Question

已知A、B、C、D、E都是元素周期表中的前四周期元素，它們?cè)�子序�?shù)的大小關(guān)系為A＜C＜B＜D＜E．又知A原子的p軌道為半充滿，其形成的簡(jiǎn)單氫化物的沸點(diǎn)是同主族非金屬元素的氫化物中最高的．D原子得到一個(gè)電子后其3p軌道將全充滿．B⁺離子比D原子形成的離子少一個(gè)電子層．C與B可形成BC型的離子化合物．E的原子序數(shù)為29．
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）元素A簡(jiǎn)單氫化物中A原子的雜化類型是

 

，B、C、D的電負(fù)性由小到大的順序?yàn)?div id="sq3ehlg" class='quizPutTag' contenteditable='true'> 

（用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）．C的氣態(tài)氫化物易溶于水的原因是

 

．
（2）E原子的基態(tài)電子排布式為

 

．元素E的單質(zhì)晶體在不同溫度下可有兩種堆積方式，晶胞分別如圖a和b所示，則其面心立方堆積的晶胞與體心立方堆積的晶胞中實(shí)際含有的E原子的個(gè)數(shù)之比為

 

．
（3）實(shí)驗(yàn)證明：KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似（如圖所示），其中3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表：

離子晶體	NaCl	KCl	CaO
晶格能/kJ?mol-1	786	715	3401

則該4種離子晶體（不包括NaCl）熔點(diǎn)從高到低的順序是：

 

．
（4）金屬陽(yáng)離子含未成對(duì)電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好．離子型氧化物V₂O₅和CrO₂中，適合作錄音帶磁粉原料的是

 

．

Answer 1

考點(diǎn)：位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用,晶胞的計(jì)算

專題：元素周期律與元素周期表專題,化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：A、B、C、D、E都是元素周期表中的前四周期元素，A原子的p軌道半充滿，外圍電子排布為nS²nP³，處于ⅤA族，形成的氫化物的沸點(diǎn)是同主族非金屬元素氫化物中最高的，則A為N元素；D原子得到一個(gè)電子后3p軌道全充滿，原子的電子排布式應(yīng)為1S²2S²2P⁶3S²3P⁵，為Cl元素；B⁺比D原子形成的離子少一個(gè)電子層，則B應(yīng)為Na元素；C與B形成BC型離子化合物，則C應(yīng)為第Ⅶ主族元素，根據(jù)原子序數(shù)A＜C＜B＜D＜E可知C為F元素；E的原子序數(shù)為29，為Cu元素，
（1）元素A簡(jiǎn)單氫化物是NH₃，計(jì)算N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)，確定其雜化方式；
同周期隨原子序數(shù)遞增電負(fù)性增大，同主族自上而下電負(fù)性減�。�
根據(jù)氫鍵分析HF易溶于水；
（2）根據(jù)能量最低原理書寫核外電子排布式；用均攤法計(jì)算圖a和b中的Cu原子；
（3）晶格能越大熔點(diǎn)越高；
（4）V₂O₅中V 沒(méi)有未成對(duì)電子，CrO₂中Cr含有2個(gè)未成對(duì)電子．

解答： 解：A、B、C、D、E都是元素周期表中的前四周期元素，A原子的p軌道半充滿，外圍電子排布為nS²nP³，處于ⅤA族，形成的氫化物的沸點(diǎn)是同主族非金屬元素氫化物中最高的，則A為N元素；D原子得到一個(gè)電子后3p軌道全充滿，原子的電子排布式應(yīng)為1S²2S²2P⁶3S²3P⁵，為Cl元素；B⁺比D原子形成的離子少一個(gè)電子層，則B應(yīng)為Na元素；C與B形成BC型離子化合物，則C應(yīng)為第Ⅶ主族元素，根據(jù)原子序數(shù)A＜C＜B＜D＜E可知C為F元素；E的原子序數(shù)為29，為Cu元素，據(jù)此解答．
（1）元素A簡(jiǎn)單氫化物是NH₃，N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+

5-1×3

2

=4，故NH₃中N采取sp³雜化；
同周期隨原子序數(shù)遞增電負(fù)性增大，同主族自上而下電負(fù)性減小，故電負(fù)性Na＜Cl＜F；
HF與水分子之間能形成氫鍵，而易溶于水，
故答案為：sp³；Na＜Cl＜F；HF與水分子之間能形成氫鍵；
（2）E為Cu，原子核外電子數(shù)為29，根據(jù)能量最低原理，核外電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s¹，
由晶胞結(jié)構(gòu)可知，圖a為體心立方堆積晶胞，晶胞中Cu原子數(shù)目=1+8×

1

8

=2，圖b為面心立方堆積晶胞，晶胞中Cu原子數(shù)目=8×

1

8

+6×

1

2

=4，則其面心立方堆積的晶胞與體心立方堆積的晶胞中實(shí)際含有的Cu原子的個(gè)數(shù)之比為4：2=2：1，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s¹；2：1；
（3）KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似，TiN中離子都帶3個(gè)單位電荷，MgO、CaO中離子都帶2個(gè)單位電荷，KCl中離子都帶1個(gè)單位電荷，離子半徑Cl^-＜O^2-＜N^3-，Mg²⁺＜Ca²⁺＜K⁺，高價(jià)化合物的晶格能遠(yuǎn)大于低價(jià)離子化合物的晶格，晶格能TiN＞MgO＞CaO＞KCl，故熔點(diǎn)TiN＞MgO＞CaO＞KCl，
故答案為：TiN＞MgO＞CaO＞KCl；
（4）V₂O₅中V 沒(méi)有未成對(duì)電子，CrO₂中Cr含有2個(gè)未成對(duì)電子，故CrO₂適合作錄音帶磁粉原料，
故答案為：CrO₂．

點(diǎn)評(píng)：本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及元素推斷題、核外電子排布、電負(fù)性、熔點(diǎn)高低比較、晶胞計(jì)算等，推斷出元素的種類是解答本題的關(guān)鍵，難度中等，注意理解晶格能的影響因素．