如下圖，是某晶體最小的結(jié)構(gòu)單元，其化學(xué)式是  （    ）

A．    B．x2y2z1      C．x3yz       D．x2y3z

A


解析:

此題采用延伸法：

頂點(diǎn)上的原子，被8個(gè)晶體所共用，對每一個(gè)晶體只提供

棱邊上的原子，被4個(gè)晶體所共用，對每一個(gè)晶體只提供

面心上的原子，被2個(gè)晶體所共用，對每一個(gè)晶體只提供

體心上的原子，被1個(gè)晶體所共用，對每一個(gè)晶體只提供1

據(jù)此：

化學(xué)式為

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（1）金屬鈦（22Ti） 將是繼銅、鐵、鋁之后人類廣泛使用的第四種金屬，寫出Ti元素的基態(tài)原子電子排布式為
1s22s22p63s23p63d44s2
1s22s22p63s23p63d44s2
；
（2）日常生活中廣泛應(yīng)用的不銹鋼，在其生產(chǎn)過程中添加了鉻元素，該元素基態(tài)原子未成對電子數(shù)為
6
6
．
（3）COCl2俗稱光氣，分子中C原子采取
sp2
sp2
雜化成鍵；其中碳氧原子之間的共價(jià)鍵含有
c
c
（填字母）：a．2個(gè)σ鍵；b．2個(gè)π鍵；c．1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵．
（4）①短周期某主族元素M的逐級電離能情況如下圖A所示，則M元素形成化合物時(shí)表現(xiàn)的主要化合價(jià)為
+2
+2
 價(jià)．
②第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如下圖B所示，其中序號“8”代表
Si
Si
（填元素符號）；其中電負(fù)性最大的是
2
2
（填圖B中的序號）．
（5）由C原子跟Si原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體Si相同．兩者相比熔點(diǎn)更高的是
SiC
SiC
（填化學(xué)式）試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋：
因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高
因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高
．
（6）在配合物Fe（SCN）2+中，提供空軌道接受孤對電子的微粒是
Fe3+
Fe3+
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

[化學(xué)一選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
一水硫酸四氨合銅（Ⅱ）（化學(xué)式為[Cu（NH3）4SO4?H2O]是一種重要的染料及農(nóng)藥中間體．某學(xué)習(xí)小組以孔雀石（主要成分為Cu2（OH）2CO3，含少量Fe2O3和SO2雜質(zhì)）為原料制備該物質(zhì)的流程如下圖：
精英家教網(wǎng)
請回答：
（1）沉淀A的晶體中最小環(huán)上的原子個(gè)數(shù)為
 
，氣體C分子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為
 
．
2）溶液D的溶質(zhì)陰離子的空間構(gòu)型為
 
，其中心原子的雜化軌道類型為
 
．
3）MgO的熔點(diǎn)高于CuO的原因?yàn)?!--BA-->
 
．
4）畫出一水硫酸四氨合銅（Ⅱ）中配離子（[Cu（NH3）4]2+）的配位鍵
 
．
（5）濕法煉銅就是利用溶液D制得銅單質(zhì)，銅單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖甲所示，其晶胞如圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖丙所示．
精英家教網(wǎng)
①銅單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為
 
，晶胞中Cu原子的配位數(shù)為
 
．
若Cu原子半徑為acm，則Cu單質(zhì)晶體的密度為
 
g/cm3（只列出計(jì)算式，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA）．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【化學(xué)一選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）

現(xiàn)有六種元素，其中A、B、C、D為短周期主族元素，E、F為第四周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大。請根據(jù)下列相關(guān)信息，回答問題．

A元素原子的核外p電子總數(shù)比s電子總數(shù)少1

B元素原子核外s電子總數(shù)與p電子總數(shù)相等，且不與A元素在同一周期

C原子核外所有p軌道全滿或半滿

D元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4

E是前四周期中電負(fù)性最小的元素

F在周期表的第七列

（1）A基態(tài)原子中能量最高的電子，其電子云在空間有    個(gè)方向，原子軌道呈

      形

（2）某同學(xué)根據(jù)上述信息，所畫的B電子排布圖如圖

違背了                 原理。

（3）F位于          族       區(qū)，其基態(tài)原子有      種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。

（4）CD3 中心原子的雜化方式為     ，用價(jià)層電子對互斥理論推測其分子空間構(gòu)型為        ．檢驗(yàn)E元素的方法是               

（5）若某金屬單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示，其晶胞特征如下圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示。則晶胞中該原子的配位數(shù)為           ，該單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為四種基本堆積方式中的        ．

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2010-2011學(xué)年山西省太原市高三模擬（二）（理綜）化學(xué)部分 題型：填空題

（15分）現(xiàn)有七種元素，其中A、B、C、D、E為短周期主族元素，F(xiàn)、G為第四周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大。請根據(jù)下列相關(guān)信息，回答問題．

A元素的核外電子數(shù)和電子層數(shù)相等，也是宇宙中最豐富的元素

B元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1

C原子的第一至第四電離能分別是:

 I1=738kJ/mol  I2 = 1451 kJ/mol  I3 = 7733kJ/mol  I4 = 10540kJ/mol

D原子核外所有p軌道全滿或半滿

E元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4

F是前四周期中電負(fù)性最小的元素

G在周期表的第七列

⑴已知BA5  為離子化合物，寫出其電子式            ．

⑵B基態(tài)原子中能量最高的電子，其電子云在空間有    個(gè)方向，原子軌道呈       形

⑶某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷C基態(tài)原子的核外電子排布為：

該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了                  ．

⑷G位于           族       區(qū)，價(jià)電子排布式為                 ．

⑸DE3 中心原子的雜化方式為      ，用價(jià)層電子對互斥理論推測其空間構(gòu)型為         ．

⑹檢驗(yàn)F元素的方法是                ，請用原子結(jié)構(gòu)的知識解釋產(chǎn)生此現(xiàn)象的原因是                                                     ．

⑺若某單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示，其晶胞特征如下圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示。則晶胞中該原子的配位數(shù)為            ，該單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為四種基本模式中的         ．

 

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