在下列變化:①工業(yè)制鹽酸 ②工業(yè)制漂粉精 ③實驗室制氯氣中,按氯元素被氧化、被還原、既被氧化又被還原的順序排列,正確的是( )
A.①②③ B.②①③ C.①③② D.③①②
科目:高中化學 來源: 題型:
已知A、B、F是家庭中常見的有機物,E是石油化工發(fā)展水平的標志,F(xiàn)是一種常見的高分子材料。根
據下面轉化關系回答下列問題:
(1)操作⑥、操作⑦的名稱分別為:________、________。
(2)下列物質中沸點最高的是________。
A.汽油 B.煤油
C.柴油 D.重油
(3)在①~⑤中屬于取代反應的是________;原子利用率為100%的反應是________。(填序號)
(4)寫出結構簡式:A________、F________。
(5)寫出反應③的離子方程式________________________。
(6)作為家庭中常見的物質F,它給我們帶來了極大的方便,同時也給我們造成了環(huán)境污染,這種環(huán)境污染稱為________。
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科目:高中化學 來源: 題型:
糕點包裝中常見的脫氧劑組成為還原性鐵粉、氯
化鈉、炭粉等,其脫氧原理與鋼鐵的吸氧腐蝕相同。下列分析正確的是
A.脫氧過程是吸熱反應,可降低溫度,延長糕點保質期
B.脫氧過程中鐵作原電池正極,電極反應為:Fe – 3e– = Fe3+
C.脫氧過程中碳做原電池負極,電極反應為:2H2O + O2 + 4e– = 4OH–
D.含有1.12g鐵粉的脫氧劑,理論上最多能吸收氧氣336mL(標準狀況)
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科目:高中化學 來源: 題型:
如右圖所示,將鐵棒和石墨棒插入盛有飽和NaCl溶液的U型管中。下列
分析正確的是
A.K1閉合,鐵棒上發(fā)生的反應為2H++2e-→H2↑
B.K1閉合,石墨棒周圍溶液pH逐漸升高
C.K2閉合,鐵棒不會被腐蝕,屬于犧牲陽極的陰極保護法
D.K2閉合,電路中通過0.002NA個電子時,兩極共產生0.001mol氣體
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科目:高中化學 來源: 題型:
下列與金屬腐蝕有關的說法正確的是 ( )
A.圖a中,插入海水中的鐵棒,越靠近底端腐蝕越嚴重
B.圖b中,開關由M改置于N時,CuZn合金的腐蝕速率減小
C.圖c中,接通開關時Zn腐蝕速率增大,Zn上放出氣體的速率也增大
D.圖d中,ZnMnO2干電池自放電腐蝕主要是由MnO2的氧化作用引起的
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科目:高中化學 來源: 題型:
檢驗某未知溶液中是否含有氯離子(Cl-),正確的操作是( )
A.向未知溶液中加入AgNO3溶液,有白色沉淀產生
B.向未知溶液中加入AgNO3溶液,有白色沉淀產生,加入鹽酸,沉淀不消失
C.向未知溶液中加入稀硝酸酸化后,再加入AgNO3溶液,有白色沉淀產生
D.向未知溶液中加入稀鹽酸酸化后,再加入AgNO3溶液,有白色沉淀產生
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科目:高中化學 來源: 題型:
一氧化二氯(Cl2O)是黃棕色具有強烈刺激性氣味的氣體。它的熔點為-116℃,沸點是3.8℃。一氧化二氯不穩(wěn)定,接觸一般有機物易發(fā)生爆炸;它易溶于水且易與水反應形成次氯酸溶液。制備出一氧化二氯之后,要冷卻為固態(tài)才便于操作和貯存,制取少量一氧化二氯,是用干燥的氧化汞與氯氣反應(同時還生成HgO·HgCl2)。制備裝置如下圖所示,鐵架臺和夾持儀器已略去。
部分物質的有關資料如下:
化學式 | N2 | O2 | CO2 | NH3 | Cl2 |
熔點(℃) | -209.86 | -218.4 | -78.5 (升華) | -77.3 | -101 |
沸點(℃) | -195.8 | -183 | -33.35 | -34.6 |
試回答:
(1)試說明加入試劑前檢驗A、B、C處儀器氣密性的操作方法_______ 。
(2)A中盛有的深色固體試劑a應是 ,分液漏斗中的b試劑是 。
(3)B中盛有的液體c應是 ,C中的液體d是 。
(4)D中發(fā)生反應的化學方程式是 _______。
(5)E中的保溫瓶中盛有液態(tài)致冷劑c,它應是 ________(在“干冰”“冰水”
“液態(tài)空氣”“液氨”“液氯”中選擇一種)。在E的內管得到的Cl2O中可能含有的雜質主要是 。
(6)裝置D、E間的連接方式與A、B、C間的連接方式有明顯的差別,這區(qū)別是________ ,用這種不同的連接方式的主要理由是 __________。
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科目:高中化學 來源: 題型:
下列關于物質分類的說法正確的是
A.Na2O2﹑CaO﹑K2O都是堿性氧化物 B.BaSO4﹑NaCl﹑KNO3溶液都是電解質
C.純堿﹑燒堿﹑堿石灰都是堿 D.稀豆?jié){﹑果凍﹑淀粉溶液都是膠體
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科目:高中化學 來源: 題型:
獲取知識和信息是現(xiàn)代人不可缺少的能力,信息產業(yè)的飛速發(fā)展離不開材料科學的推動,信息產業(yè)的核心材料是高純度的硅。下面是高純度單晶硅的生產方法一:
SiO2Si(粗硅)SiHCl3(沸點31.5 ℃)Si高純硅→單晶硅
近代用得較多的另一種方法(方法二)是:用金屬硅化物(Mg2Si)與鹽酸作用制得硅烷(SiH4);再熱分解硅烷可得高純硅。單晶硅可用于制作大規(guī)模集成電路、整流器等,硅純度越高,大規(guī)模集成電路的性能越好。
(1)從方法一生產單晶硅的過程看,由碳還原得到的硅為何還要進一步處理?
(2)寫出方法二中,生產高純硅的兩個化學方程式:
①________________________________________________________________________。
②________________________________________________________________________。
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