Question

（1）寫(xiě)出工業(yè)制單質(zhì)硅（碳在高溫下還原二氧化硅）的化學(xué)方程式

 

（2）寫(xiě)出用Fecl₃溶液作為銅制電路板的“腐蝕液”的有關(guān)反應(yīng)的離子方程式

 

（3）鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)

 

（4）寫(xiě)出硫酸鋁溶液中滴過(guò)量氨水的離子方程式

 

（5）寫(xiě)出氨的催化氧化的化學(xué)方程式

 

（6）硫酸銨溶液與氫化鈉溶液混合加熱

 

（7）寫(xiě)出向KAl（SO₄）₂溶液中滴加Ba（OH ）₂溶液，使SO₄^2-恰好完全沉淀的離子方程式

 

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Answer 1

考點(diǎn)：硅和二氧化硅,銨鹽,鋁的化學(xué)性質(zhì),鎂、鋁的重要化合物,鐵的氧化物和氫氧化物

專題：元素及其化合物

分析：（1）碳在高溫下還原二氧化硅生產(chǎn)CO和硅；
（2）Fecl₃溶液與銅反應(yīng)生產(chǎn)氯化亞鐵和氯化銅；
（3）鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)生產(chǎn)偏鋁酸鈉和氫氣；
（4）硫酸鋁溶液中滴過(guò)量氨水生產(chǎn)氫氧化鋁；
（5）氨催化氧化生產(chǎn)NO和水；
（6）硫酸銨溶液與氫化鈉溶液混合加熱生產(chǎn)氫氣、氨氣和硫酸鈉；
（7）向KAl（SO₄）₂溶液中滴加Ba（OH ）₂溶液，使SO₄^2-恰好完全沉淀，生產(chǎn)硫酸鋇和偏鋁酸鉀．

解答： 解：（1）碳在高溫下還原二氧化硅生產(chǎn)CO和硅，反應(yīng)的化學(xué)方程式為2C+SiO₂　

高溫  .

Si+2CO↑，
故答案為：2C+SiO₂　

高溫  .

Si+2CO↑；
（2）FeCl₃溶液腐蝕電路板的離子方程式為：2Fe³⁺+Cu=2Fe²⁺+Cu²⁺，故答案為：2Fe³⁺+Cu=2Fe²⁺+Cu²⁺；
（3）鋁與NaOH溶液反應(yīng)生成偏鋁酸鈉和氫氣，化學(xué)反應(yīng)為2Al+2NaOH+2H₂O=2NaAlO₂+3H₂↑，故答案為：2Al+2NaOH+2H₂O=2NaAlO₂+3H₂↑．；
（4）硫酸鋁溶液與氨水反應(yīng)可生成氫氧化鋁沉淀和硫酸銨，氫氧化鋁不能溶于弱堿，
則該反應(yīng)為Al₂（SO₄）₃+3NH₃．H₂O═2Al（OH）₃↓+3（NH₄）₂SO₄，
其離子反應(yīng)為Al³⁺+3NH₃．H₂O═Al（OH）₃↓+3NH₄⁺，故答案為：Al³⁺+3NH₃．H₂O═Al（OH）₃↓+3NH₄⁺；
（5）氨氣在催化劑作用下反應(yīng)生成一氧化氮和水，4NH₃+5O

催化劑 .

△

 4NO+6 H₂O，故答案為：4NH₃+5O

催化劑 .

△

 4NO+6 H₂O；
（6）硫酸銨溶液與氫化鈉溶液混合加熱生產(chǎn)氫氣、氨氣和硫酸鈉，反應(yīng)的離子方程式為NaH+NH₄⁺=NH₃↑+Na⁺+H₂↑，
故答案為：NaH+NH₄⁺=NH₃↑+Na⁺+H₂↑；
（7）假設(shè)SO₄^2-的物質(zhì)的量為2mol，則明礬溶液中含有2mol SO₄^2-，1molAl³⁺，向明礬溶液中逐滴加入Ba（OH）₂溶液至SO₄^2-剛好沉淀完全時(shí)，需要2molBa（OH）₂，即加入的Ba²⁺為2mol，OH^-為4mol，生成2molBaSO₄，1molAl³⁺與4molOH^-反應(yīng)生成1molAlO₂^-，反應(yīng)的離子方程式為Al³⁺+2SO₄^2-+2Ba²⁺+4OH^-═2BaSO₄↓+AlO₂^-+2H₂O，故答案為：Al³⁺+2SO₄^2-+2Ba²⁺+4OH^-═2BaSO₄↓+AlO₂^-+2H₂O．

點(diǎn)評(píng)：本題綜合考查元素化合物知識(shí)，側(cè)重化學(xué)方程式、離子方程式的書(shū)寫(xiě)，為高頻考點(diǎn)，主要把握物質(zhì)的性質(zhì)，為解答該題的關(guān)鍵，難度中等．