Question

【題目】常見(jiàn)的太陽(yáng)能電池有單晶硅或多晶硅太陽(yáng)能電池、GaAs太陽(yáng)能電池及銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池等。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）基態(tài)硒原子的價(jià)電子排布式為___；H2O的沸點(diǎn)高于H2Se的沸點(diǎn)(－42℃)，其原因是___。

（2）已知GaCl3晶體熔點(diǎn)為77.9℃，沸點(diǎn)為201.3℃，GaCl3品體類型為____。

（3）Na3AsO4中陰離子的空間構(gòu)型為_____，As原子采取_____雜化。

（4）高溫下CuO容易轉(zhuǎn)化為Cu2O，試從原子結(jié)構(gòu)角度解釋原因：_____。

（5）鋅與銅位于同一周期。硫化鋅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，S2－周圍等距離且最近的Zn2+個(gè)數(shù)為____；若晶胞邊長(zhǎng)為dpm，則硫化鋅的密度為____g·cm－3(不必簡(jiǎn)化)。

Answer 1

【答案】4s24p4 水分子之間存在氫鍵，H2Se分子之間不存在氫鍵 分子晶體 正四面體 sp3 Cu2O中Cu+價(jià)層電子排布處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài) 4

【解析】

（1）硒為34號(hào)元素，有6個(gè)價(jià)電子，所以硒的價(jià)層電子排布式為4s24p4；水分子之間存在氫鍵，H2Se分子之間不存在氫鍵，所以沸點(diǎn)高低：H2O>H2Se，故答案為：4s24p4；水分子之間存在氫鍵，H2Se分子之間不存在氫鍵；

（2）根據(jù)題中信息，GaCl3的熔點(diǎn)較低，GaCl3為分子晶體，故答案為：分子晶體；

（3）Na3AsO4中陰離子AsO43—，AsO43—中As原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，孤對(duì)電子數(shù)為0，所以As原子采取sp3雜化，AsO43—的空間構(gòu)型為正四面體，故答案為：正四面體；sp3；

（4）原子軌道處于全空、半滿或全滿時(shí)最穩(wěn)定，CuO中Cu2+的價(jià)層電子排布為3d9結(jié)構(gòu)，而Cu2O中Cu+價(jià)層電子排布為全充滿的3d10結(jié)構(gòu)，更穩(wěn)定，所以高溫下CuO容易轉(zhuǎn)化為Cu2O，故答案為：Cu2O中Cu+價(jià)層電子排布處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài)；

（5）根據(jù)硫化鋅晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，每個(gè)Zn2+周圍有4個(gè)S2－，每個(gè)S2－周圍也有4個(gè)Zn2+；該晶胞中含有Zn2+數(shù)為8×+6×=4，含S2－數(shù)為4，則依據(jù)質(zhì)量關(guān)系可得=(d×10-10cm)3ρ，則硫化鋅的密度ρ= g·cm－3，故答案為：4；。