A. | 加水,SO3-濃度增大 | |
B. | 通入少量Cl2氣體,溶液pH增大 | |
C. | 加少量CaSO3粉末,HSO3-濃度基本不變 | |
D. | 通入少量HCl氣體,溶液中HSO3-濃度減小 |
分析 A.加水稀釋平衡狀態(tài)下微粒濃度減;
B.氯氣具有氧化性能氧化亞硫酸為硫酸,溶液中氫離子濃度增大;
C.加入CaSO3粉末為不溶固體,在溶液中存在沉淀溶解平衡,亞硫酸根離子濃度增大;
D.通入HCl氣體,氫離子濃度增大,HSO3-離子濃度減小.
解答 解:A.加水稀釋平衡狀態(tài)下微粒濃度減小,加水,SO32-濃度減小,故A錯(cuò)誤;
B.氯氣具有氧化性能氧化亞硫酸為硫酸,溶液中氫離子濃度增大,溶液PH減小,故B錯(cuò)誤;
C.加入CaSO3粉末為不溶固體,在溶液中存在沉淀溶解平衡,亞硫酸根離子濃度增大,第二個(gè)平衡平衡逆向進(jìn)行亞硫酸根離子濃度增大,故C錯(cuò)誤;
D.通入HCl氣體,氫離子濃度增大,第一步電離平衡逆向進(jìn)行HSO3-離子濃度減小,故D正確;
故選D.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了二氧化硫性質(zhì),弱電解質(zhì)電離平衡的影響因素分析判斷,掌握基礎(chǔ)是解題關(guān)鍵,題目難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 晶體硅沒有固定的熔沸點(diǎn) | |
B. | 形成晶體硅的速率越快越好 | |
C. | 可用于X-射線衍射實(shí)驗(yàn)來鑒別晶體硅和玻璃 | |
D. | 晶體硅的形成與晶體的自范性有關(guān),形成的晶體無各向異性 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 破壞了金屬鍵 | B. | 破壞了共價(jià)鍵 | C. | 破壞了離子鍵 | D. | 形成了共價(jià)鍵 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 若原料完全反應(yīng)生成上述產(chǎn)物,CH2CH2Br與NH3的物質(zhì)之比為2:1 | |
B. | 該反應(yīng)屬于取代反應(yīng) | |
C. | CH2CH2Br與HBr均屬于電解質(zhì) | |
D. | CH2CH2Br難溶于水 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 實(shí)驗(yàn)室配制480 mL 0.1 mol/L NaOH溶液,需要準(zhǔn)確稱量NaOH 1.920 g | |
B. | 學(xué)生實(shí)驗(yàn)測(cè)定硫酸銅晶體中結(jié)晶水含量時(shí),通常至少稱量4次 | |
C. | 酸堿中和滴定實(shí)驗(yàn)中只能用標(biāo)準(zhǔn)液滴定待測(cè)液 | |
D. | 分液時(shí),分液漏斗中下層液體從下口放出后,換一容器再從下口放出上層液體 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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