6．欲除去氯化氫氣體中混有的少量氯氣，可將混合氣體通過（　�。�
A．飽和食鹽水B．氫氧化鈉C．灼熱的銅網(wǎng)D．濃硫酸

分析 氯氣難溶于飽和食鹽水，HCl極易溶于水，氯氣與Cu反應(yīng)生成氯化銅，HCl與Cu不反應(yīng)，據(jù)此分析．

解答 解：A．氯氣難溶于飽和食鹽水，但HCl極易溶于水，不能用飽和食鹽水除去氯化氫氣體中混有的少量氯氣，故A錯(cuò)誤；
B．氯氣和氯化氫都能與氫氧化鈉溶液反應(yīng)，不能用于除雜，故B錯(cuò)誤；
C．在加熱時(shí)氯氣與Cu反應(yīng)生成氯化銅HCl不反應(yīng)，所以能用銅網(wǎng)除去氯化氫氣體中混有的少量氯氣，故C正確；
D．濃硫酸與氯氣、HCl都不反應(yīng)，所以不能除去氯化氫氣體中混有的少量氯氣，故D錯(cuò)誤；
故選C．

點(diǎn)評(píng) 本題考查了HCl氣體的除雜問題，題目難度不大，本題注意除雜時(shí)不能影響被提純物質(zhì)的性質(zhì)．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

16．少量金屬鈉長(zhǎng)時(shí)間放置空氣中最終轉(zhuǎn)化為白色粉末狀的物質(zhì)是（　　）
A．Na2OB．Na2O2C．NaOHD．Na2CO3

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

17．下列離子方程式中，只能表示一個(gè)化學(xué)反應(yīng)的是
①Fe+Cu2+═Fe2++Cu；②Ba2++2OH-+2H++SO42-═BaSO4↓+2H2O；
③2Na2O2+2H2O═4Na++OH-+O2↑；④CO32-+2H+═CO2↑+H2O；
⑤Al（OH）3+OH-═AlO2-+2H2O（　　）
A．只有③B．②③C．③⑤D．①④

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

14．大氣污染成為人們?cè)絹碓疥P(guān)注的問題，含NOx的煙氣必須在NOx被脫除后才能排放．
（1）已知：CH4（g）+4NO（g）=CO2（g）+2N2+2H2O（l）△H=-1250kJ•mol-1；
CH4（g）+2O2（g）=CO2（g）+2H2O（l）；△H=-890kJ•mol-1
則N2（g）+O2（g）=2NO（g）的△H=+180kJ•mol-1．
（2）用O3氧化NO結(jié)合水洗可產(chǎn)生HNO3和O2以除去NO，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為3O3+2NO+H2O═2HNO3+3O2．
（3）NO2、O2和熔融NaNO3可制作燃料電池，其原理如圖甲，該電池在使用過程中石墨Ⅰ電極上生成氧化物Y．石墨Ⅱ上的電極反應(yīng)式為O2+2N2O5+4e-═4NO3-，NO${\;}_{3}^{-}$向石墨Ⅰ（填”Ⅰ“或”Ⅱ“）移動(dòng)

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

1．根據(jù)如圖中所示的變化關(guān)系，寫出各物質(zhì)的化學(xué)式．
A是Si，B是Na2SiO3，C是H4SiO4，D是H2SiO3，E是SiO2．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

11．實(shí)驗(yàn)室合成氨的裝置如圖所示．試回答：

（1）裝置甲的作用是：①干燥氣體；②使N2和H2充分混合；③觀察氣泡以調(diào)節(jié)氫氣、氮?dú)饬魉伲?br />（2）寫出乙中反應(yīng)的化學(xué)方程式：N2+3H2$\frac{\underline{\;\;催化劑\;\;}}{高溫高壓}$2NH3．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

18．相同物質(zhì)的量的鈉、鎂、鋁三種金屬分別與足量的鹽酸反應(yīng)：
（1）反應(yīng)劇烈程度最大的是Na．
（2）完全反應(yīng)后，產(chǎn)生氫氣最多的是Al．
（3）相同條件下，三種金屬產(chǎn)生氫氣的體積比是1：2：3．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

8．在恒溫、恒容容器中發(fā)生反應(yīng)：2SO2+O2?2SO3，如果2min內(nèi)SO2的濃度由6mol/L下降為2mol/L，那么用O2濃度變化來表示的反應(yīng)速率為1mol/（L•min）．如果開始時(shí)SO2濃度為4mol/L，O2濃度為2mol/L，2min后反應(yīng)達(dá)平衡，若這段時(shí)間內(nèi)v（O2）為0.5mol/（L•min），那么2min時(shí)SO2的濃度為2mol/L，達(dá)平衡時(shí)與反應(yīng)前壓強(qiáng)之比為5：6．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

9．硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．請(qǐng)回答下列問題：
（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅．三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如圖：
石英砂$→_{高溫}^{焦炭}$粗硅$→_{573K以上}^{HCl}$SiHCl3（粗）$\stackrel{精餾}{→}$SiHCl3（純）$→_{1357K}^{H_{2}}$高純硅
①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式SiHCl3+H2$\frac{\underline{\;1357K\;}}{\;}$Si+3HCl．
②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧．SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式SiHCl3+3H2O=H2SiO3↓+H2↑+3HCl↑．
③H2還原SiHCl3過程中若混O2，可能引起的后果是高溫下，H2遇O2發(fā)生爆炸．
④已知2gH2在O2中完全燃燒生成水蒸氣時(shí)放出241.8kJ的熱量．寫出H2在O2中完全燃燒生成水蒸氣的熱化學(xué)方程式：2H2（g）+O2（g）═2H2O（g）△H=-483.6 kJ/mol．
（2）下列對(duì)硅材料的說法正確的是ABC（填字母）．
A．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
B．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料--光導(dǎo)纖維
C．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高
D．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃．取少量硅酸鈉溶液于試管中，通入二氧化碳?xì)怏w，振蕩，觀察．
①實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象是：生成白色膠狀沉淀．②寫出發(fā)生反應(yīng)的離子方程式：SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3•H2O+H2SiO3↓．

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案