(2011?咸陽模擬)【化學(xué)--選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
四種常見元素的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表,試根據(jù)信息回答有關(guān)問題.
元素 A B C D
性質(zhì)
結(jié)構(gòu)
信息
基態(tài)原子核外有兩個(gè)電子層,最外層有3個(gè)未成對(duì)的電子 基態(tài)原子的M層有1對(duì)成對(duì)的p電子 基態(tài)原子核外電子排布為[Ar]3d104s2 有兩種常見氧化物,其中有一種是冶金工業(yè)常用的還原劑
(1)寫出B原子的基態(tài)電子排布式
1s22s22p63s23p4
1s22s22p63s23p4

(2)A元素的氫化物的沸點(diǎn)比同主族相鄰元素氫化物沸點(diǎn)
(填“高”或“低”),其原因是
因?yàn)锳的氫化物分子間存在氫鍵
因?yàn)锳的氫化物分子間存在氫鍵

(3)D元素最高價(jià)氧化物的熔點(diǎn)比同主族相鄰元素最高價(jià)氧化物的熔點(diǎn)
(填“高”或“低”);D元素在形成最簡單氫化物時(shí)所采取的雜化類型是
SP3
SP3

(4)A、B兩元素第一電離能
N
N
O
O
.(填元素符號(hào))
(5)C元素的原子能形成多種配合物.形成配合物的條件是:一方能夠提供孤對(duì)電子,另一方
能夠提供(接受孤對(duì)電子的)空軌道
能夠提供(接受孤對(duì)電子的)空軌道
分析:(1)根據(jù)基態(tài)電子排布式的書寫方法來回答;
(2)根據(jù)同族元素性質(zhì)的遞變規(guī)律結(jié)合物質(zhì)內(nèi)部分子之間的作用力來回答;
(3)根據(jù)分子的晶體類型來比較物質(zhì)的熔點(diǎn),根據(jù)甲烷的結(jié)構(gòu)來看雜化類型;
(4)根據(jù)原子結(jié)構(gòu)來判斷第一電離能的大;
(5)根據(jù)配合物的形成條件來回答.
解答:解:(1)B基態(tài)原子的M層有1對(duì)成對(duì)的p電子,即有兩個(gè)未成對(duì)的電子得到B原子的基態(tài)電子排布式為:1s22s22p63s23p4,故答案為:1s22s22p63s23p4;
(2)A的基態(tài)原子核外有兩個(gè)電子層,最外層有3個(gè)未成對(duì)的電子,得到A的基態(tài)電子排布式1s22s22p3,為N原子,其氫化物NH3的沸點(diǎn)比同主族相鄰元素氫化物PH3沸點(diǎn)高,因?yàn)榘睔夥肿娱g有氫鍵的緣故,故答案為:高;因?yàn)锳的氫化物分子間存在氫鍵;
(3)D有兩種常見氧化物,其中有一種是冶金工業(yè)常用的還原劑即一氧化碳,故D為C,最高價(jià)氧化物CO2的熔點(diǎn)比同主族相鄰元素最高價(jià)氧化物SiO2的熔點(diǎn)低,因?yàn)槎趸际欠肿泳w,二氧化硅是原子晶體的緣故;D的最簡單氫化物CH4為正四面體結(jié)構(gòu),所采取的雜化類型為SP3雜化,故答案為:低;SP3;
(4)根據(jù)原子的基態(tài)電子排布,N原子結(jié)構(gòu)中最外層p能級(jí)電子處于半滿狀態(tài),更穩(wěn)定,不易失去電子,故答案為:N>O; 
(5)配合物的形成條件:一方能夠提供孤對(duì)電子,另一方能夠提供(接受孤對(duì)電子的)空軌道,故答案為:能夠提供(接受孤對(duì)電子的)空軌道.
點(diǎn)評(píng):本題是一道結(jié)構(gòu)化學(xué)知識(shí)的題目,考查了學(xué)生基本知識(shí)的掌握程度,難度不大.
練習(xí)冊(cè)系列答案
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②過量的氫氣與少量的氮?dú)庠诖呋瘎┐嬖诤鸵欢l件下充分反應(yīng)
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