下面的排序錯誤的是
A.晶體熔點由高到低:MgO> H2O > NH3
B.熔點由高到低:金剛石>生鐵>純鐵>鈉
C.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅
D.晶格能由大到小:NaF> NaCl> NaBr>NaI
B

試題分析:B項:順序應為,金剛石>純鐵>生鐵 >鈉,故錯。故選B。
點評:本題考查的是熔點、硬度、晶格能的相關知識,需要注意的是合金的熔點會低于各組成成分的熔點。
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

碳化硅(SiC)的一種晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中C原子和Si原子的位置是交替的。在下列三種晶體:①金剛石 ②碳化硅 ③二氧化硅中,它們的熔點由高到低的順序是
A.①②③     B.①③②     C.③①②     D.②①③

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列化學式能真實表示物質(zhì)分子組成的是
A.NaOHB.SO3C.CsClD.SiO2

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列說法不正確的是(  ) 
A.HCl、HBr、HI的熔、沸點依次升高與分子間作用力大小有關
B.H2O的熔、沸點高于H2S是由于H2O分子之間存在氫鍵
C.甲烷可與水形成氫鍵
D.I2易溶于CCl4可以用相似相溶原理解釋

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列離子晶體中,熔點最低的是(   )
A.NaClB.KClC.CaOD.MgO

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

(6分)一種離子晶體的晶胞如右圖其中陽離子A以表示,陰離子B以表示。

(1)每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________,含B離子數(shù)目為________。
(2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學式是___________________;
(3)陽離子周圍距離最近的陰離子數(shù)為_____,陰離子周圍距離最近的陽離子數(shù)_____。
(4)已知A的離子半徑為r m,則該晶胞的體積是 ___________m3

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

金屬晶體的下列性質(zhì)中,不能用金屬晶體結(jié)構(gòu)加以解釋的是
A.易導電B.易導熱C.有延展性D.易銹蝕

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列關于金屬及金屬鍵的說法正確的是(  )
A.金屬鍵具有方向性和飽和性
B.金屬鍵是金屬陽離子與自由電子間的相互作用
C.金屬導電是因為在外加電場作用下產(chǎn)生自由電子
D.金屬具有光澤是因為金屬陽離子吸收并放出可見光

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列有關晶體的敘述中,不正確的是(   )
A.金剛石空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中,由共價鍵形成的碳原子環(huán)中,最小環(huán)上有6個碳原子
B.氯化鈉晶體中,每個Na周圍距離相等的Cl共有6個
C.氯化銫晶體中,每個CS周圍緊鄰8個Cl
D.干冰晶體中,每個CO2分子周圍緊鄰10個CO2分子

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