Question

下面的排序不正確的是（　�。�

• A、多電子原子軌道能量高低：4s＞3p＞3s＞2p_x=2p_y
• B、硬度由大到�。航饎偸�＞碳化硅＞晶體硅
• C、熔點(diǎn)由高到低：NaCl＞SiO₂＞Hg＞P₄
• D、晶格能由大到�。篕F＞KCl＞KB＞KI

Answer 1

考點(diǎn)：原子核外電子排布,晶體的類(lèi)型與物質(zhì)熔點(diǎn)、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系

專(zhuān)題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：A．多電子原子中，軌道能級(jí)次序：1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p、…，排列電子時(shí)先排能量低的后排能量高的；同一能層不同能級(jí)的電子能量相同；
B．原子晶體，鍵長(zhǎng)越短，共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大；
C．熔點(diǎn)一般為：原子晶體＞離子晶體＞金屬晶體＞分子晶體，
D．離子半徑越小、離子鍵越強(qiáng)，則晶格能越大．

解答： 解：A．多電子原子中，軌道能級(jí)次序：1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p…，同一能層不同能級(jí)的電子能量相同，所以多電子原子軌道能量高低：4s＞3p＞3s＞2p_x=2p_y，故A正確；
B．原子晶體，鍵長(zhǎng)越短，共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大，鍵長(zhǎng)：C-C＜C-Si＜Si-Si，則硬度由大到小為金剛石＞碳化硅＞晶體硅，故B正確；
C．一般來(lái)說(shuō)晶體的熔點(diǎn)：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體，但在常溫下Hg為液體，P₄是固體，則晶體的熔點(diǎn)體的熔點(diǎn)：SiO₂＞NaCl＞P₄＞Hg，故C錯(cuò)誤；
D．F、Cl、Br、I的離子半徑在增大，則晶格能由大到�。篕F＞KCl＞KBr＞KI，故D正確；
故選C．

點(diǎn)評(píng)：本題考查原子軌道能級(jí)順序、晶體的性質(zhì)，題目難度中等，注意把握比較角度，學(xué)習(xí)中注意方法的積累．