工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅。

(1)如圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖。電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是____________;NaOH溶液的出口為___________(填字母);精制飽和食鹽水的進口為___________(填字母);干燥塔中應使用的液體是___________。

(2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關注。

①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應,產(chǎn)物有兩種,化學方程式為____________________________________________。

②SiCl4可轉化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20 L恒容密閉容器中的反應:

3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)

達平衡后,H2和SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140 mol/L和0.020 mol/L,若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為___________kg。

(3)采用無膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時生成氫氣,F(xiàn)制得氯酸鈉213.0 kg,則生成氫氣_________m3(標準狀況)。

 

(1)氯氣 a d 濃硫酸

(2)①SiCl4+2H2+O2SiO2+4HCl  ②0.35

(3)134.4

解析:本題分三部分,綜合考查氯堿工業(yè)、原料的綜合利用及有關計算。

(1)根據(jù)電解原理,陽極產(chǎn)生氯氣,用濃硫酸干燥;陰極區(qū)產(chǎn)生氫氣和氫氧化鈉。結合圖示可知,a口為氫氧化鈉溶液出口;而陰離子不允許透過隔膜,故精制飽和食鹽水應從d口進入。(2)①根據(jù)題意,SiCl4與H2和O2反應的產(chǎn)物之一為SiO2,則另一產(chǎn)物應為HCl,不難寫出化學方程式;②計算時要考慮參加反應的氫氣和未參加反應的氫氣:根據(jù)平衡時H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度0.140 mol/L和0.020 mol/L可求出共需氫氣(0.140 mol/L+0.020 mol/L×1/2)×20 L=3.0 mol,再根據(jù)電解飽和食鹽水反應方程式進而求出需氯化鈉6.0 mol,即0.35 kg。(3)根據(jù)題意,首先寫出反應方程式:NaCl+3H2ONaClO3+3H2↑,根據(jù)NaClO3和H2的當量關系,不難求出產(chǎn)生氫氣的體積(標況):

213 000 g÷106.5 g/mol×3×22.4 L/mol=134 400 L=134.4 m3。

練習冊系列答案
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科目:高中化學 來源: 題型:

下列有關實驗原理或實驗操作正確的是( 。

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下列有關說法正確的是( 。
A、反應CO2(g)+C(s)=2CO(g)在高溫下可自發(fā)進行,則該反應的△H>0B、工業(yè)上電解飽和食鹽水時,以石墨作陰極,鐵棒作陽極C、常溫下,0.1mol?L-1 CH3COOH溶液pH=1D、常溫下,在AgCl懸濁液中加入少量NaCl飽和溶液,c(Ag+)減小,Ksp(AgCl) 減小

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科目:高中化學 來源:2012-2013學年江蘇省南通市海安縣高二上學期期末考試化學試卷(帶解析) 題型:單選題

下列有關實驗原理或實驗操作正確的是

A.利用右圖1裝置定量測定H2O2的分解速率
B.利用右圖2裝置模擬工業(yè)上電解飽和食鹽水
C.配制FeCl3溶液時加入少量鹽酸,以防止溶液渾濁
D.用HNO2溶液做導電性實驗,燈光較暗,說明HNO2是弱電解質(zhì)

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科目:高中化學 來源:2013-2014學年福建省四地六校高三上學期第三次月考化學試卷(解析版) 題型:選擇題

下列敘述正確的是(     )

A.鐵表面鍍鋅,鋅作陽極

B.船底鑲嵌鋅塊,鋅作正極,以防船體被腐蝕

C.鋼鐵吸氧腐蝕的正極反應:O2+2H2O+4e=4OH

D.工業(yè)上電解飽和食鹽水的

 

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科目:高中化學 來源:2014屆江蘇省鹽城市高三上學期期中考試化學試卷(解析版) 題型:選擇題

下列有關說法正確的是

A.反應CO2(g)+C(s)=2CO(g)在高溫下可自發(fā)進行,則該反應的△H > 0

B.工業(yè)上電解飽和食鹽水時,以石墨作陰極,鐵棒作陽極

C.常溫下,0.1mol·L1 CH3COOH溶液pH=1

D.常溫下,在AgCl懸濁液中加入少量NaCl飽和溶液,c(Ag+)減小,Ksp(AgCl) 減小

 

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