下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個(gè)頂角

B.最小的環(huán)上,有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子

C.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2

D.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子

D


解析:

二氧化硅是原子晶體,結(jié)構(gòu)為空間網(wǎng)狀,存在硅氧四面體結(jié)構(gòu),硅處于中心,氧處于4個(gè)頂角所以A項(xiàng)錯(cuò)誤;在SiO2晶體中,每6個(gè)Si和6個(gè)O形成一個(gè)12元環(huán)(最小環(huán)),所以D對,B、C都錯(cuò)誤!

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相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2010?湖北)下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個(gè)頂角

B.最小的環(huán)上,有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子

C.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2

D.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子

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科目:高中化學(xué) 來源:2010-2011學(xué)年黑龍江省雞西市高三第二次模擬考試化學(xué)試卷 題型:選擇題

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個(gè)頂角

B.最小的環(huán)上,有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子

C.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2

D.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2012屆福建省高二3月月考化學(xué)試卷 題型:選擇題

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個(gè)頂角

B.最小的環(huán)上,有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子

C.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2

D.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子

 

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