氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域中有重要用途.

Ⅰ.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,常見的方法:

方法一 直接氮化法:在1 300~1 400℃時(shí),高純粉狀硅與純氮?dú)饣,其反?yīng)方程式為______.
方法二 化學(xué)氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮?dú)、氫氣反?yīng)生成氮化硅和HCl,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是______.
方法三 Si(NH24熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si3N4和一種氣體______(填分子式);然后使Si(NH24受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為______.
Ⅱ.(1)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng),但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,此鹽中存在的化學(xué)鍵類型有______.
(2)已知:25℃,101kPa條件下的熱化學(xué)方程式:
3Si(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=-750.2kJ/mol 、
Si(s)+2C12(g)═SiCl4(g)△H=-609.6kJ/mol  ②
數(shù)學(xué)公式H2(g)+數(shù)學(xué)公式C12(g)═HCl(g)△H=-92.3kJ/mol 、
請(qǐng)寫出四氯化硅氣體與氮?dú)、氫氣反?yīng)的熱化學(xué)方程式:______.
Ⅲ.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:


已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng),Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng),Z的焰色呈黃色.
(1)原料B的主要成分是______(填化學(xué)式).
(2)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式:______.
(3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí),陽極材料能否用Cu?______(填“能”或“不能”).寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時(shí)間陰、陽極的電極反應(yīng)方程式.陽極:______;陰極:______.

解:Ⅰ、方法一、硅與氮?dú)夥磻?yīng)生成氮化硅,反應(yīng)方程式為:3Si+2N2Si3N4,
故答案為:3Si+2N2Si3N4;
方法二、方法一所得到的產(chǎn)品中混有單質(zhì)硅,而方法二除產(chǎn)品是固體,其他物質(zhì)均為氣體,故方法二得到氮化硅純度較高,
故答案為:方法一所得到的產(chǎn)品中混有單質(zhì)硅,而方法二除產(chǎn)品是固體,其他物質(zhì)均為氣體;
方法三、四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH24與一種氣體,反應(yīng)中四氯化硅與氨氣按1:4反應(yīng),故生成氣體中Cl原子與H原子數(shù)目之比為4:(4×3-2×4)=1:1,故生成氣體為HCl;
Si(NH24分解生成Si3N4與一種氣體,則Si(NH24與Si3N4按3:1進(jìn)行,故生成氣體中含有N、H原子,二者數(shù)目之比為(4×3-4):2×4×3=8:24=1:3,故該氣體為NH3,
故答案為:HCl;NH3;
Ⅱ、(1)氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,該銨鹽是NH4F,含有離子鍵、共價(jià)鍵,
故答案為:離子鍵、共價(jià)鍵;
(2)已知:3Si(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=-750.2kJ/mol ①
Si(s)+2C12(g)═SiCl4(g)△H=-609.6kJ/mol ②
H2(g)+C12(g)═HCl(g)△H=-92.3kJ/mol ③
根據(jù)蓋斯定律,①-②×3+③×12得:3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)=Si3N4(g)+12HCl(g);△=-29.0kJ/mol,
故答案為:3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)=Si3N4(g)+12HCl(g);△=-29.0kJ/mol;
Ⅲ、原料B與碳得到粗產(chǎn)品與X反應(yīng),生成SiCl4,則X為氯氣,原料B與碳得到粗產(chǎn)品為Si,故B為SiO2.Y與氯氣在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng),且與SiCl4反應(yīng)得到高純度Si,則Y為氫氣.Z的焰色呈黃色,含有Na元素,電解A得到氫氣、氯氣與Z,則Z為NaOH、A為NaCl,
(1)由上述分析可知,原料B的主要成分是SiO2,
故答案為:SiO2;
(2)焦炭與SiO2反應(yīng)生成Si與CO,反應(yīng)方程式為:SiO2+2CSi+2CO↑,
故答案為:SiO2+2CSi+2CO↑;
(3)上述生產(chǎn)流程中電解NaCl的水溶液時(shí),陽極氯離子放電生成氯氣,陽極材料若為Cu,則Cu放電,氯離子不能放電生成氯氣,故陽極材料不能為Cu;
Cu為陽極電解NaCl的水溶液開始一段時(shí)間,陽極Cu放電生成銅離子,陽極電極反應(yīng)式為:Cu-2e-=Cu2+,
陰極水放電生成氫氣與氫氧根離子,陰極電極反應(yīng)式為:2H2O+2e-=H2↑+2OH-,
故答案為:不能;Cu-2e-=Cu2+;2H2O+2e-=H2↑+2OH-
分析:Ⅰ、方法一、硅與氮?dú)夥磻?yīng)生成氮化硅;
方法二、方法一所得到的產(chǎn)品中混有單質(zhì)硅,而方法二除產(chǎn)品是固體,其他物質(zhì)均為氣體;
方法三、根據(jù)原子守恒判斷四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成的氣體;
根據(jù)原子守恒判斷Si(NH24分解生成的氣體;
Ⅱ、(1)氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,該銨鹽是NH4F;
(2)根據(jù)蓋斯定律書寫目標(biāo)熱化學(xué)方程式;
Ⅲ、原料B與碳得到粗產(chǎn)品與X反應(yīng),生成SiCl4,則X為氯氣,原料B與碳得到粗產(chǎn)品為Si,故B為SiO2.Y與氯氣在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng),且與SiCl4反應(yīng)得到高純度Si,則Y為氫氣.Z的焰色呈黃色,含有Na元素,電解A得到氫氣、氯氣與Z,則Z為NaOH、A為NaCl,據(jù)此解答.
點(diǎn)評(píng):本題考查對(duì)信息的提取利用、常用化學(xué)用語、無機(jī)物推斷、電解原理等,難度中等,(3)中推斷物質(zhì)是解題的關(guān)鍵,有助于學(xué)生能力的考查,必須活學(xué)活用才能解好這類試題.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2012?梧州模擬)氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料,它可通過以下反應(yīng)制得:3SiO2+6C+2N2
 高溫 
.
 
Si3N4+6CO,有關(guān)說法不正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2013?普陀區(qū)二模)用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率.工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,反應(yīng)如下:3SiCl4+2N2+6H2
高溫
Si3N4+12HCl
完成下列填空:
(1)氮化硅可用于制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,因?yàn)樗鼘儆?!--BA-->
原子
原子
 晶體.有關(guān)氮化硅的上述反應(yīng)中,原子最外層只有一個(gè)未成對(duì)電子的元素是
H、Cl
H、Cl
(填寫元素符號(hào));屬于非極性分子的化合物的電子式是

(2)比較Si和Cl兩種元素非金屬性強(qiáng)弱的方法是
b
b

a.比較兩種元素的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)
b.比較兩種元素的原子獲得一個(gè)電子時(shí)釋放能量的大小
c.比較兩種元素的原子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)獲得電子的多少
d.比較相同條件下兩種元素氫化物水溶液的酸性強(qiáng)弱
(3)Si與Al、Be具有相似的化學(xué)性質(zhì),因?yàn)?!--BA-->
它們都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近
它們都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近
(簡(jiǎn)述理由),寫出Si與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)的離子反應(yīng)方程式:
Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2
Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料,它可用石英與焦炭在高溫的氮?dú)饬髦蟹磻?yīng)制得:
3
3
SiO2+
6
6
C+
2
2
N2
 高溫 
.
 
1
1
Si3N4+
6
6
CO
根據(jù)題意完成下列各題:
(1)配平上述化學(xué)反應(yīng)方程式.
(2)為了保證石英和焦炭盡可能的轉(zhuǎn)化,氮?dú)庖m當(dāng)過量.某次反應(yīng)用了20mol氮?dú),反?yīng)生成了5mol一氧化碳,此時(shí)混合氣體的平均相對(duì)分子質(zhì)量是
28
28

(3)分析反應(yīng)可推測(cè)碳、氮?dú)獾难趸裕篊
N2(填“>”“<”“=”).
(4)氮化硅陶瓷的機(jī)械強(qiáng)度高,硬度接近于剛玉(A12O3),熱穩(wěn)定性好,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定.以下用途正確的是
AC
AC

A.可以在冶金工業(yè)上制成坩堝、鋁電解槽襯里等設(shè)備
B.在電子工業(yè)上制成耐高溫的電的良導(dǎo)體
C.研發(fā)氮化硅的全陶發(fā)動(dòng)機(jī)替代同類型金屬發(fā)動(dòng)機(jī)
D.氮化硅陶瓷的開發(fā)受到資源的限制,沒有發(fā)展前途.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

氮化硅(Si3N4)是一種具有耐高溫、耐磨蝕等優(yōu)異性能的新型陶瓷.工業(yè)上可用如下反應(yīng)來制。3SiO2+6C+2N2 
 高壓 
.
 
Si3N4+6CO下列說法中不正確的是(  )
A、氮化硅陶瓷可用于制造汽車發(fā)動(dòng)機(jī)
B、氮化硅中氮元素的化合價(jià)為─3
C、氮化硅陶瓷屬于新型無機(jī)非金屬材料
D、氮化硅不會(huì)與任何酸發(fā)生反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料,800℃下,石英、焦炭和氮?dú)馔ㄟ^以下反應(yīng)可制得氮化硅.3SiO2(s)+6C(s)+2N2(g)
 高溫 
.
 
 Si3N4(s)+6CO(g)
(1)該反應(yīng)中的氧化產(chǎn)物是
 

(2)800℃下,該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K=
 

(3)已知:該反應(yīng)K800℃>K 850℃,則該反應(yīng)是
 
反應(yīng).(填“放熱”或“吸熱”).
(4)一定溫度下,在2L密閉容器內(nèi),充入一定量SiO2、C、N2進(jìn)行上述反應(yīng),N2的物質(zhì)的量隨時(shí)間(t)的變化如下表:
t/min 0 1 2 3 4 5
n(N2)/mol 2.00 1.40 1.12 1.00 1.00 1.00
從反應(yīng)初到平衡時(shí),CO的平均生成速率為v(CO)=
 
mol/(L?min).
(5)若壓縮(4)中的密閉體系,則上述平衡向
 
反應(yīng)方向移動(dòng).(填“正”或“逆”).
(6)能使SiO2的轉(zhuǎn)化率增大的措施是
 
.(填標(biāo)號(hào))
A.及時(shí)分離出CO氣體   B.降低溫度  C.增加C的初始量  D.使用適宜催化劑.

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