分析 (1)分子式相同結(jié)構(gòu)不同的化合物互為同分異構(gòu)體;
(2)丙中官能團名稱是醇羥基和醛基;
(3)丁在一定條件下,可以發(fā)生水解反應(yīng)生成苯甲酸和2-丙醇,生成X、Y兩種物質(zhì)(相對分子質(zhì)量:X<Y),苯甲酸的相對分子質(zhì)量大于2-丙醇,所以X是CH3CH(OH)CH3,Y是,M可發(fā)生聚合反應(yīng),則X→M必為消去反應(yīng),M為CH2=CHCH3,則A為CH2BrCHBrCH3,A和氫氧化鈉的水溶液發(fā)生取代反應(yīng)生成B,B為HOCH2CH(OH)CH3,B→C為氧化反應(yīng),C為OHCCOCH3,C繼續(xù)被氧化為D,D為HOOCCOCH3,D和氫氣發(fā)生加成反應(yīng)生成E,E為HOOCCH(OH)CH3,E可發(fā)生縮聚反應(yīng)生成聚酯.
解答 解:(1)分子式相同結(jié)構(gòu)不同的化合物互為同分異構(gòu)體,根據(jù)這幾種物質(zhì)的結(jié)構(gòu)簡式知,甲、乙、丙互為同分異構(gòu)體,故答案為:甲、乙、丙;
(2)丙中官能團名稱是醇羥基和醛基,故答案為:醛基、醇羥基;
(3)丁在一定條件下,可以發(fā)生水解反應(yīng)生成苯甲酸和2-丙醇,生成X、Y兩種物質(zhì)(相對分子質(zhì)量:X<Y),苯甲酸的相對分子質(zhì)量大于2-丙醇,所以X是CH3CH(OH)CH3,Y是,M可發(fā)生聚合反應(yīng),則X→M必為消去反應(yīng),M為CH2=CHCH3,則A為CH2BrCHBrCH3,A和氫氧化鈉的水溶液發(fā)生取代反應(yīng)生成B,B為HOCH2CH(OH)CH3,B→C為氧化反應(yīng),C為OHCCOCH3,C繼續(xù)被氧化為D,D為HOOCCOCH3,D和氫氣發(fā)生加成反應(yīng)生成E,E為HOOCCH(OH)CH3,E可發(fā)生縮聚反應(yīng)生成聚酯,
①通過以上知,X發(fā)生消去反應(yīng)生成M,故答案為:消去反應(yīng);
②B為HOCH2CH(OH)CH3,B→C為氧化反應(yīng),C為OHCCOCH3,反應(yīng)方程式為:,
故答案為:;
③C為OHCCOCH3,C與新制氫氧化銅反應(yīng)的化學(xué)方程式為,
故答案為:;
④E為HOOCCH(OH)CH3,在一定條件下,兩分子E能脫去兩分子水形成一種六元環(huán)狀化合物,則該化合物的結(jié)構(gòu)簡式為:,
故答案為:;
⑤E為HOOCCH(OH)CH3,則含有一個羥基、一個酯基的E的同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡式為,
故答案為:、、等.
點評 本題考查了有機物的推斷,明確物質(zhì)的結(jié)構(gòu)及其性質(zhì)是解本題關(guān)鍵,根據(jù)反應(yīng)條件結(jié)合有機物的官能團來分析解答,難度中等.
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | Fe片 | B. | 蔗糖 | C. | 固體NaCl | D. | 熔融的CuCl2 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ①②③⑦ | B. | ②④⑤⑦ | C. | ③④⑥⑦ | D. | ④⑤⑦ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
A. | d為石墨,鐵片腐蝕加快 | |
B. | d為石墨,石墨上電極反應(yīng)為:Na++e-═Na | |
C. | d為鋅塊,鐵片不易被腐蝕 | |
D. | d為鋅塊,鐵片上電極反應(yīng)為:2H++2e-═H2↑ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | CH3CH(CH2Br)2 | B. | CH3CH2CHBrCH2Br | C. | CH3CHBrCHBrCH3 | D. | (CH3)2CBrCH2Br |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 溴苯(Br2):加水,萃取分液 | B. | SiO2(Fe2O3):足量的鹽酸,過濾 | ||
C. | Cl2(HCl):通過飽和氯化鈉溶液 | D. | C2H5OH(CH3COOH):加足量CaO,蒸餾 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ②③⑤ | B. | ①②④ | C. | ①②③ | D. | ①④⑤ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 質(zhì)量數(shù)和核外電子數(shù) | B. | 質(zhì)量數(shù)和最外層電子數(shù) | ||
C. | 電子層數(shù)和最外層電子數(shù) | D. | 電子層數(shù)和中子數(shù) |
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