A.單質(zhì)A晶體的熔沸點(diǎn)高,硬度較大?
B.A常見的化合物為+4價(jià)?
C.A的高價(jià)氧化物的水化物H2AO3的酸性比碳酸的酸性強(qiáng)?
D.A單質(zhì)是良好的半導(dǎo)體材料?
解析:K電子層為2個(gè)電子,則A原子M層應(yīng)有4個(gè)電子,L層一定達(dá)到飽和為8個(gè)電子,因此可確定A的原子結(jié)構(gòu)為:。由結(jié)構(gòu)推知A元素在周期表中的位置,即第3周期ⅣA族元素。A的原子序數(shù)為14,應(yīng)是硅元素。硅的結(jié)構(gòu)類似金剛石,熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都很高,硬度也很大。硅的常見化合價(jià)為+4,它的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間,是良好的半導(dǎo)體材料。Si在碳的下一周期,元素的非金屬性比碳的非金屬性弱,所以Si形成的H2SiO3的酸性比H2CO3要弱,不可能比H2CO3強(qiáng)。
答案:C
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科目:高中化學(xué) 來源:活題巧解巧練·高一化學(xué)(下) 題型:013
某元素A的原子M電子層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍,推測(cè)A不具有的性質(zhì)是
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A.單質(zhì)A晶體的熔沸點(diǎn)高,硬度大
B.A常見的化合價(jià)為+4價(jià)
C.A的最高價(jià)氧化物的水化物H2AO3的酸性比碳酸的酸性強(qiáng)
D.A單質(zhì)是良好的半導(dǎo)體材料
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
某元素A的原子M電子層上的電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍,推測(cè)A不可能具有的性質(zhì)是( 。?
A.單質(zhì)A晶體的熔沸點(diǎn)高,硬度較大?
B.A常見的化合物為+4價(jià)?
C.A的高價(jià)氧化物的水化物H2AO3的酸性比碳酸的酸性強(qiáng)?
D.A單質(zhì)是良好的半導(dǎo)體材料?
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
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