Question

【題目】(1)基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為______，該能層具有的原子軌道數(shù)為______．

(2)BF3與一定量的水形成(H2O)2BF3晶體Q，Q在一定條件下可轉(zhuǎn)化為R：

晶體Q中各種微粒間的作用力有______(填序號(hào))．

a．離子鍵b．共價(jià)鍵c．配位鍵d．氫鍵

(3)向CuSO4溶液中加入過(guò)量NaOH溶液可生成[Cu(OH)4]2﹣，不考慮空間構(gòu)型，[Cu(OH)4]2﹣的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為______ ,科學(xué)家推測(cè)膽礬結(jié)構(gòu)示意圖可簡(jiǎn)單表示如圖：膽礬的化學(xué)式用配合物的形式表示為_____________________．

(4)第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有______種．S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是_____

Answer 1

【答案】M 9 bcd [Cu(H2O)4]SO4H2O 3 sp3雜化

【解析】

(1)基態(tài)Si原子的電子排布式是1s22s22p23s23p2，第三層有3s、3p、3d 三個(gè)能級(jí)；

(2)中含有水分子與水分子間的氫鍵、H－O鍵、B－F鍵、B－O配位鍵；

(3)向CuSO4溶液中加入過(guò)量NaOH溶液可生成[Cu(OH)4]2﹣，Cu2+與OH-通過(guò)配位鍵結(jié)合成[Cu(OH)4]2﹣，根據(jù)膽礬結(jié)構(gòu)示意圖可知Cu2﹣與H2O通過(guò)配位鍵結(jié)合成[Cu(H2O)4]2+。

(4)同周期元素從左到右第一電離能增大，ⅡA族的Be原子2s軌道全滿，能量低，第一電離能大于相鄰原子，ⅤA族的N原子2p軌道半滿，能量低，第一電離能大于相鄰原子；由S8分子結(jié)構(gòu)可知，在S8分子中S原子成鍵電子對(duì)數(shù)為2，孤電子對(duì)數(shù)為2，即價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4。

(1)基態(tài)Si原子的電子排布式是1s22s22p23s23p2，電子占據(jù)的最高能層為第三層，符號(hào)為M，第三層有1個(gè)3s軌道、3個(gè)3p軌道、5個(gè)3d軌道，具有的原子軌道數(shù)為9；

(2)中含有水分子與水分子間的氫鍵、H－O鍵、B－F鍵、B－O配位鍵，故選bcd；

(3)向CuSO4溶液中加入過(guò)量NaOH溶液可生成[Cu(OH)4]2﹣，Cu2+與OH-通過(guò)配位鍵結(jié)合成[Cu(OH)4]2﹣，結(jié)構(gòu)示意圖為，根據(jù)膽礬結(jié)構(gòu)示意圖可知Cu2+與H2O通過(guò)配位鍵結(jié)合成[Cu(H2O)4]2+，膽礬的化學(xué)式用配合物的形式表示為[Cu(H2O)4]SO4H2O。

(4)同周期元素從左到右第一電離能增大，ⅡA族的Be原子2s軌道全滿，能量低，第一電離能大于相鄰原子，ⅤA族的N原子2p軌道半滿，能量低，第一電離能大于相鄰原子，第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有Be、C、O，共3種；由S8分子結(jié)構(gòu)可知，在S8分子中S原子成鍵電子對(duì)數(shù)為2，孤電子對(duì)數(shù)為2，即價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，S原子雜化方式是sp3雜化。