下面的排序不正確的是（　�。�
A、電負(fù)性的大�。篊l＞S＞Al＞MgB、硬度由大到�。航饎偸咎蓟瑁揪w硅C、熔點(diǎn)由高到低：石英＞食鹽＞干冰＞鈉D、晶格能由大到�。篘aF＞NaCl＞NaBr＞NaI
分析：A、同周期從左到右電負(fù)性增強(qiáng)；
B、共價(jià)鍵的鍵能越大，原子晶體的硬度越大；
C、分子晶體的熔點(diǎn)最��；
D、離子的晶格能越大，離子的熔點(diǎn)越高．
解答：解：A、同周期從左到右電負(fù)性增強(qiáng)，電負(fù)性的大小：Cl＞S＞Al＞Mg，故A不選；
B、C原子半徑小于Si原子半徑，原子半徑越小，共價(jià)鍵鍵能越大，原子晶體的硬度越大，則金剛石的硬度大于硅晶體的硬度，硬度由大到�。航饎偸咎蓟瑁揪w硅，故B不選；
C、分子晶體的熔點(diǎn)最小，干冰的熔點(diǎn)最低，故選C；
D、氟離子、氯離子、溴離子、碘離子漸大，而離子半徑越大，晶格能越小，則離子晶體的熔點(diǎn)越低，晶格能由大到�。篘aF＞NaCl＞NaBr＞NaI，故D不選；
故選C．
點(diǎn)評(píng)：本題考查晶體性質(zhì)的比較，題目難度不大，注意把握影響晶體性質(zhì)的因素．
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是

     A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅

     C．熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al

     D．晶格能由大到小：NaF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，所以熔點(diǎn)由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以D是正確的。答案選C。

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2013屆山西省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

下面的排序不正確的是

     A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅

     C．熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al

     D．晶格能由大到�。篘aF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，所以熔點(diǎn)由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以D是正確的。答案選C。

 

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