下列關(guān)于無(wú)機(jī)非金屬材料的說(shuō)法中正確的是   (　　)。
A．傳統(tǒng)無(wú)機(jī)非金屬材料是指：光導(dǎo)纖維、玻璃、水泥、陶瓷等硅酸鹽材料
B．新型無(wú)機(jī)非金屬材料雖然克服了傳統(tǒng)無(wú)機(jī)非金屬材料的缺點(diǎn)，但強(qiáng)度比較差
C．高溫結(jié)構(gòu)材料具有耐高溫、耐酸堿腐蝕、硬度大、耐磨損、密度小等優(yōu)點(diǎn)
D．傳統(tǒng)無(wú)機(jī)非金屬材料和新型無(wú)機(jī)非金屬材料的主要成分都是硅酸鹽
C
A項(xiàng)中光導(dǎo)纖維是新型無(wú)機(jī)非金屬材料；B項(xiàng)中強(qiáng)度比較差是錯(cuò)誤的；D項(xiàng)中新型無(wú)機(jī)非金屬材料中的光導(dǎo)纖維、單晶硅等其成分都不是硅酸鹽。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列關(guān)于濃硫酸和濃硝酸的敘述正確的是（　�。�
A．加熱條件下均能與碳反應(yīng)
B．長(zhǎng)期露置在空氣中濃度均會(huì)升高
C．常溫下均不能用鐵制容器貯存
D．常溫下均可與銅片迅速反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：實(shí)驗(yàn)題

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用過(guò)量的碳還原二氧化硅制得粗硅，同時(shí)得到一種可燃性氣體；
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(Si＋3HClSiHCl3＋H2)；
③SiHCl3與過(guò)量的H2在1 100～1 200 ℃的溫度下反應(yīng)制得純硅，已知SiHCl3能與水劇烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答：
(1)第一步制取粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                        。
(2)粗硅與HCl氣體反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)－84.7 ℃)，提純SiHCl3采用的方法為                      。
(3)實(shí)驗(yàn)室用SiHCl3與過(guò)量的H2反應(yīng)制取純硅裝置如圖所示(加熱和夾持裝置略去)：

①裝置B中的試劑是      ，裝置C中的燒杯需要加熱，目的是                    。
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是                               ，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是                              ，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是                               。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及                               。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

氮化硅可用作高溫陶瓷復(fù)合材料，在航空航天、汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)、機(jī)械等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由石英砂合成氮化硅粉末的路線如下圖所示：

其中－NH2中各元素的化合價(jià)與NH3相同。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)石英砂不能與堿性物質(zhì)共同存放，以NaOH為例，用化學(xué)反應(yīng)方程式表示其原因：                                                             。
(2)圖示①～⑤的變化中，屬于氧化還原反應(yīng)的是                         。(3)SiCl4在潮濕的空氣中劇烈水解，產(chǎn)生白霧，軍事工業(yè)中用于制造煙霧劑。SiCl4水解的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                              。
(4)在反應(yīng)⑤中，3 mol Si(NH2)4，在高溫下加熱可得1 mol氮化硅粉末和8 mol A氣體，則氮化硅的化學(xué)式為                                            。
(5)在高溫下將SiCl4在B和C兩種氣體的氣氛中，也能反應(yīng)生成氮化硅，B和C兩種氣體在一定條件下化合生成A。寫(xiě)出SiCl4與B和C兩種氣體反應(yīng)的化學(xué)方程式                     。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列說(shuō)法中，正確的是（  ）
A．酸性氧化物都不與酸溶液反應(yīng)
B．陶瓷、水泥及所有的玻璃都是硅酸鹽產(chǎn)品
C．某些非金屬單質(zhì)既能與酸反應(yīng)也能與堿反應(yīng)
D．硅酸鹽都是難溶于水的

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列物品或設(shè)備：①水泥路；②門(mén)窗玻璃；③水晶鏡片；④石英鐘表；⑤瑪瑙手鐲；⑥硅太陽(yáng)能電池；⑦光導(dǎo)纖維；⑧計(jì)算機(jī)芯片。所用材料含有SiO2的(　　)。
A．①②③④⑤⑦B．①②⑦⑧C．⑥⑧D．全部

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

獲取知識(shí)和信息是現(xiàn)代人不可缺少的素質(zhì)，信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展離不開(kāi)材料科學(xué)的推動(dòng)。信息產(chǎn)業(yè)的核心材料是高純度的硅，單晶硅可用來(lái)制作大規(guī)模集成電路、整流器等，硅純度越高，大規(guī)模集成電路的性能就越好。高純度的單晶硅生產(chǎn)方法有：
方法一：三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

方法二：用金屬硅化物(Mg2Si)與鹽酸作用制得硅烷，再熱分解硅烷可得高純硅。
根據(jù)上述信息回答以下問(wèn)題：
(1)從方法一生產(chǎn)單晶硅的過(guò)程看，由焦炭還原得到的硅為何還要進(jìn)一步處理？_________________________________________________________。
(2)寫(xiě)出方法二中生產(chǎn)高純硅的兩個(gè)化學(xué)方程式：
①____________________________________________________________；
②__________________________________________________________。
(3)寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)方程式：____________________________________。
(4)在方法一中，整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式：________________；H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是_____________________________________________________。
(5)比較方法一和方法二，分析一下各自的優(yōu)缺點(diǎn)____________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

硅及其化合物對(duì)人類(lèi)現(xiàn)代文明具有特殊貢獻(xiàn)，請(qǐng)回答下列有關(guān)問(wèn)題：
(1)硅原子的結(jié)構(gòu)示意圖：________。
(2)下列物品或設(shè)備所用的材料屬于硅酸鹽的是________。
①長(zhǎng)江三峽水泥大壩；②石英光導(dǎo)纖維；③陶瓷坩堝；④普通玻璃；⑤硅太陽(yáng)能電池
A．①②③      B．③④⑤       C．②③④      D．①③④
(3)常溫下，SiCl4為液態(tài)，沸點(diǎn)為57.6℃，在空氣中冒白霧。制備高純度硅的中間產(chǎn)物SiCl4中溶有液態(tài)雜質(zhì)，若要得到高純度SiCl4，應(yīng)采用的方法是________；用化學(xué)方程式及必要文字解釋SiCl4在空氣中冒白霧的原因：_______________________________________。
(4)工業(yè)上可用SiCl4(g)制備高溫結(jié)構(gòu)陶瓷氮化硅，其反應(yīng)方程式為
3SiCl4(g)＋2N2(g)＋6H2(g)Si3N4(s)＋12HCl(g)　ΔH＝a kJ/mol(a＜0)
①該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K＝______________.
②在密閉恒容容器中，能表示上述反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)的是________。
A．3v逆(N2)＝v正(H2)
B．v正(HCl＝4v正＝4v正(SiCl4)
C．混合氣體密度保持不變
D．c(N2)∶c(H2)∶c(HCl)＝1∶3∶6
③在某條件下達(dá)到平衡時(shí)，H2與HCl物質(zhì)的量之比為m∶n；保持其他條件不變，降低溫度達(dá)到平衡時(shí)，H2與HCl物質(zhì)的量之比________m∶n(填“>”、“＝”或“＜”)。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列說(shuō)法正確的是
A．SiO2溶于水顯酸性
B．CO2通入水玻璃可得硅酸
C．瑪瑙的主要成分是硅酸鹽
D．18K金常用來(lái)制作飾品，其熔點(diǎn)比純金高

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