有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個未成對電子,A+比B-少一個電子層,B原子得一個電子填入3p軌道后,3p軌道已充滿;C原子的p軌道中有3個未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4,其最高價氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等子中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A+與D2一離子數(shù)之比為2:1。請回答下列問題:
(1)A元素形成的晶體內(nèi)晶體類型應(yīng)屬于 (填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”)堆積,空間利用率為 。
(2)C3-的電子排布式為 ,在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是 雜化,CB3分子的VSEPR模型為 。
(3)C的氫化物在水中的溶解度如何 ,為什么具有這樣的溶解性 。
(4)D元素與同周期相鄰元素的第一電離能由大到小的關(guān)系是:
(用元素符號表示);用一個化學(xué)方程式說明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強(qiáng)弱: 。
(5)如圖所示是R形成的晶體的晶胞,該晶胞與CaF2晶胞結(jié)構(gòu)相似,設(shè)晶體密度是p g·cm-3試計算R晶體中A+和D2-最短的距離 。
(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,只寫出計算式,不用計算)
23. (1)體心立方 68% (2)1s2 2s2 2p6 sp3 四面體形
(3)l:700溶于水或極易溶于水
氨分子和水分子間可以形成氫鍵,且氨分子和水分子均為極性分子,相似相溶,氨分子和水分子還可以發(fā)生反應(yīng),氨氣極易溶于水。
(4)C1>P>S ;H2S+Cl2="2HCl+S"
解析試題分析:B原子得一個電子填入3p軌道后,3p軌道已充滿,故B為氯,A+比B-少一個電子層,故A為鈉,C原子的p軌道中有3個未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大,氮元素形成的氫化物氨氣形成分子間氫鍵,使溶解度增大,故為N,;D的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4,其最高價氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等子中子數(shù),故D為硫;(1)鈉是體心立方密堆積,空間利用率為 68% ;(2)N3-有8個電子,最外層為全充滿,故為1s2 2s2 2p6;NCl3形成三條單鍵和一對孤對電子,故為sp3雜化,是四面體形;(3)氨氣極易溶于水,氨氣分子間能形成分子間氫鍵,且和水均為極性分子,故在水中的溶解度很大;(4)同周期,從左向右整體第一電離能逐漸增大,與硫相鄰的為磷和氯,但磷為半充滿,穩(wěn)定,第一電離能大,故C1>P>S;單質(zhì)間的置換反應(yīng)可以證明單質(zhì)氧化性的強(qiáng)弱,故為:H2S+Cl2=2HCl+S;(5)該晶體中鈉離子個數(shù)為8,硫離子有處于面上的和頂點(diǎn)上的,個數(shù)為4,晶胞的體積等于質(zhì)量除以密度,質(zhì)量為4個硫化鈉的質(zhì)量,由體積求出立方體的邊長,四個硫和一個鈉構(gòu)成正四面體,鈉位于正四面體的體心,四面體的棱長為晶胞面對角線的一半,由邊長求出棱長,根據(jù)棱長求出正三角形中BE的長,根據(jù)BO和OE的比值為2:1得出BO的長,根據(jù)AB和BO求出AO的長,根據(jù)三角形中的數(shù)量關(guān)系求出最短距離。
考點(diǎn):考查堆積方式、雜化類型的判斷、氫鍵的形成及對性質(zhì)的影響、第一電離能的遞變規(guī)律、晶胞的計算等知識。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
A、B、C、D、E五種短周期元素,它們的原子序數(shù)依次增大。A是元素周期表中原子半徑最小的元素,B元素原子L層上的電子數(shù)為K層電子數(shù)的2倍;元素D的2價陰離子的核外電子排布與氖原子相同;E與A同主族;A和E這兩種元素與D都能形成X2Y、X2Y2型化合物。請回答:
(1)寫出元素的符號:C ;E 。
(2)化合物A2D的電子式為 。
(3)元素B的一種同位素可測定文物年代,這種同位素的符號是 。
(4)B的最高價氧化物的結(jié)構(gòu)式 。
(5)寫出符合X2Y2的物質(zhì)在MnO2催化作用下生成D單質(zhì)的方程式 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
(9分)A、B、C三種元素的原子具有相同的電子層數(shù),而B的核電荷數(shù)比A大1,C原子的電子總數(shù)比B原子的電子總數(shù)多4; 1molA的單質(zhì)跟足量鹽酸反應(yīng),可置換出標(biāo)準(zhǔn)狀況下22.4L的H2,這時A轉(zhuǎn)變?yōu)榕c氖原子具有相同電子層結(jié)構(gòu)的離子。試請回答:
(1)用電子式表示A和C組成的化合物的形成過程為______________________;
(2)B離子的電子式是 ,與B的離子具有相同電子數(shù)的分子中,有一種分子可與鹽酸化合生成鹽,該分子的電子式是 ;
(3)周期表中與C上下相鄰的同族元素形成的氣態(tài)氫化物中,沸點(diǎn)最高的是 ,(填氫化物化學(xué)式),原因是 ;
(4)寫出B最高價氧化物的水化物和C最高價氧化物的水化物之間反應(yīng)的離子方程式 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
磁性材料氮化鐵鎳合金可用Fe(NO3)3、Ni(NO3)2、丁二酮肟、氨氣、氮?dú)、氫氧化鈉、鹽酸等物質(zhì)在一定條件下反應(yīng)制得。
(1) 基態(tài)Ni原子的價電子排布式是________。
(2) 丁二酮肟(結(jié)構(gòu)簡式如右圖所示)中碳原子的雜化方式為________。
(3) NH3的沸點(diǎn)高于PH3,其主要原因是____。
(4) 與N3-離子具有相同電子數(shù)的三原子分子的空間構(gòu)型是________。
(5) 向Ni(NO3)2溶液中滴加氨水,剛開始時生成綠色Ni(OH)2沉淀,當(dāng)氨水過量時,沉淀會溶解,生成[Ni(NH3)6]2+的藍(lán)色溶液,則1 mol[Ni(NH3)6]2+含有的σ鍵為________mol。
(6) 右圖是一種鎳基合金儲氫后的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖。該合金儲氫后,含1 mol La的合金可吸附H2的數(shù)目為________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
(16分)下表是元素周期表的一部分,表中所列的字母分別代表某一化學(xué)元素。
| | | |||||||||||||||
| | | | h | | | | | |||||||||
a | c | f | | i | | | m | ||||||||||
| | | e | | | | | | | | | | g | | k | | |
| d | | | | | | | | | | | | | | | | |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
【選修3-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】(20分)
19-I(6分)對于鈉的鹵化物(NaX)和硅的鹵化物(SiX4),下列敘述正確的是
A.SiX4難水解 | B.SiX4是共價化合物 |
C.NaX易水解 | D.NaX的熔點(diǎn)一般高于SiX4 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
[化學(xué)選修——3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
周期表前四周期的元素a、b、c、d、e,原子序數(shù)依次增大。A的核外電子總數(shù)與其電子層數(shù)相同,b的價電子層中的未成對電子有3個,c的最外層電子數(shù)為其內(nèi)層電子數(shù)的3倍,d與c同主族,e的最外層只有1個電子,但次外層有18個電子。回答下列問題:
(1)b、c、d中第一電離能最大的是 (填元素符號),e的價層電子軌道示意圖為 。
(2)a和其他元素形成的二元共價化合物中,分子呈三角錐形,該分子的中心原子的雜化方式為 ;分子中既含有極性共價鍵,又含有非極性共價鍵的化合物是 (填化學(xué)式,寫兩種)。
(3)這些元素形成的含氧酸中,分子的中心原子的價層電子對數(shù)為3的酸是 ;酸根呈三角錐結(jié)構(gòu)的酸是 。(填化學(xué)式)
(4)c和e形成的一種離子化合物的晶體結(jié)構(gòu)如圖1,則e離子的電荷為 。
(5)這5種元素形成的一種1:1型離子化合物中,陰離子呈四面體結(jié)構(gòu),陽離子呈軸向狹長的八面體結(jié)構(gòu)(如圖2所示)。該化合物中陰離子為 ,陽離子中存在的化學(xué)鍵類型有 ;該化合物加熱時首先失去的組分是 ,判斷理由是 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
(15分) 已知A、B、C、D、E都是元素周期表中的前四周期元素,它們原子序數(shù)的大小關(guān)系為A<C<B<D<E。又知A原子的p軌道為半充滿,其形成的簡單氫化物的沸點(diǎn)是同主族非金屬元素的氫化物中最高的。D原子得到一個電子后其3p軌道將全充滿。B+離子比D原子形成的離子少一個電子層。C與B可形成BC型的離子化合物。E的原子序數(shù)為29。
請回答下列問題:
(1) 元素A簡單氫化物中A原子的雜化類型是 ,B、C、D的電負(fù)性由小到大的順序?yàn)?br />__ (用所對應(yīng)的元素符號表示)。C的氣態(tài)氫化物易溶于水的原因是 。
(2)E原子的基態(tài)電子排布式為 。元素E的單質(zhì)晶體在不同溫度下可有兩種堆積方式,晶胞分別如右圖a和b所示,則其面心立方堆積的晶胞與體心立方堆積的晶胞中實(shí)際含有的E原子的個數(shù)之比為 。
(3)實(shí)驗(yàn)證明:KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖所示),其中3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表:
離子晶體 | NaCl | KCl | CaO |
晶格能/kJ·mol-1 | 786 | 715 | 3401 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
[化學(xué)——選修3: 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
Sn是人類最早使用的元素之一,能形成SnCl2,SnCl4兩種氯化物,SnCl2常溫下為白色晶體,具有一維鏈狀的聚合結(jié)構(gòu),氣態(tài)時以單分子形式存在,而SnCl4常溫下為無色液體。白錫和灰錫是Sn的兩種同素異形體,白錫的晶體結(jié)構(gòu)中Sn原子的配位數(shù)為4和6,灰錫的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)相似。白錫的密度大于灰錫的密度。
(1)Sn元素價層電子排布式為 。
(2)SnCl2的一維鏈狀聚合結(jié)構(gòu)如圖所示,在分子結(jié)構(gòu)中標(biāo)出
所含有的配位鍵。其固體分子及氣體分子中Sn的雜化方式為 。
(3)SnCl4分子的空間構(gòu)型為 ,SnCl4與CCl4中
沸點(diǎn)較高的是 。
(4)錫的某種氧化物的晶胞如右圖,其化學(xué)式為 。
(5)解釋白錫分子的密度大于灰錫的密度的原因: 。
(6)若灰錫的晶胞邊長為a pm,計算灰錫的密度 為 。
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