[物質(zhì)與結(jié)構(gòu)]（12分）納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會(huì)生活和高科技領(lǐng)域。單位質(zhì)量的A和B單質(zhì)燃燒時(shí)均放出大量熱，可用作燃料。已知A和B為短周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示：
電離能(kJ/mol)
I1
I2
I3
I4
A
932
1821
15390
21771
B
738
1451
7733
10540
（1）某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷B的基態(tài)原子核外電子排布如圖所示，該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了   。

（2）ACl2分子的空間結(jié)構(gòu)為   (用文字描述)。
（3）我國部分城市霧霾天占全年一半，引起霧霾的PM2.5微細(xì)粒子包含(NH4)2SO4、NH4NO3、有機(jī)顆粒物及揚(yáng)塵等，其中NO3－中N原子的雜化方式是      ，與SO42－互為等電子體的分子是   。
（4）科學(xué)家把C60和鉀摻雜在一起制造了一種富勒烯化合物， 其
晶胞如圖所示，該物質(zhì)在低溫時(shí)是一種超導(dǎo)體。該物質(zhì)的化學(xué)式  
為   。

（5）繼C60后，科學(xué)家又合成了Si60、N60， Si60分子中每個(gè)硅原子只跟相 鄰的3個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵，且每個(gè)硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則Si60分子中π鍵的數(shù)目為   。
（1）泡利不相容原理  
（2） 直線型           
（3） sp2     CCl4、CF4 等
（4） K3C60
（5） 30 

試題分析：元素AB的第2和第3電離能相差較大，故兩種原子最外層均為2個(gè)電子，但B的第一電離能小金屬性強(qiáng)，故AB分別為Be和Mg。（1）該原子的s軌道均排了自旋方向相同的電子，故不符合泡利不相容原理；（2）BeCl2分子價(jià)電子對(duì)數(shù)為（2+2）÷2=2，故為sp雜化為直線型；（3）NO3－中氮的價(jià)電子對(duì)數(shù)為（5+1）÷2=3，為sp2雜化；SO42－互為等電子體的分子為CCl4、CF4 等；（4）該晶胞中黑球有12×1/2=6，C60有8×1/8+1=2，K原子和C60分子的個(gè)數(shù)比為3：1，化學(xué)式為 K3C60；（5）硅原子應(yīng)形成4個(gè)公用電子對(duì)才能達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，但其只與3個(gè)原子成鍵，因此與其中一個(gè)原子形成雙鍵，雙鍵中含有1個(gè)π鍵，每個(gè)雙鍵兩個(gè)硅原子共用，計(jì)算為1×1/2×60 =30.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列各組物質(zhì)的性質(zhì)比較正確的是（　�。�
A．堿性：KOH＞NaOH＞LiOH
B．酸性：HNO3＞H3PO4＞HClO4
C．還原性：Cl-＞S2-＞I-
D．穩(wěn)定性：H2O＞HF＞H2S

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：問答題

【選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化臺(tái)物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題：
（1）S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是      ；
 
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離
子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>               ；
（3）Se原子序數(shù)為       ，其核外M層電子的排布式為                    ；
（4）H2Se的酸性比H2S         （填“強(qiáng)”或“弱”）。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型
為                 ，SO32-離子的立體構(gòu)型為                   ；
（5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7x l0-3和2.5x l0-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，
K2為1.2X10-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：                          
                                                   ；
② H2SeO4比 H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：                                                  
                                                                              
（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm．密度為                    （列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為               pm（列示表示）

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

物質(zhì)的結(jié)構(gòu)是決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素。請(qǐng)回答下列問題：
(1)基態(tài)Ni原子核外電子排布式為____________；第二周期基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)與Ni相同且電負(fù)性最小的元素是_______________。
(2)NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，Ni2+和Fe2+的離子半徑分為0.069nm和0.078nm，則熔點(diǎn)NiO____________FeO(填“＜”或“＞”)；NiO晶胞中Ni2+的配位數(shù)為____________。
(3)肼可用作火箭燃料，燃燒時(shí)發(fā)生的反應(yīng)是：N2O4+2N2H4＝3N2+4H2O，若該反應(yīng)中有4molN—H鍵斷裂，形成的鍵有________mol。
(4)金屬鎳與鑭(La)形成的合金是一種良好的儲(chǔ)氫材料，其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示．該合金化學(xué)式為        ；

(5)丁二酮肟常用于檢驗(yàn)Ni2+：在稀氨水介質(zhì)中，丁二酮肟Ni2+反應(yīng)可生成鮮紅色沉淀，其結(jié)構(gòu)如圖2所示：

①該結(jié)構(gòu)中，碳碳之間共價(jià)鍵是σ鍵，碳氮之間共價(jià)鍵是        ，氮鎳之間形成化學(xué)鍵是     ；
②該結(jié)構(gòu)中，氧氫之間除共價(jià)鍵外還可存在    ；
③該結(jié)構(gòu)中，碳原子雜化軌道有            

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

請(qǐng)回答下列問題：
(1)N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下：
電離能            I1       I2          I3         I4       …
In/kJ．mol-1     578      1817      2745      11578    …
 
則該元素是             (填寫元素符號(hào))。
(2)基態(tài)鍺(Ge)原子的電子排布式是           ，Ge的最高價(jià)氯化物分子式是             ，該元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有         ；
A．是一種活潑的金屬元素     B．其電負(fù)性大于硫 
C．其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料  D．其最高價(jià)氯化物的沸點(diǎn)低于其溴化物的沸點(diǎn)
(3)關(guān)于化合物，下列敘述正確的有         
A．分子間可形成氫鍵           
B．分子中既有極性鍵又有非極性鍵 
C．分子中有7個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵 
D．該分子在水中的溶解度大于2-丁烯
(4)NaF的熔點(diǎn)            的熔點(diǎn)(填＞、=或＜)，其原因是             。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D、E都是元素周期表中的前20號(hào)元素，它們的原子序數(shù)依次遞增。已知B、D兩種元素原子的最外層電子數(shù)是最內(nèi)層電子數(shù)的兩倍，而C元素原子的最外層電子數(shù)等于B元素原子的核外電子數(shù)，E的價(jià)電子數(shù)為1．回答下列問題。
（1）畫出C元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖       。
（2）在1mol DC2中，有    mol D—C鍵。
（3）在化合物BC2的晶體中，每個(gè)BC2分子周圍與它距離最近的BC2分子有   個(gè)。
（4）原子序數(shù)介于B、C之間的元素X和B、C都可與A形成10e-的化合物。則X、B、C的第一電離能順序是      （填元素符號(hào)），三種10e-的化合物中沸點(diǎn)最低的   。
（5）已知高溫下C和E元素形成的晶體呈立方體結(jié)構(gòu)，晶體中元素C的化合價(jià)部分為0價(jià)，部分為－2價(jià)。如下圖所示為C和E元素形成的晶體的一個(gè)晶胞(晶體中最小的重復(fù)單元)，則下列說法中正確的是            。

A．該晶體化學(xué)式為EC2（KO2），每個(gè)晶胞含有個(gè)4個(gè)E＋和4個(gè)C2-
B．晶體中每個(gè)E＋周圍有8個(gè)C2-，每個(gè)C2-周圍有8個(gè)E＋
C．晶體中與每個(gè)E＋距離最近的E＋有8個(gè)
D．晶體中，0價(jià)C與－2價(jià)C的數(shù)目比為3:1
E．C2-與N2互為等電子體

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D、E、F均為短周期主族元素，且原子序數(shù)依次增大。已知A的一種核素的質(zhì)量數(shù)等于其質(zhì)子數(shù)；E原子最外層電子數(shù)為其電子層數(shù)的兩倍，C、E是同主族元素；B的第一電離能大于C的第一電離能；D離子在同周期離子中半徑最小。G的最外層電子排布圖為，其余各能層電子全充滿。
（1）畫出B原子的結(jié)構(gòu)示意圖____，G+離子的電子排布式為_____。
（2）C與E組成的一種化合物具有漂白性，該化合物分子中中心原子的VSEPR構(gòu)型為   。
（3）D單質(zhì)具有良好導(dǎo)熱性的原因是____。
（4）E、F的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的酸性強(qiáng)弱比較（填寫化學(xué)式）：_____＞_____。
（5）G單質(zhì)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則一個(gè)晶胞中G的原子個(gè)數(shù)為_____。

（6）A與B形成的10電子陽離子在重水中的水解離子方程式為____。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列對(duì)一些實(shí)驗(yàn)事實(shí)的理論解釋正確的是(　　)。
選項(xiàng)
實(shí)驗(yàn)事實(shí)
理論解釋
A
氮原子的第一電離能大于氧原子
氮原子2p能級(jí)半充滿
B
CO2為直線形分子
CO2分子中C—O是極性鍵
C
金剛石的熔點(diǎn)低于石墨
金剛石是分子晶體，石墨是原子晶體
D
HF的沸點(diǎn)高于HCl
HF的相對(duì)分子質(zhì)量小于HCl
 

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

化學(xué)中的某些元素是與生命活動(dòng)密不可分的元素。請(qǐng)回答下列問題：
(1)NH4NO3是一種重要的化學(xué)肥料，其中N原子的雜化方式分別是________，NO3—的空間構(gòu)型為____________。
(2)A、B、C三元素的原子序數(shù)依次增大，它們?cè)拥淖钔鈱与娮优挪季鶠?s1。
①B元素基態(tài)原子電子排布式為___________________________________________。
②A元素單質(zhì)的晶體堆積模型為________(填字母)，其空間利用率為__________。

③氫元素與C元素可形成一種紅色化合物，其晶體結(jié)構(gòu)單元如下圖。則該化合物的化學(xué)式為__________(小白球表示H，小黑球表示C)。

(3)已知氮化硼(BN)的一種晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，則B—N—B之間的夾角是________，氮化硼的密度為3.52 g·cm－3，則B—N鍵的鍵長(zhǎng)是________pm(只要求列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)為NA)。

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