根據(jù)等電子原理推測下列微粒構(gòu)型不是正四面體的是（    ）

A.SiCl4            B.           C.               D.

解析：等電子原理是指電子總數(shù)或價(jià)電子總數(shù)相同，且原子總數(shù)相同的分子或離子具有相同的結(jié)構(gòu)特征。

答案：D

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號(hào)元素．已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍；A與C形成的常見化合物之一是主要的溫室氣體；D與A同主族，其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點(diǎn)最高；E原子M能層為全充滿狀態(tài)，且核外的未成對電子只有一個(gè)．請回答下列問題：
（1）B在周期表中的位置是：
 
，該主族元素的氣態(tài)氫化物中，沸點(diǎn)最低的是
 
（填化學(xué)式）．
（2）根據(jù)等電子原理分析，BC2 +中B原子的軌道雜化類型是
 
．
（3）五種元素中，電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體，其晶體類型是
 
．
（4）+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子所需要的能量稱為第二電離能I2，依次還有I3、I4、I5…，推測D元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第
 
電離能．
（5）A的一種相對分子質(zhì)量為28的氫化物，其分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)之比為
 
；A能形成多種常見單質(zhì)，在熔點(diǎn)最低的單質(zhì)中，每個(gè)分子周圍緊鄰的分子數(shù)目為
 
； 
（6）E的基態(tài)原子有
 
種形狀不同的原子軌道；E2+的價(jià)電子排布式為
 
；下圖（填甲、乙或丙）
 
表示的是E晶體中微粒的堆積方式．
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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年山西省高三10月月考化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

（15分）原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號(hào)元素。已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍；A與C形成的常見化合物之一是主要的溫室氣體；D與A同主族，其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點(diǎn)最高；E原子M能層為全充滿狀態(tài)，且核外的未成對電子只有一個(gè)。請回答下列問題：

（1）B在周期表中的位置是：                      ，該主族元素的氣態(tài)氫化物中，沸點(diǎn)最低的是             （填化學(xué)式）。

（2）根據(jù)等電子原理分析，BC2 + 中B原子的軌道雜化類型是           。

（3）五種元素中，電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體，其晶體類型是           。

（4）+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子所需要的能量稱為第二電離能I2，依次還有I3、I4、I5…，推測D元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第      電離能。

(5)A的一種相對分子質(zhì)量為28的氫化物，其分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)之比為      ；；

(6)E的基態(tài)原子有    種形狀不同的原子軌道；E2+ 的價(jià)電子排布式為     ；下

圖（填甲、乙或丙）           表示的是E晶體中微粒的堆積方式。

          

甲                 乙                 丙

 

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科目：高中化學(xué) 來源：模擬題 題型：填空題

（選修三）【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
(1)氯化鉻酰(CrO2Cl2)在有機(jī)合成中可作氧化劑或氯化劑，能與許多有機(jī)物反應(yīng)。寫出鉻元素的基態(tài)原子核外電子排布式：_________________；與鉻同周期的所有元素的基態(tài)原子中最外層電子數(shù)與鉻原子相同的元素有_______（填名稱）；CrO2Cl2常溫下為深紅色液體，能與CCl4、CS2等互溶，據(jù)此可判斷CrO2Cl2是______（填“極性”或“非極性”）分子。
(2)在①苯、②CH3OH、③HCHO、④H2S四種分子中，屬于非極性分子的是___________，分子間能形成氫鍵的是___________（以上兩空填序號(hào)）；H2S分子的空間構(gòu)型是_______，HCHO分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)比是____________。
(3)納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會(huì)生活和高科技領(lǐng)域。 A和B的單質(zhì)單位質(zhì)量的燃燒熱大，可用作燃料。已知A和B為短周期元素，其原子的第一至第四電離能如表所示：
①某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷B元素基態(tài)原子的核外電子排布如圖所示，該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了________________，
②根據(jù)等電子原理，推測A和氟元素形成的簡單分子的等電子體有_______ （任寫一個(gè)）；
③根據(jù)對角線規(guī)則，A的化學(xué)性質(zhì)與_____ 元素相似；試寫出A與氫氧化鈉溶液反應(yīng)的離子方程式：_______________。

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科目：高中化學(xué) 來源：吉林省模擬題 題型：推斷題

（三選一）【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號(hào)元素。已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍；A與C形成的常見化合物之一是主要的溫室氣體；D與A同主族，其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點(diǎn)最高；E原子M能 層為全充滿狀態(tài)，且核外的未成對電子只有一個(gè)。請回答下列問題：
（1）B在周期表中的位置是___________，該主族元素的氣態(tài)氫化物中，沸點(diǎn)最低的是__________（填化學(xué)式）。
（2）根據(jù)等電子原理分析，BC2+ 中B原子的軌道雜化類型是____________。
（3）五種元素中，電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體，其晶體類型是____________。
（4）+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子所需要的能量稱為第二電離能I2，依次還有I3、I4、I5…，推測D元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第______電離能。
（5）A的一種相對分子質(zhì)量為28的氫化物，其分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)之比為________；A能形成多種常見單質(zhì)，在熔點(diǎn)最低的單質(zhì)中，每個(gè)分子周圍緊鄰的分子數(shù)目為___________； 
（6）E的基態(tài)原子有_____種形狀不同的原子軌道；E2+ 的價(jià)電子排布式為_______；下圖_______（填甲、乙或丙）表示的是E晶體中微粒的堆積方式。

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科目：高中化學(xué) 來源：吉林省期中題 題型：推斷題

（三選一）【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號(hào)元素。已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍；A與C形成的常見化合物之一是主要的溫室氣體；D與A同主族，其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點(diǎn)最高；E原子M能 層為全充滿狀態(tài)，且核外的未成對電子只有一個(gè)。請回答下列問題：
（1）B在周期表中的位置是___________，該主族元素的氣態(tài)氫化物中，沸點(diǎn)最低的是__________（填化學(xué)式）。
（2）根據(jù)等電子原理分析，BC2+ 中B原子的軌道雜化類型是____________。
（3）五種元素中，電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體，其晶體類型是____________。
（4）+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子所需要的能量稱為第二電離能I2，依次還有I3、I4、I5…，推測D元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第______電離能。
（5）A的一種相對分子質(zhì)量為28的氫化物，其分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)之比為________；A能形成多種常見單質(zhì)，在熔點(diǎn)最低的單質(zhì)中，每個(gè)分子周圍緊鄰的分子數(shù)目為___________； 
（6）E的基態(tài)原子有_____種形狀不同的原子軌道；E2+ 的價(jià)電子排布式為_______；下圖_______（填甲、乙或丙）表示的是E晶體中微粒的堆積方式。

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