物質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | NaCl | KCl | RbCl | CsCl |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | 801 | 776 | 715 | 646 |
物質(zhì) | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 | SiCl4 | GeCl4 | SnCl4 | PbCl4 |
熔點(diǎn)/℃ | -90.2 | -70.4 | 5.2 | 120.5 | -70.4 | -49.5 | -36.2 | -15.0 |
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與______________有關(guān),隨著______________增大______________減小,故熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與______________有關(guān),隨著______________的增大______________增大,故熔點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與______________有關(guān),因?yàn)開_____________,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。
解析:本題要求我們掌握晶體的熔點(diǎn)的變化規(guī)律及其規(guī)律形成的原因。首先應(yīng)該根據(jù)直接構(gòu)成晶體的粒子及其熔點(diǎn)判斷晶體的類型,然后再根據(jù)決定晶體熔點(diǎn)的因素找出答案。本題表中第一行物質(zhì)都屬于離子晶體,決定離子晶體熔點(diǎn)的主要因素是離子所帶的電荷數(shù)和離子的半徑。這里都是一價(jià)陽離子或陰離子,故應(yīng)比較離子半徑的差異。NaF、NaCl、NaBr、NaI的陽離子同為Na+,屬于同一主族的陰離子從F-到I-的離子半徑遞增,故靜電作用力也以同樣的次序減弱,熔點(diǎn)也以同樣的次序降低。NaCl、KCl、RbCl、CsCl的陰離子同為Cl-,陽離子屬于同一主族,其離子半徑從Na+到Cs+遞增,故其熔點(diǎn)依次降低。第二行物質(zhì)都是由結(jié)構(gòu)相似的分子形成的分子晶體,對(duì)于這類晶體,其熔點(diǎn)主要決定于分子的相對(duì)分子質(zhì)量,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間的作用力越強(qiáng),熔點(diǎn)就越高。因此從SiF4到SiI4和從SiCl4到PbCl4,相對(duì)分子質(zhì)量遞增,其熔點(diǎn)當(dāng)然依次升高。
答案:(1)離子半徑 離子半徑 離子間的相互作用
(2)相對(duì)分子質(zhì)量的大小 相對(duì)分子質(zhì)量 分子間作用力
(3)晶體的類型 前者是離子晶體,后者是分子晶體
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
物質(zhì) | 熔點(diǎn)/℃ | 物質(zhì) | 熔點(diǎn)/℃ |
NaF | 993 | SiF4 | -90.2 |
NaCl | 801 | SiCl4 | -70.4 |
NaBr | 747 | SiBr4 | 5.2 |
NaI | 662 | SiI4 | 120.5 |
NaCl | 801 | SiCl4 | -70.4 |
KCl | 768 | GeCl4 | -49.5 |
RbCl | 717 | SnCl4 | -36.2 |
CsCl | 646 | PbCl4 | -15 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
物 質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | NaCl | KCl | RbCl | CsCl |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | 801 | 776 | 715 | 646 |
物 質(zhì) | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 | SiCl4 | GeCl4 | SnCl4 | PbCl4 |
熔點(diǎn)/℃ | -90.4 | -70.4 | 5.2 | 120 | -70.4 | -49.5 | -36.2 | -15 |
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的________________有關(guān),隨著________________的增大,熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_______________比________________熔點(diǎn)高。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
物質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | NaCl | KCl | RbCl | CsCl |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | 801 | 776 | 715 | 646 |
物質(zhì) | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 | SiCl4 | GeCl4 | SnCl4 | PbCl4 |
熔點(diǎn)/℃ | -90.2 | -70.4 | 5.2 | 10.5 | -70.4 | -49.5 | -36.2 | -15.0 |
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與_____有關(guān),隨_______增大,_____減小,故熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與_______有關(guān),隨著_______增大則_____________增大,故熔點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與_______有關(guān),因?yàn)?/p>
___________________________________,故前者熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)有問題。
物 質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | NaCl | KCl | RbCl | CsCl |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | 801 | 776 | 715 | 646 |
物 質(zhì) | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 | SiCl4 | GeCl4 | SnCl4 | PbCl4 |
熔點(diǎn)/℃ | -90.4 | -70.4 | 5.2 | 120 | -70.4 | -49.5 | -36.2 | -15 |
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的________________有關(guān),隨著________________的增大,熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_______________比________________熔點(diǎn)高。
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