Question

【題目】如圖所示是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序，其中c，d均是熱和電的良導(dǎo)體。下列說法不正確的是

A.e、f單質(zhì)晶體熔化時(shí)克服的是共價(jià)鍵

B.d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式：1s22s22p63s23p2

C.b元素形成的氣態(tài)氫化物易與水分子之間形成氫鍵

D.單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1：1：1形成的分子中含2個(gè)σ鍵，2個(gè)π鍵

Answer 1

【答案】B

【解析】

Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)中，Na、Cu為金屬晶體，均是熱和電的良導(dǎo)體，C、Si的單質(zhì)為原子晶體，且C單質(zhì)的熔沸點(diǎn)大于Si原子晶體的熔點(diǎn)，H、N對(duì)應(yīng)的單質(zhì)為分子晶體，其中氫氣的熔點(diǎn)最低，由圖熔點(diǎn)的高低順序可知a為H，b為N，c為Na，d為Cu，e為Si，f為C。

A選項(xiàng)，e為Si，f為C，對(duì)應(yīng)的單質(zhì)為原子晶體，存在共價(jià)鍵，熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵，故A正確；

B選項(xiàng)，d為Cu，銅單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式：1s22s22p63s23p23d104s1，故B錯(cuò)誤；

C選項(xiàng)，b為N，N元素形成的氣態(tài)氫化物氨氣，易與水分子之間形成氫鍵，故C正確；

D選項(xiàng)，單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1:1:1形成的分子為HCN，結(jié)構(gòu)式為HC≡N，分子中含2個(gè)σ鍵，2個(gè)π鍵，故D正確；

綜上所述，答案為B。