（2012?長寧區(qū)一模）Ⅰ．工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．
（1）原料粗鹽中常含有泥沙和Ca
2+、Mg
2+、Fe
3+、SO
42-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用．精制時(shí)，粗鹽溶于水過濾后，還要加入的試劑分別為①Na
2CO
3、②HCl（鹽酸）③BaCl
2，這3種試劑添加的合理順序是
③①②
③①②
（填序號）洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl，選用的試劑為
③
③
．（填序號）（①飽和Na
2CO
3溶液 ②飽和K
2CO
3溶液 ③75%乙醇�、芩穆然迹�
（2）如圖是離子交換膜（允許鈉離子通過，不允許氫氧根與氯離子通過）法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是
氯氣
氯氣
；NaOH溶液的出口為
a
a
（填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
d
d
（填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是
濃硫酸
濃硫酸
．
Ⅱ．多晶硅主要采用SiHCl
3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl
4的綜合利用受到廣泛關(guān)注．
（1）SiCl
4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl
4與H
2和O
2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為
．
（2）SiCl
4可轉(zhuǎn)化為SiHCl
3而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
3SiCl
4（g）+2H
2（g）+Si（s）?4SiHCl
3（g）
達(dá)平衡后，H
2與SiHCl
3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H
2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為
0.351
0.351
kg．
（3）實(shí)驗(yàn)室制備H
2和Cl
2通常采用下列反應(yīng)：
Zn+H
2SO
4→ZnSO
4+H
2↑；MnO
2+4HCl（濃）
MnCl
2+Cl
2↑+2H
2O
據(jù)此，從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H
2的裝置
e
e
（填代號）和制備并收集干燥、純凈Cl
2的裝置
d
d
（填代號）．
可選用制備氣體的裝置：
（4）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣
134.4
134.4
m
3（標(biāo)準(zhǔn)狀況）．（忽略可能存在的其他反應(yīng)）
某工廠生產(chǎn)硼砂過程中產(chǎn)生的固體廢料，主要含有MgCO
3、MgSiO
3、CaMg（CO
3）
2、Al
2O
3和Fe
2O
3等，回收其中鎂的工藝流程如下：
| 沉淀物 |
Fe（OH）3 |
Al（OH）3 |
Mg（OH）2 |
| PH |
3.2 |
5.2 |
12.4 |
Ⅲ．部分陽離子以氫氧化物形式完全沉淀時(shí)溶液的pH見上表，請回答下列問題：
（1）“浸出”步驟中，為提高鎂的浸出率，可采取的措施有
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
（要求寫出兩條）．
（2）濾渣I的主要成分是
Fe（OH）3、Al（OH）3
Fe（OH）3、Al（OH）3
．
Mg（ClO
3）
2在農(nóng)業(yè)上可用作脫葉劑、催熟劑，可采用復(fù)分解反應(yīng)制備：
MgCl
2+2NaClO
3→Mg（ClO
3）
2+2NaCl
已知四種化合物的溶解度（S）隨溫度（T）變化曲線如圖所示：
（3）將反應(yīng)物按化學(xué)反應(yīng)方程式計(jì)量數(shù)比混合制備Mg（ClO
3）
2．簡述可制備Mg（ClO
3）
2的原因：
在某一溫度時(shí)，NaCl最先達(dá)到飽和析出；Mg（ClO3）2的溶解度隨溫度變化的最大，NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別；
在某一溫度時(shí)，NaCl最先達(dá)到飽和析出；Mg（ClO3）2的溶解度隨溫度變化的最大，NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別；
．
（4）按題（3）中條件進(jìn)行制備實(shí)驗(yàn)．在冷卻降溫析出Mg（ClO
3）
2過程中，常伴有NaCl析出，原因是：
降溫前，溶液中NaCl已達(dá)飽和，降低過程中，NaCl溶解度會降低，會少量析出；
降溫前，溶液中NaCl已達(dá)飽和，降低過程中，NaCl溶解度會降低，會少量析出；
．除去產(chǎn)品中該雜質(zhì)的方法是：
重結(jié)晶
重結(jié)晶
．
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