【題目】A、B、C、D、E為前四周期元素,原子序數(shù)依次增大。基態(tài)A原子的核外電子占據(jù)4個原子軌道;B與C同主族,大氣平流層中單質(zhì)B3濃度減少會致人患皮膚癌增加;D是前四周期元素中第一電離能最小的元素;E的合金是當今用量最大的合金。
(1)E在同期表中的位置是_______,其基態(tài)原子的簡化電子排布式為____________。
(2)CB的立體構(gòu)型是______。
(3)D2C的晶胞結(jié)構(gòu)與CaF2晶胞(如圖)相似,則Y應為____(填離子符號);D2C的熔點比CaF2熔點__________________(填“高”、“低”或“無法比較”)。
【答案】第四周期VIII族 [Ar]3d64s2 三角錐型 S2- 低
【解析】
根據(jù)題目所述,A基態(tài)原子的核外電子占據(jù)4個原子軌道,只能為1s22s22p2,A為碳元素。大氣平流層中單質(zhì)B3濃度減少會致人患皮膚癌增加,故B元素為氧元素。D是前四周期元素中第一電離能最小的元素,同周期元素,從左到右,第一電離能逐漸增大,D元素為鉀元素。E的合金是當今用量最大的合金,E為鐵元素。又因為B、C為同主族元素,C只能為硫元素。結(jié)合物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識解答。
(1)E在同期表中的位置是第四周期,VIII族,其基態(tài)原子的簡化電子排布式為 [Ar]3d64s2。故答案為:第四周期VIII族;[Ar]3d64s2;
(2)CB為SO32-,中心原子為S,價層電子對數(shù)為4,含有一對孤電子對,硫原子采取sp3,雜化所以其立體構(gòu)型是三角錐型。
故答案為:三角錐型;
(3)根據(jù)圖中所示,晶胞計算后可知,Y:X=2:1,即Y為C,X為D元素。通過題目解析可知,C為硫元素,故Y應為S2-。D2C為K2S,與CaF2都為離子晶體,所以其熔點高低取決于化合物之間的離子鍵強度,離子鍵強度高,熔點高。離子鍵強度的決定因素:①.離子帶電荷越大,離子鍵越強。②.離子半徑越小,離子鍵越強。③.形成離子鍵兩鍵結(jié)原子的電負性差較大者,離子鍵較強。這里CaF2的電負性差較大,故CaF2熔點高。
故答案為:S2-;低。
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【題目】某溫度下,體積和pH都相同的NaOH溶液與CH3COONa溶液加水稀釋時的pH變化曲線如圖所示,下列判斷正確的是( )
A. c點的溶液中c(OH)+c(CH3COOH)=c(H+)
B. a、b兩點溶液的導電性:a>b
C. b、c兩點溶液中水的電離程度:b=c
D. 用相同濃度的鹽酸分別與等體積的b、c處溶液恰好完全反應,消耗鹽酸的體積:Vb=Vc
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【題目】VIA族的氧,硫,硒(Se),碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______。
(2)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______。
(3)H2Se的酸性比H2S__________(填“強”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______,SO32-離子的立體構(gòu)型為______。
(4)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:__________。
②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:________________________。
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【題目】實驗室所用少量氯氣是用下列方法制取的:4HCl(濃)+MnO2Cl2↑+MnCl2+2H2O,試回答下列問題:
(1)該反應中氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量比為:__。
(2)寫出該反應的離子方程式:___。
(3)當有0.2mol電子轉(zhuǎn)移時,生成標準狀況下Cl2的體積是___L。
(4)若用足量二氧化錳與50ml36.5%1.2g/ml濃鹽酸反應,制得的Cl2在標準狀況下總小于3.36L,原因可能是①__,②__。
(5)檢驗氯氣是否收集滿的方法是用___試紙靠近集氣瓶口,若試紙變藍證明氯氣已收集滿。
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【題目】請按所給的要求,回答下列問題:
(1)BC13和NC13中心原子的雜化方式分別為______和____。第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有______種。
(2)F-、K+和Fe3+三種離子組成的化合物K3FeF6,其中化學鍵的類型有______;該化合物中存在一個復雜的離子該離子的化學式為______,作配位體的原子是______;
(3)HCHO分子中既含σ 鍵又含π鍵______(填“正確”或“錯誤”) 。
(4)下列物質(zhì)變化,只與范德華力有關(guān)的是(______)
A 干冰升華 B 乙醇汽化 C 乙醇與丙酮混溶 D 氯化鈉溶于水 E 碘溶于四氯化碳 F 石英熔融
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【題目】向100mL FeI2溶液中逐漸通入Cl2(溶液體積變化忽略不計),生成I2、Fe3+的物質(zhì)的量隨通入Cl2的物質(zhì)的量的變化如圖所示,下列說法錯誤的是( )
A.還原性強弱:Fe2+<I-
B.n(Cl2)=0.05mol時,溶液中I-的物質(zhì)的量濃度為0.1mol·L-1
C.若n(Cl2):n(FeI2)=6:5,反應的離子方程式為2Fe2++10I-+6Cl2=5I2+2Fe3++12Cl-
D.n(Cl2)=0.12mol時,溶液中的離子主要有Fe3+、Cl-
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【題目】分枝酸可用于生化研究。其結(jié)構(gòu)簡式如圖。下列關(guān)于分枝酸的敘述正確的是
A. 分子中含有2種官能團
B. 可與乙醇、乙酸反應,且反應類型相同
C. 1mol分枝酸最多可與3molNaOH發(fā)生中和反應
D. 可使溴的四氯化碳溶液、酸性高錳酸鉀溶液褪色,且原理相同
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【題目】高純度晶硅是典型的無機非金屬材料,又稱“半導體”材料,它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機的一場“革命”。它可以按下列方法制備如下所示,下列說法正確的是
SiO2Si(粗)SiHCl3Si(純)
A.步驟①的化學方程式為:SiO2+CSi+CO2↑
B.灼燒熔融的Na2CO3固體,可用石英坩堝
C.二氧化硅能與氫氟酸反應,而硅不能與氫氟酸反應
D.SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量的SiCl4(沸點67.6℃),通過蒸餾(或分餾)可提純SiHCl3
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【題目】在2 L的密閉容器內(nèi),800℃時反應2NO(g)+O2(g)2NO2(g)體系中,n(NO)隨時間的變化如表:
時間(s) | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
n(NO)(mol) | 0.020 | 0.010 | 0.008 | 0.007 | 0.007 | 0.007 |
(1)寫出該反應的平衡常數(shù)表達式:K=___________________________。已知:K300℃>K350℃,則該反應是______熱反應。
(2)下圖表示NO2變化的曲線是____。用O2表示從0~2 s內(nèi)該反應的平均速率v=_________。
(3)能說明該反應已達到平衡狀態(tài)的是________。
a.v(NO2)=2v(O2) b.容器內(nèi)壓強保持不變
c.v逆(NO)=2v正(O2) d.容器內(nèi)密度保持不變
(4)為使該反應的反應速率增大,且平衡向正反應方向移動的是________!
a.及時分離出NO2氣體 b.適當升高溫度
c.增大O2的濃度 d.選擇高效催化劑
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