參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題。

物質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

物質(zhì)

SiF4

SiCl4

SiBr4

SiI4

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-90.2

-70.4

5.2

120.5

-70.4

-49.5

-36.2

-15.0

(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與______________有關(guān),隨著______________增大______________減小,故熔點(diǎn)依次降低。

(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與______________有關(guān),隨著______________的增大______________增大,故熔點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與______________有關(guān),因?yàn)開_____________,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。

解析:本題要求我們掌握晶體的熔點(diǎn)的變化規(guī)律及其規(guī)律形成的原因。首先應(yīng)該根據(jù)直接構(gòu)成晶體的粒子及其熔點(diǎn)判斷晶體的類型,然后再根據(jù)決定晶體熔點(diǎn)的因素找出答案。本題表中第一行物質(zhì)都屬于離子晶體,決定離子晶體熔點(diǎn)的主要因素是離子所帶的電荷數(shù)和離子的半徑。這里都是一價(jià)陽離子或陰離子,故應(yīng)比較離子半徑的差異。NaF、NaCl、NaBr、NaI的陽離子同為Na+,屬于同一主族的陰離子從F-到I-的離子半徑遞增,故靜電作用力也以同樣的次序減弱,熔點(diǎn)也以同樣的次序降低。NaCl、KCl、RbCl、CsCl的陰離子同為Cl-,陽離子屬于同一主族,其離子半徑從Na+到Cs+遞增,故其熔點(diǎn)依次降低。第二行物質(zhì)都是由結(jié)構(gòu)相似的分子形成的分子晶體,對(duì)于這類晶體,其熔點(diǎn)主要決定于分子的相對(duì)分子質(zhì)量,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間的作用力越強(qiáng),熔點(diǎn)就越高。因此從SiF4到SiI4和從SiCl4到PbCl4,相對(duì)分子質(zhì)量遞增,其熔點(diǎn)當(dāng)然依次升高。

答案:(1)離子半徑  離子半徑  離子間的相互作用

(2)相對(duì)分子質(zhì)量的大小  相對(duì)分子質(zhì)量  分子間作用力

(3)晶體的類型  前者是離子晶體,后者是分子晶體

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題:
物質(zhì) 熔點(diǎn)/℃ 物質(zhì) 熔點(diǎn)/℃
NaF 993 SiF4 -90.2
NaCl 801 SiCl4 -70.4
NaBr 747 SiBr4 5.2
NaI 662 SiI4 120.5
NaCl 801 SiCl4 -70.4
KCl 768 GeCl4 -49.5
RbCl 717 SnCl4 -36.2
CsCl 646 PbCl4 -15
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的
 
有關(guān),隨著
 
的增大,熔點(diǎn)逐漸降低.
(2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與
 
有關(guān),隨著
 
增大,
 
增強(qiáng),故熔點(diǎn)逐漸升高.
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與
 
有關(guān),因?yàn)?!--BA-->
 
,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者.

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參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)有問題。

物  質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

物  質(zhì)

SiF4

SiCl4

SiBr4

SiI4

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-90.4

-70.4

5.2

120

-70.4

-49.5

-36.2

-15

(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的________________有關(guān),隨著________________的增大,熔點(diǎn)依次降低。

(2)硅的鹵化物熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_______________比________________熔點(diǎn)高。

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參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題:

物質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

物質(zhì)

SiF4

SiCl4

SiBr4

SiI4

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-90.2

-70.4

5.2

10.5

-70.4

-49.5

-36.2

-15.0

(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與_____有關(guān),隨_______增大,_____減小,故熔點(diǎn)依次降低。

(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與_______有關(guān),隨著_______增大則_____________增大,故熔點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與_______有關(guān),因?yàn)?/p>

___________________________________,故前者熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。

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參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)有問題。

物  質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

物  質(zhì)

SiF4

SiCl4

SiBr4

SiI4

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-90.4

-70.4

5.2

120

-70.4

-49.5

-36.2

-15

(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的________________有關(guān),隨著________________的增大,熔點(diǎn)依次降低。

(2)硅的鹵化物熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_______________比________________熔點(diǎn)高。

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