Question

【題目】短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大。W的某種核素不含中子；X、Y原子核處L層的電子數(shù)之比為3：4；X與Z同主族，且X、Y、Z原子的最外層電子數(shù)之和為16。下列說法不正確的是

A. 原子半徑：Y＞Z＞X＞W

B. 簡單氫化物的穩(wěn)定性：X＞Z＞Y

C. X與Y形成晶體的基本結(jié)構(gòu)單元為四面體

D. W、X、Z三種元素形成的化合物一定為強電解質(zhì)

Answer 1

【答案】D

【解析】

短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大。W的某種核素不含中子，則W為H元素；X、Y原子核外L層的電子數(shù)之比為3：4，則L層電子數(shù)分別為3、4或6、8，X與Z為同主族元素，且X、Y、Z的最外層電子數(shù)之和為16，若X、Y的L層電子數(shù)分別為3、4，則3+3+4≠16，則X的L層電子數(shù)為6，X為O元素，Z為S元素，Y的最外層電子數(shù)為17-6-6-1=4，且Y的L層電子數(shù)為8，則Y為Si元素，據(jù)此解答。

根據(jù)分析可知：W為H，X為O元素，Y為Si，Z為S元素；

A．同一主族從上到下原子半徑逐漸增大，同一周期從左向右原子半徑逐漸減小，則原子半徑Y＞Z＞X＞W，故A正確；

B．非金屬性O＞S＞Si，則簡單氫化物的穩(wěn)定性X＞Z＞Y，故B正確；

C．O、Si形成的化合物為二氧化硅，二氧化硅晶體的基本結(jié)構(gòu)單元為四面體，故C正確；

D．H、O、S形成的亞硫酸為弱酸，屬于弱電解質(zhì)，故D錯誤；

故答案為D。