【題目】科學(xué)家借助晶體硅提高了阿伏加德羅常數(shù)的精確度。有關(guān)晶體硅描述錯(cuò)誤的是

A. 由原子構(gòu)成B. 含非極性鍵

C. 含非極性分子D. 熔點(diǎn)高

【答案】C

【解析】

A.晶體硅是原子晶體，由原子構(gòu)成，故A正確；

B.硅原子與硅原子間以非極性共價(jià)鍵連接，故B正確；

C.由于晶體硅是原子晶體，所以不含有分子，故C錯(cuò)誤；

D.原子晶體的特點(diǎn)是熔點(diǎn)高，故D正確；

故選C。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】在化學(xué)實(shí)驗(yàn)中必須注意安全，以下實(shí)驗(yàn)操作或事故處理正確的是（ ）
①在點(diǎn)燃H2 ， CO，CH4等易燃?xì)怏w前，必須檢驗(yàn)氣體的純度
②在稀釋濃硫酸時(shí)，應(yīng)將濃硫酸沿器壁慢慢注入水中并不斷用玻璃棒攪拌
③濃堿液對(duì)皮膚有腐蝕性，如果不慎沾到皮膚上，應(yīng)用較多的水沖洗，再涂上硼酸溶液
④給試管中的液體加熱時(shí)，液體體積應(yīng)不超過試管容積的三分之一
⑤點(diǎn)燃添滿酒精的酒精燈
⑥給試管中的液體加熱時(shí)，試管口不能對(duì)著自己或他人．
A.⑤⑥
B.①②③
C.①②③④⑥
D.全部

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】下列物質(zhì)中所含化學(xué)鍵只有離子鍵的是

A. H2 B. KCl

C. H2O D. NaOH

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】為了除去粗鹽中的Ca2+、Mg2+、SO 及泥沙，可將粗鹽溶于水，然后進(jìn)行下列5項(xiàng)操作：①過濾；②加過量NaOH溶液；③加適量鹽酸；④加過量Na2CO3溶液；⑤加過量BaCl2溶液．正確的操作順序可以是（ ）
A.⑤②④③①
B.④①②⑤③
C.②⑤④①③
D.①④②⑤③

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】下列物質(zhì)的應(yīng)用中，利用了該物質(zhì)氧化性的是

A. 氨——作制冷劑B. 漂粉精——作游泳池消毒劑

C. 甘油——作護(hù)膚保濕劑D. 明礬——我國(guó)古時(shí)用于除銅銹

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】根據(jù)我國(guó)統(tǒng)一實(shí)行法定計(jì)量單位的規(guī)定，下列說法比較規(guī)范的是

A.98g硫酸的摩爾數(shù)為1 mol

B.氧的摩爾質(zhì)量為32g/mol

C.某硫酸中H2SO4的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0．60

D.阿伏加德羅常數(shù)約為6.02×1023個(gè)

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】下列有關(guān)膠體的敘述，錯(cuò)誤的是（ ）

A.鹵水點(diǎn)豆腐，運(yùn)用了膠體遇電解質(zhì)溶液聚沉的原理

B.用激光筆照射淀粉溶液，可以從側(cè)面看到光亮的“通路”

C.靜電除塵的原理是膠體帶電，可以發(fā)生電泳

D.從外觀上可以區(qū)分Fe(OH)3膠體和飽和FeCl3溶液

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】設(shè)NA為阿佛加德羅常數(shù)
（1）4.9g硫酸中含有mol H原子，個(gè)O原子和個(gè)S原子，與克H2O中所含O原子數(shù)相等，溶于水配成500mL溶液其物質(zhì)的量濃度為 ．
（2）同溫同壓下，體積相等的CO和CO2的分子數(shù)之比為 ， 物質(zhì)的量之比為 ， 原子數(shù)之比為 ， 質(zhì)量之比為 ，
（3）某金屬氯化物MCl227g，含有0.40molCl﹣ ， 則該氯化物的物質(zhì)的量為 ， 摩爾質(zhì)量為 ， 金屬M(fèi)的相對(duì)原子質(zhì)量為 ．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】某溫度、壓強(qiáng)下，將一定量反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行反應(yīng):

SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g)；ΔH = +Q kJ·mol-1(Q＞0)，下列敘述正確的是

A．反應(yīng)過程中，若增大壓強(qiáng)，能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率

B．若反應(yīng)開始時(shí)SiCl4為1 mol，則達(dá)平衡時(shí)，吸收熱量為Q kJ

C．若單位時(shí)間內(nèi)生成x molHCl的同時(shí)，生成x molH2，則反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)

D．使用過量的H2或升高溫度都可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率

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