P原子的電子排布為3s23p3，P與Cl形成的化合物有PCl3、PCl5，對(duì)此判斷正確的是（    ）

A.P原子最外層有三個(gè)不成對(duì)電子，故只能結(jié)合三個(gè)Cl原子形成PCl3

B.PCl3分子中的P—Cl鍵都是σ鍵

C.P原子最外層有三個(gè)不成對(duì)電子，但是能形成PCl5，說明傳統(tǒng)的價(jià)鍵理論存在缺陷

D.PCl3分子中的P—Cl鍵都是π鍵

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

（2009?泰州模擬）物質(zhì)結(jié)構(gòu)
四種常見元素的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表．試根據(jù)信息回答有關(guān)問題．
元素 A B C D
性質(zhì)
結(jié)構(gòu)
信息		 原子核外有兩個(gè)電子層，最外層有3個(gè)未成對(duì)的電子 原子的M層有1對(duì)成對(duì)的p電子 原子核外電子排布為[Ar]3d104sx，
有+1、+2兩種常見化合價(jià)		 有兩種常見氧化物，其中有一種是冶金工業(yè)常用的還原劑
（1）寫出B原子的電子排布式
1s22s22p63s23p4
1s22s22p63s23p4
．
（2）A元素的氫化物的沸點(diǎn)比同主族相鄰元素氫化物沸點(diǎn)
高
高
（填“高”或“低”），其原因是
氨氣分子之間存在氫鍵
氨氣分子之間存在氫鍵
．
（3）D元素最高價(jià)氧化物的熔點(diǎn)比同主族相鄰元素最高價(jià)氧化物的熔點(diǎn)
低
低
（填“高”或“低”），其原因
CO2為分子晶體，SiO2是原子晶體
CO2為分子晶體，SiO2是原子晶體
．
（4）往C元素的硫酸鹽溶液中逐滴加入過量A元素的氫化物水溶液，可生成的配合物的化學(xué)式為
[Cu（NH3）4]SO4
[Cu（NH3）4]SO4
，簡(jiǎn)要描述該配合物中化學(xué)鍵的成鍵情況
中心離子Cu2+與配位體NH3之間以配位鍵相結(jié)合，內(nèi)界配離子[Cu（NH3）4]2+與外界離子SO42-之間以離子鍵相結(jié)合
中心離子Cu2+與配位體NH3之間以配位鍵相結(jié)合，內(nèi)界配離子[Cu（NH3）4]2+與外界離子SO42-之間以離子鍵相結(jié)合
．
（5）下列分子結(jié)構(gòu)圖中的“”表示上述相關(guān)元素的原子中除去最外層電子的剩余部分，“”表示氫原子，小黑點(diǎn)“?”表示沒有形成共價(jià)鍵的最外層電子，短線表示共價(jià)鍵．

則在以上分子中，中心原子采用sp3雜化形成化學(xué)鍵的是
①③④
①③④
（填寫序號(hào)）；在②的分子中有
3
3
個(gè)σ鍵和
2
2
個(gè)π鍵．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

有A、B、C、D、E 5種元素，它們的核電荷數(shù)依次增大，且都小于20．其中A為非金屬元素；A和E屬同一族，它們?cè)幼钔鈱与娮优挪紴閚s1．B和D也屬同一族，它們?cè)幼钔鈱拥膒能級(jí)電子數(shù)是s能級(jí)電子數(shù)的兩倍，C原子最外層上電子數(shù)等于D原子最外層上電子數(shù)的一半．請(qǐng)回答下列問題：
（1）A是
H
H
，B是
O
O
，C是
Al
Al
，D是
S
S
，E是
K
K
．
（2）寫出C元素基態(tài)原子的電子排布式：
1s22s22p63s23p1
1s22s22p63s23p1
．
（3）用電子排布圖表示D元素原子的價(jià)電子排布為
．
（4）元素B與D的電負(fù)性的大小關(guān)系是B
＞
＞
D，C與E的第一電離能的大小關(guān)系是C
＞
＞
E．（填“＞”、“＜”或“=”）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

四種短周期元素的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表，請(qǐng)根據(jù)信息回答下列問題．
元素 A B C D
性質(zhì)
結(jié)構(gòu)
信息		 室溫下單質(zhì)是粉末狀固體，加熱易熔化．
單質(zhì)在空氣中燃燒生成的氣體是形成酸雨的主要污染物之一．		 單質(zhì)常溫、常壓下是黃綠色氣體，能溶于水． 單質(zhì)質(zhì)軟、銀白色固體、導(dǎo)電性強(qiáng)．
單質(zhì)在空氣中燃燒發(fā)出黃色的火焰．		 原子最外層電子層上s電子數(shù)等于p電子數(shù)．
單質(zhì)是一種常見的半導(dǎo)體材料．
（1）B元素在周期表中的位置
第三周期第ⅦA族
第三周期第ⅦA族
，寫出A原子的電子排布式
1s22s22p63s23p4
1s22s22p63s23p4
．
（2）寫出C單質(zhì)與水反應(yīng)的化學(xué)的化學(xué)方程式
2Na+2H2O═2NaOH+H2↑
2Na+2H2O═2NaOH+H2↑
．A與C形成的化合物溶于水后，溶液的pH
大于
大于
7（填“大于”、“等于”或“小于”）
（3）寫出D元素的最高價(jià)氧化物與氫氧化鈉溶液反應(yīng)的離子方程式
SiO2+2OH-═SiO32-+H2O
SiO2+2OH-═SiO32-+H2O
．
（4）A、B兩元素非金屬性較強(qiáng)的是（寫元素符號(hào)）
Cl
Cl
．寫出證明這一結(jié)論的一個(gè)實(shí)驗(yàn)事實(shí)
高氯酸的酸性強(qiáng)于硫酸的酸性或氯化氫的穩(wěn)定性強(qiáng)于硫化氫或氯氣氧化硫化氫為硫單質(zhì)
高氯酸的酸性強(qiáng)于硫酸的酸性或氯化氫的穩(wěn)定性強(qiáng)于硫化氫或氯氣氧化硫化氫為硫單質(zhì)
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)銦、鎵與氮、磷、硫、砷等元素形成的化合物是制備LED晶片的主要原料，材質(zhì)基本以AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
 
．
（2）N、P、S三種元素的第一電離能的大小順序是
 
．
（3）N、P、As處于同一主族，其氫化物中NH3的沸點(diǎn)卻最高，主要原因是
 
．
（4）與NO3-離子互為等電子體的分子為
 
（任寫一種）．
（5）GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似．GaN的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中與同一個(gè)Ga原子（黑色球）相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
 
．N原子的雜化方式為
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源：同步題 題型：推斷題

有A、B、C、D、E5種元素，它們的核電荷數(shù)依次增大，且都小于20。其中C、E是金屬元素；A和E屬同一族，它們?cè)拥淖钔鈱与娮优挪紴閚s1。B和D也屬同一族，它們?cè)幼钔鈱拥膒能級(jí)電子數(shù)是s能級(jí)電子數(shù)的兩倍，C原子最外層上電子數(shù)等于D原子最外層上電子數(shù)的一半。請(qǐng)回答下列問題：
(1)C是________，E是________
(2)寫出C元素基態(tài)原子的電子排布式________
(3)用軌道表示式表示D元素原子的價(jià)電子構(gòu)型__________
(4)元素B與D的電負(fù)性的大小關(guān)系是________，C與E的第一電離能的大小關(guān)系是_______。（填“>”、 “<”或“=”）
(5)由這五種元素組成的一種化合物是（寫化學(xué)式）________。寫出該物質(zhì)的一種主要用途________。

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