Question

       砷化鎵（GaAs）屬于第三代半導(dǎo)體，用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%。推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。

       試回答：

（1）As的核外電子排布式為                     。

（2）砷化鎵晶胞中所包含的Ga原子個(gè)數(shù)為          。

（3）下列說(shuō)法正確的是      （填字母）。

       A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同           B．第一電離能：As＞Ga

       C．電負(fù)性：As＞Ga                     D．砷化鎵晶體中含有配位鍵

       E．半導(dǎo)體GaP與GaAs互為等電子體

（4）砷化鎵是將（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法在700℃時(shí)制備得到。

AsH₃的空間形狀為               ，（CH₃）₃Ga中鎵原子的雜化方式為              。

（5）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其主要原因是      。

Answer 1

（1）1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p³或3d¹⁰4s²4p³（2分）

（2）4（3分）

（3）BCDE（3分，寫(xiě)對(duì)1個(gè)得0分，寫(xiě)對(duì)2～3個(gè)得2分，有錯(cuò)得0分）

（4）三角錐形（2分）    sp²（2分）

（5）NH₃分子間能形成氫鍵，而AsH₃分子間不能形成氫鍵（3分，沒(méi)有強(qiáng)調(diào)分子間氫鍵的得1分，回答分子內(nèi)氫鍵的得0分）