硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。
（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅：
Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃～500 ℃ 反應(yīng)制得SiCl4
Ⅲ.  SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1100 ℃～1200 ℃ 反應(yīng)制得純硅
已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6 ℃，能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
① 第Ⅰ步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                       ，第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是                                                   。
②整個(gè)制備純硅過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是          ；H2還原SiCl4過(guò)程中若混O2，可能引起的后果是        。
（2）二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44 kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示，則其中x＝         。

（1）① SiO2＋2CSi＋2CO↑
2H2(g)＋SiCl4(g)=== Si(s)＋4HCl(g)；ΔH＝+240.4 kJ·mol-1
② H2SiO3（或H4SiO4）和HCl   爆炸  
（2）4

解析

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．
（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備高純硅．
Ⅰ．高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；
Ⅱ．粗硅與干燥的氯氣在450～500℃條件下反應(yīng)制得SiCl4；
Ⅲ．SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1 100～1 200℃條件下反應(yīng)制得高純硅．
已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6℃，能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)．1mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2kJ．
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
①第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為
2H2（g）+SiCl4（g）
 1100-1200℃ 
.
 
Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
2H2（g）+SiCl4（g）
 1100-1200℃ 
.
 
Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
．
②整個(gè)制備純硅的過(guò)程中必須嚴(yán)格控制在無(wú)水無(wú)氧的條件下．SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
；H2還原SiCl4過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是
爆炸
爆炸
．
（2）二氧化硅被大量用于生產(chǎn)玻璃．工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3?CaSiO3?xSiO2表示，則其中x=
4
4
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2008?廣東）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅．三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式
SiHCl3+H2
 1357K 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 1357K 
.
 
Si+3HCl
．
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧．SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式
3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
；H2還原SiHCl3過(guò)程中若混O2，可能引起的后果是
高溫下，H2遇O2發(fā)生爆炸
高溫下，H2遇O2發(fā)生爆炸
．
（2）下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是
ABCD
ABCD
（填字母）．
A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水混
B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的，其熔點(diǎn)很高
D．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（3）硅酸鈉水溶液俗稱(chēng)水玻璃．取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩．寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋
生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng)，SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓
生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng)，SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．三氯硅烷（SiHCl3）還原法是目前工業(yè)制高純度硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程如下圖：
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根據(jù)題意完成下列備題：
（1）硅在元素周期表的位置
 
，其最外層有
 
種能量不同的電子．
（2）硅的氣態(tài)氫化物為SiH4，其空間構(gòu)型為
 
；三氯硅烷中某些元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性
 
＞
 
（填化學(xué)式）．
（3）寫(xiě)出三氯硅烷與氫氣反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)方程式：
 
．
（4）自然界中硅酸鹽種類(lèi)多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，通常用二氧化硅和金屬氧化物的形式來(lái)表示其組成．如正長(zhǎng)石（KALSi3O8），氧化物形式為：
 
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式____________________________。

②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式_________________；H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是_________________________。

（2）下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是__________________（填字母）。

A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

E.鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

（3）硅酸鈉水溶液俗稱(chēng)水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。

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