Question

11．晶體硅（熔點(diǎn)1 410℃）是良好的半導(dǎo)體材料．由粗硅制純硅過程如下：Si（粗）$→_{460℃}^{Cl_{2}}$SiCl₄SiCl₄（純）$→_{1100℃}^{H_{2}}$Si（純）在上述由SiCl₄制純硅的反應(yīng)中，測得每生成1.12kg純硅需吸收a kJ熱量，寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：SiCl₄（s）+2H₂（g）$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{．}$Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025akJ/mol．

Answer 1

分析 制純硅的方程式為：SiCl₄+2H₂$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{．}$Si+4HCl，每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量．

解答 解：制純硅的方程式為：SiCl₄+2H₂$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{．}$Si+4HCl，每生成1.12kg純硅，即$\frac{1.12×1{0}^{3}g}{28g/mol}=40mol$Si時，反應(yīng)吸收akJ能量，當(dāng)生成1mol純硅時，反應(yīng)吸收$\frac{a}{40}=0.025akJ$能量，熱化學(xué)方程式為：SiCl₄（s）+2H₂（g）$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{．}$Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025akJ/mol．故答案為：SiCl₄（s）+2H₂（g）$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{．}$Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025akJ/mol．

點(diǎn)評 本題考察熱化學(xué)方程式的書寫及焓變的計算，需要注明熱化學(xué)方程式中物質(zhì)的狀態(tài)，題目難度不大，是基礎(chǔ)題．