位于晶胞的頂點(diǎn)和面心上,銅離子位于體內(nèi),配位數(shù)為4。

1)鎵原子的質(zhì)子數(shù)為49,電子排布是為1s22s22p63s23p63d104s24p64d105s25p1,簡(jiǎn)寫為[Kr] 4d105s25p1GaIn同主族,SeGa同周期,同一主族從上到下第一電離能逐漸減小,同周期從左到右第一電離能逐漸增大,則第一電離能從大到小順序?yàn)?/span>Se>Ga>In。

2)碳碳雙鍵、碳碳叁鍵都有鍵,硅原子的半徑大于碳原子,硅原子的原子軌道肩并肩重疊程度小于碳原子,鍵不穩(wěn)定。四氯化硅、四氟化硅都是分子構(gòu)成的物質(zhì),組成、結(jié)構(gòu)相似,四氯化硅的相對(duì)分子質(zhì)量大于四氟化硅,故四氯化硅的分子間作用力較大,沸點(diǎn)較高。

3)向上述某配合物的溶液中加入足量AgNO3溶液,有沉淀生成;過濾后,充分加熱濾液有氨氣逸出,且又有沉淀生成,兩次沉淀的物質(zhì)的量之比為12,說明該配合物內(nèi)界和外界中含氯離子的個(gè)數(shù)比為2:1,由于Ga3+的配位數(shù)為6,則該配合物的化學(xué)式為[Ga(NH3)4Cl2]Cl

4SeO32-中硒原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,其中為1個(gè)孤對(duì)電子對(duì)、3個(gè)成鍵電子對(duì),故它的立體構(gòu)型為三角錐形;二氧化硒分子中硒原子價(jià)層有3個(gè)電子對(duì),采取sp2雜化。

5)①由題意可知,銅離子位于互不相鄰的四面體中心,因此相鄰的兩個(gè)銅離子間的距離為a pm。

②銅離子配位數(shù)為4,根據(jù)化學(xué)式為Cu2S,得出S2-的配位數(shù)為8。

Cu2S晶體中含有8個(gè)銅離子、4個(gè)硫離子,故晶體的密度為ρ=

g·cm-3。

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2)若集氣瓶充滿水,可收集的氣體有_______;此時(shí)氣體由______口進(jìn)入。

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根據(jù)以上信息回答下列問題:

1M和水發(fā)生電解的化學(xué)方程式____________。

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