某溶液中加入過量鹽酸有沉淀產(chǎn)生,過濾后向濾液中加入過量氨水又有沉淀產(chǎn)生,下列溶液中不符合此條件的是( )。
A.Ag+、Al3+、K+ B.SiO32-、AlO2-、K+
C.Ag+、Cu2+、Na+ D.Ag+、Ba2+、Na+
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已知3.2g某氣體中含有3.01×1022個分子,此氣體的摩爾質量是( 。
| A. | 32 g/mol | B. | 64 | C. | 64 g/mol | D. | 4 g |
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某溫度下在容積為 2L 的密閉容器中,發(fā)生反應 2X(g) + Y(g) 2W(g);△H<0,當充入 2 mol X 和 1 mol Y,經(jīng)20 s達到平衡時生成了 0.4 molW。下列說法正確的是()
①升高溫度,W 的體積分數(shù)減小,△H 增大
②以 Y 的濃度變化表示的反應速率為 0.01 mol/(L·s)
③在其它條件不變的情況下,增加 1 mol X ,則 X 和 Y 的轉化率均提高
④增大壓強,正反應速率增大,逆反應速率減小,則平衡向正反應方向移動
⑤再向容器中通入 2 mol X 和 1 mol Y,達到平衡時,X、Y 的轉化率均增大。
A、①⑤ B、⑤ C、②③④ D、④⑤
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將過量的CO2分別通入①CaCl2溶液②Na2SiO3溶液 ③Ca(ClO)2溶液 ④飽和Na2CO3溶液 最終溶液中有白色沉淀析出的是( )
A.①②③④ B.②④ C.①②③ D.②③
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已知CO和H2的混合氣體稱為水煤氣,可由碳與水蒸氣在高溫下反應生成。如下圖:
高溫
反應①
高溫
反應②
燃燒
反應③
已知:單質E可作為半導體材料,化合物F是有毒的氧化物,C為液態(tài)。據(jù)此,請?zhí)羁眨?/p>
(1)氧化物A是
(2)化合物F是
(3)反應②的化學方程式是
(4)反應③的化學方程式是
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組成中含有氫氧根的鹽叫做堿式鹽,酸根中含有氫元素的鹽叫酸式鹽。下列鹽中,既不是堿式鹽,也不是酸式鹽的是( )
A、NaHSO4 B、Cu2(OH)2CO3 C、Ca(H2PO4)2 D、NH4NO3
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硅是重要的半導體材料,構成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎。請回答下列問題:
(1)基態(tài)Si原子價電子排布圖為 ,Si原子核外共有 個不同運動狀態(tài)的電子。
(2)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,其中原子與原子之間以 相結合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻 個原子。
(3)單質硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質中反應制得SiH4,該反應的化學方程式為 。
(4)在硅酸鹽中,SiO4- 4四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結構型式。圖(b)為一種無限長單鏈結構的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為 ,Si與O的原子數(shù)之比為 ,化學式為 。
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