下列關(guān)于化學(xué)用語(yǔ)的表述正確的是
A.原子核內(nèi)有8個(gè)中子的碳原子
B.基態(tài)氧原子核外電子的軌道表示式:
C.HClO的結(jié)構(gòu)式為H-Cl-O
D.Ca2+的結(jié)構(gòu)示意圖為,NH4Cl的電子式為
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年河北省高一下7.3周考化學(xué)試卷(解析版) 題型:實(shí)驗(yàn)題
晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用過量的碳還原二氧化硅制得粗硅,同時(shí)得到一種可燃性氣體;
② 粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiCl3(Si+ 3HClSiCl3 + H2)
③ SiHC13與過量的H2在1100~1200℃的溫度下反應(yīng)制得純硅,已知SiHCi3。能與水劇烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答:
(1)第一步制取粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_________。
(2)粗硅與HCl氣體反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃ )中含有少量SiC14 (沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHC13采用的方法為________。
(3)實(shí)驗(yàn)室用SiHCl3 與過量的H2反應(yīng)制取純硅裝置如圖所示(加熱和夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是___________,裝置C中的燒杯需要加熱,目的是___________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是___________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是___________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是___________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及___________。
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年江蘇省高一創(chuàng)新班下期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
下列各式中,屬于正確的電離方程式的是( )
A.HCO3-+H2OH2CO3+OH-
B.HS-+H2OS2-+H3O+
C.HCO3-+OH-H2O+CO32-
D.H3PO43H++PO43+
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年四川成都外國(guó)語(yǔ)學(xué)校高一下期末理科化學(xué)卷(解析版) 題型:選擇題
長(zhǎng)式周期表共有18個(gè)縱行,從左到右排為1﹣18列,即堿金屬為第一列,稀有氣體元素為第18列。按這種規(guī)定,下列說法正確的是
A. 第9列元素中沒有非金屬元素
B. 只有第二列的元素原子最外層電子排布為ns2
C. 第四周期第9列元素是鐵元素
D. 第10、11列為ds區(qū)
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年四川成都外國(guó)語(yǔ)學(xué)校高一下期末理科化學(xué)卷(解析版) 題型:選擇題
如圖是Fe和Cu形成的原電池,某實(shí)驗(yàn)興趣小組做完實(shí)驗(yàn)后,在讀書卡片上記錄如下,其中正確的是
①Fe為正極,Cu為負(fù)極;
②H+向負(fù)極移動(dòng);
③電子是由Fe經(jīng)外電路流向Cu;
④Cu極上有H2產(chǎn)生;
⑤若有1 mol電子流過導(dǎo)線,則產(chǎn)生的H2為11.2L;
⑥負(fù)極的電極反應(yīng)式為Fe-3e-===Fe3+
A.①②③ B.③④ C.③④⑤ D.③④⑥
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年浙江省高一下期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:簡(jiǎn)答題
元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途,請(qǐng)根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識(shí)回答下列問題:
(1)按原子序數(shù)遞增的順序(稀有氣體除外),以下說法正確的是
a.原子半徑和離子半徑均減小
b.金屬性減弱,非金屬性增強(qiáng)
c.氧化物對(duì)應(yīng)的水化物堿性減弱,酸性增強(qiáng)
d.單質(zhì)的熔點(diǎn)降低
(2)原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為 ,氧化性最弱的簡(jiǎn)單陽(yáng)離子是 。
(3)已知:
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
類型 | 離子化合物 | 離子化合物 | 離子化合物 | 共價(jià)化合物 |
熔點(diǎn)/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工業(yè)制鎂時(shí),電解MgCl2而不電解MgO的原因是 ;
制鋁時(shí),電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是 。
(4)晶體硅(熔點(diǎn)1410 ℃)是良好的半導(dǎo)體材料。由粗硅制純硅過程如下:
寫出SiCl4的電子式: ;在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中,測(cè)得每生成1.12 kg純硅需吸收a kJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:
(5)P2O5是非氧化性干燥劑,下列氣體不能用濃硫酸干燥,可用P2O5干燥的是
a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2
(6)KClO3可用于實(shí)驗(yàn)室制O2,若不加催化劑,400 ℃時(shí)分解只生成兩種鹽,其中一種是無氧酸鹽,另一種鹽的陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1∶1。寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:
(7)工業(yè)上,通過如下轉(zhuǎn)化可制得KClO3晶體:
完成Ⅰ中反應(yīng)的總化學(xué)方程式:
Ⅱ該反應(yīng)過程能析出KClO3晶體而無其他晶體析出的原因是 。
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年浙江省高一下期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
某天然拒食素具有防御非洲大群蚯蚓的作用,其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖所示(未表示出原子或原子團(tuán)的空間排列)。該拒食素與下列某試劑充分反應(yīng),所得有機(jī)物分子的官能團(tuán)數(shù)目增加,則該試劑是
A.Br2的CCl4溶液 B.Ag(NH3)2OH溶液
C.HBr D.H2
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年浙江省高二下期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
下列說法正確的是
A.0.2 mol/LCH3COOH溶液加水稀釋,CH3COO- 數(shù)目增多c(OH-)減少
B.室溫時(shí)某溶液的pH<7,則該物質(zhì)一定是酸或強(qiáng)酸弱堿鹽
C.某溫度下,pH=11的NH3·H2O和pH=1的鹽酸等體積混合后(不考慮混合后溶液體積的變化)恰好完全反應(yīng),反應(yīng)后的溶液中NH4+、NH3·H2O與NH3三種微粒的平衡濃度之和為0.05mol·Lˉ1
D.pH=3的鹽酸與pH=11的氨水混合,若溶液顯中性,則V(鹽酸)<V(氨水)
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年浙江省高二下期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
現(xiàn)有一裝置如圖所示(G表示電流計(jì)),下列有關(guān)說法不正確的是:
A.該裝置將化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能
B.Zn是負(fù)極,發(fā)生還原反應(yīng)
C.電子由鋅片通過導(dǎo)線流向銅片
D.銅片上發(fā)生的反應(yīng)為 2H++2e-=H2↑
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