制造太陽能電池要高純度的硅，工業(yè)上制高純硅常用以下反應(yīng)實現(xiàn)

①Si(s)+3HCl(g)SiHCl3(g)+H2(g)（放熱反應(yīng)）

②SiHCl3+H2Si+3HCl

對以上兩個反應(yīng)的下列敘述中，錯誤的是（    ）

A.兩個反應(yīng)都是置換反應(yīng)                  B.反應(yīng)②是放熱反應(yīng)

C.兩個反應(yīng)都是離子反應(yīng)                  D.兩個反應(yīng)都是氧化還原反應(yīng)

BC

解析：反應(yīng)①和②是不同條件下的兩個反應(yīng)，但這兩個過程是可逆的，①的反應(yīng)物是②的生成物，①的生成物是②的反應(yīng)物，因此①為放熱反應(yīng)，②一定為吸熱反應(yīng)；此兩反應(yīng)均符合置換反應(yīng)的概念，因此既是置換反應(yīng)，又是氧化還原反應(yīng)；此兩反應(yīng)為固體與氣體之間的反應(yīng)，為非離子反應(yīng)。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2009?泰州模擬）高純超凈特種氣體主要用于制造半導(dǎo)體器件、化合物半導(dǎo)體、激光器、光導(dǎo)纖維、太陽能電池等．超純硅化氫制備方法如下：（已知：常溫下SiH4難溶于水，與稀硫酸不反應(yīng)，乙醚沸點34.6℃）
①由下列兩種方法制得SiH4
方法一：Mg2Si+4NH4Cl
液氨
SiH4+2MgCl2+4NH3
方法二：LiAlH4+SiCl4
C2H5OC2H5
SiH4+AlCl3+LiCl
②除去SiH4中混有的雜質(zhì)氣體
請回答下列問題：
（1）對方法一的理解，有同學(xué)認(rèn)為是NH4+水解產(chǎn)生H+，Mg2Si與H+反應(yīng)生成SiH4，你認(rèn)為該觀點是否正確？并簡述理由
不正確，因為該反應(yīng)在液氨中進(jìn)行，非水體系，不會水解
不正確，因為該反應(yīng)在液氨中進(jìn)行，非水體系，不會水解
．
（2）將方法二的固體產(chǎn)物溶于水，只有一種物質(zhì)能促進(jìn)水的電離，則NaOH、Mg（OH）2、LiOH堿性由強(qiáng)到弱的順序為
NaOH＞LiOH＞Mg（OH）2
NaOH＞LiOH＞Mg（OH）2
．
（3）兩種方法制得的SiH4中均含有少量雜質(zhì)，有同學(xué)提出用下列方法除去SiH4中的雜質(zhì)，其中肯定不可行是
b
b
．
a．用稀硫酸洗氣     b．高溫使雜質(zhì)分解      c．低溫分餾
（4）甲、乙、丙三同學(xué)在討論SiH4制備方法的化學(xué)反應(yīng)類型時發(fā)表如下觀點，你認(rèn)為正確的是
bc
bc
．
a．甲同學(xué)認(rèn)為兩個反應(yīng)均為氧化還原反應(yīng)
b．乙同學(xué)認(rèn)為兩個反應(yīng)中只有一個屬于氧化還原反應(yīng)
c．丙同學(xué)認(rèn)為要判斷是否屬于氧化還原反應(yīng)，還需要知道SiH4中各元素具體的化合價．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

制造太陽能電池要高純度的硅，工業(yè)上制高純硅常用以下反應(yīng)實現(xiàn)

①Si(s)+3HCl(g) SiHCl3(g)+H2(g)（放熱反應(yīng)）

②SiHCl3+H2Si+3HCl

對以上兩個反應(yīng)的下列敘述中，錯誤的是（    ）

A.兩個反應(yīng)都是置換反應(yīng)                        B.反應(yīng)②是放熱反應(yīng)

C.兩個反應(yīng)都是離子反應(yīng)                        D.兩個反應(yīng)都是氧化還原反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來源：同步題 題型：單選題

制造太陽能電池需要高純度的硅，工業(yè)上制高純硅常利用以下反應(yīng)來實現(xiàn)：
(1)Si（粗硅）+3HCl SiHCl3+H2；
(2)SiHCl3+H2 Si(純硅)+3HCl 對上述兩個反應(yīng)的下列敘述中，不正確的是
[     ]
A．兩個反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B．兩個反應(yīng)中的H2均作還原劑
C．兩個反應(yīng)都要在耐腐蝕的容器中進(jìn)行
D．兩個反應(yīng)都是氧化還原反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

制造太陽能電池需要高純度的硅，工業(yè)上制高純硅常利用以下反應(yīng)來實現(xiàn)：
（1）Si（粗硅）+3HClSiHCl3+H2↑
（2）SiHCl3+H2Si（純硅）+3HCl
下列對上述兩個反應(yīng)的敘述中錯誤的是（  ）。
A.兩個反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.兩個反應(yīng)中的H2均做還原劑
C.兩個反應(yīng)都要在耐腐蝕的容器中進(jìn)行
D.兩個反應(yīng)都是氧化還原反應(yīng)

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