已知：A、B為常見的非金屬單質(zhì)且均為氣體；甲、乙為金屬單質(zhì)，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下(部分生成物未給出，且未注明反應(yīng)條件)：

（1）請(qǐng)寫出下列物質(zhì)的化學(xué)式C__________、乙_____________；

（2）分別寫出反應(yīng)④⑥的化學(xué)方程式__________、________________。

（1）NH3 、 Al (每空2分)

(2) 3NO2＋H2O===2HNO3＋NO（2分）

2NaOH + 2Al + 6H2O === 2Na[Al(OH)4]+3H2↑（2分）


解析:

略

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

已知：A、B為常見的非金屬單質(zhì)且均為氣體；甲、乙為金屬單質(zhì)，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下（部分生成物未給出，且未注明反應(yīng)條件）：

（1）寫出反應(yīng)②的化學(xué)方程式
4NH3+5O2
 催化劑 
.
 
4NO+6H2O
4NH3+5O2
 催化劑 
.
 
4NO+6H2O

（2）反應(yīng)④中每消耗1mol G，轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為
2
3
mol
2
3
mol
．
（3）反應(yīng)⑥的離子方程式是
2Al+2H2O+2OH-═2AlO2-+3H2↑
2Al+2H2O+2OH-═2AlO2-+3H2↑
．
（4）實(shí)驗(yàn)室中保存I的方法是
保存在棕色試劑瓶中，放在陰涼處
保存在棕色試劑瓶中，放在陰涼處
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

已知：A、B為常見的非金屬單質(zhì)且均為氣體；甲、乙為金屬單質(zhì)，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下（部分生成物未給出，且未注明反應(yīng)條件）：
（1）請(qǐng)寫出下列物質(zhì)的化學(xué)式C
NH3
NH3
、乙
Al
Al
；
（2）分別寫出反應(yīng)④⑥的化學(xué)方程式
3NO2+H2O═2HNO3+NO
3NO2+H2O═2HNO3+NO
、
2NaOH+2Al+6H2O═2Na[Al（OH）4]+3H2↑
2NaOH+2Al+6H2O═2Na[Al（OH）4]+3H2↑
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2012?開封一模）已知：A、B為常見的非金屬單質(zhì)且均為氣體；甲、乙為金屬單質(zhì)，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下（部分生成物未給出，且未注明反應(yīng)條件）：
（1）寫出反應(yīng)②的化學(xué)方程式
4NH3+5O2
催化劑
.
△
4NO+6H2O
4NH3+5O2
催化劑
.
△
4NO+6H2O
．
（2）反應(yīng)④中每消耗1mol G，轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為
2
3
mol
2
3
mol
．
（3）反應(yīng)⑥的離子方程式是
2Al+2H2O+2OH-═2AlO2-+3H2↑
2Al+2H2O+2OH-═2AlO2-+3H2↑
．
（4）寫出工業(yè)冶煉金屬乙的化學(xué)方程式
2Al2O3（熔融）
   電解   
.
冰晶石
4Al+3O2↑
2Al2O3（熔融）
   電解   
.
冰晶石
4Al+3O2↑
．
（5）實(shí)驗(yàn)室中保存I的方法是
保存在棕色試劑瓶中，放在陰涼處
保存在棕色試劑瓶中，放在陰涼處
．
（6）SiCl4與過量A在加熱條件下反應(yīng)可制得高純硅，整個(gè)制備純硅的過程中必須嚴(yán)格控制無水無氧．SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
；H2還原SiCl4過程中若混入O2，可能引起的后果是
爆炸
爆炸
．

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科目：高中化學(xué) 來源：2010-2011學(xué)年陜西省、西工大附中高三第七次適應(yīng)性訓(xùn)練（理綜）化學(xué)部分 題型：填空題

（13分）已知：A、B為常見的非金屬單質(zhì)且均為氣體；甲、乙為金屬單質(zhì)，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下(部分生成物未給出，且未注明反應(yīng)條件)：

⑴寫出反應(yīng)②的化學(xué)方程式                                              。

⑵反應(yīng)④中每消耗1 mol G，轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為                    。

⑶反應(yīng)⑥的離子方程式是                                               。

⑷寫出工業(yè)冶煉金屬乙的化學(xué)方程式                                     。

⑸實(shí)驗(yàn)室中保存I的方法是                                             。

⑹SiCl4與過量A在加熱條件下反應(yīng)可制得高純硅，整個(gè)制備純硅的過程中必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是      ；H2還原SiCl4過程中若混入O2，可能引起的后果是                。

 

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