Question

【題目】硫及其化合物有許多用途。請(qǐng)回答下列問題。

基態(tài)硫離子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為____，其電子填充的最高能級(jí)的軌道數(shù)為____。

常見含硫的物質(zhì)有單質(zhì)硫、、、等，四種物質(zhì)的熔點(diǎn)由高到低的順序依次為__________。

方鉛礦即硫化鉛是一種比較常見的礦物，酸溶反應(yīng)為：濃，則中配位原子是__________，第一電離能__________填“”、“”或“”，中硫的雜化方式為______________，下列氣態(tài)分子的空間構(gòu)型與相同的有__________。

A.SnCl2 B.SO3

方鉛礦的立方晶胞如圖所示，硫離子采取面心立方堆積，鉛離子填在由硫離子形成的__________空隙中。已知晶體密度為ρg·cm－3，阿伏加德羅常數(shù)的值為，則晶胞中硫離子與鉛離子最近的距離為__________nm。

Answer 1

【答案】 3 AC 四面體

【解析】

⑴基態(tài)硫原子電子排布式1s22s22p63s23p4，離子電子排布式1s22s22p63s23p6，離子價(jià)層電子排布式為3s23p6，離子價(jià)電子的軌道表達(dá)式為，

故答案為

其電子填充的最高能級(jí)為3p能級(jí)，3p能級(jí)的軌道數(shù)為3個(gè)軌道，

故答案為3；

⑵物質(zhì)的熔點(diǎn)比較的一般原則為離子晶體熔點(diǎn)大于分子晶體熔點(diǎn)，硫化鈉和硫化鉀兩者都為離子晶體，根據(jù)離子半徑和晶格能比較，鈉離子半徑小于鉀離子半徑，硫化鈉晶格能大于硫化鉀晶格能，因此硫化鈉熔點(diǎn)大于硫化鉀熔點(diǎn)，二氧化硫和S8都是分子晶體，組成結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大熔點(diǎn)越高，因此S8熔點(diǎn)大于二氧化硫熔點(diǎn)，所以四者熔點(diǎn)高低順序?yàn)?/span>Na2S > K2S > S8 > SO2，

故答案為Na2S > K2S > S8 > SO2

⑶則H2[PbCl4]中配位原子是Cl，故答案為Cl；

同周期第一電離能從左到右增大，但第IIA>III A,V A> VI A，氯的第一電離能大于硫的第一電離能，故答案為；

H2S中電子對(duì)數(shù)

所以H2S的雜化方式為SP3，

故答案為SP3，

H2S中電子對(duì)數(shù)=2＋2=4，VSEPR模型為正四面體，略去兩對(duì)孤對(duì)電子，為“V”形結(jié)構(gòu)，SnCl2中電子數(shù)=2＋2=4，同樣為“V”形結(jié)構(gòu)，SO3中電子數(shù)=3＋0=3，即為平面三角形結(jié)構(gòu)，O3中δ為2，由于形成了，中心氧原子形成時(shí)用了兩個(gè)電子，因此還剩余兩個(gè)電子即一對(duì)孤對(duì)電子，電子對(duì)數(shù)=2＋1=3，即為“V”形結(jié)構(gòu)，CH4中電子數(shù)=4＋0=4，即為正四面體結(jié)構(gòu)；

故答案為AC

⑷根據(jù)方鉛礦的立方晶胞，硫離子采取面心立方堆積，四個(gè)硫離子和鉛離子形成了四面體結(jié)構(gòu)，鉛離子在四面體空隙中，故答案為四面體；

已知晶體密度為ρg·cm－3，

則晶胞中硫離子與鉛離子最近的距離為體對(duì)角線的四分之一，該晶體中有4個(gè)鉛離子和4個(gè)硫離子，設(shè)棱長為a，

即晶胞中硫離子與鉛離子最近的距離為

故答案為