A. | $\frac{8M}{{N}_{A}•{a}^{3}}$g.cm-3 | B. | $\frac{M{a}^{3}}{8{N}_{A}}$gcm-3 | C. | $\frac{M}{{N}_{A}•{a}^{3}}$g.cm-3 | D. | $\frac{Ma}{{N}_{A}}$g.cm |
分析 晶體中2個最近的Cs+核間距為acm,相鄰頂點上Cs+核間距離最近,為acm,即晶胞的棱長為acm,體積V=a3cm3,該晶胞中Cs+個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$=1,Cl-個數(shù)為1,根據(jù)晶胞密度公式ρ=$\frac{m}{V}$計算氯化銫密度.
解答 解:氯離子位于頂點,晶胞中數(shù)目為8×$\frac{1}{8}$=1,銫離子位于體心,數(shù)目為1,即一個晶胞中含有一個氯離子和一個銫離子,則一個晶胞質(zhì)量為 $\frac{M}{N{\;}_{A}}$g,2個最近的Cs+離子核間距為acm,即晶胞邊長為acm,則晶胞體積為a3cm3,則密度為 $\frac{M}{{N}_{A}•{a}^{3}}$g•cm-3,
故選C.
點評 本題考查晶胞密度計算,難度不大,應準確計算出晶胞所含微粒數(shù)目.
科目:高中化學 來源: 題型:多選題
A. | 同族元素,隨著電子層的增加,I1逐漸增大 | |
B. | 通常情況下,電離能I1<I2<I3 | |
C. | 同周期元素,隨著核電荷數(shù)的增加,I1呈增大趨勢 | |
D. | 電離能越小,元素的金屬性越強 |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學 來源: 題型:多選題
A. | EGCG易被氧化 | |
B. | EGCG的分子中有1個手性碳原子 | |
C. | 1mol EGCG與濃溴水發(fā)生取代反應時最多消耗6molBr2 | |
D. | 1mol EGCG與氫氧化鈉溶液反應最多消耗10molNaOH |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 單質(zhì)常用作半導體材料和光導纖 | B. | 在自然界中以化合態(tài)的形式存在 | ||
C. | 最高價氧化物不與任何酸反應 | D. | 氣態(tài)氫化物比甲烷穩(wěn)定 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 每生成2mol SO2的同時,消耗2molSO3 | |
B. | 混合氣體的總質(zhì)量不再變化 | |
C. | 每生成2mol SO3的同時,消耗1molSO2 | |
D. | 混合氣體的壓強不再變化 |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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