在單質(zhì)的晶體中一定不存在的微粒是(  )

A.原子                      B.分子

C.陰離子                    D.陽(yáng)離子

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


下列說(shuō)法不正確的是(  )

A.在離子晶體中,一定存在離子鍵

B.陽(yáng)離子只有氧化性,陰離子只有還原性

C.納米粒子分散到水中,有丁達(dá)爾現(xiàn)象

D.等離子體是由大量的帶電微粒組成的,是繼固體、液體、氣體之后物質(zhì)的另一種聚集狀態(tài)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


分子晶體在通常情況下不具有的性質(zhì)是(  )

A.晶體構(gòu)成微粒是分子

B.干燥或熔化時(shí)均能導(dǎo)電

C.微粒間以范德華力結(jié)合

D.熔點(diǎn)、沸點(diǎn)一般低于原子晶體和離子晶體

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


氮化鋁(AlN)常用作砂輪及高溫爐襯材料,熔化狀態(tài)下不導(dǎo)電,可知它屬于(  )

A.離子晶體B.原子晶體

C.分子晶體D.無(wú)法判斷

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


通常人們把拆開(kāi)1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵

Si—O

Si-Cl

H-H

H-Cl

Si-Si

Si-C

鍵能/kJ·mol-1

460

360

436

431

176

347

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)。

SiC________Si;SiCl4________SiO2。

(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取:

SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)

該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=________kJ·mol-1。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


金屬的下列性質(zhì)中和金屬晶體無(wú)關(guān)的是(  )

A.良好的導(dǎo)電性                B.反應(yīng)中易失電子

C.良好的延展性                D.良好的導(dǎo)熱性

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1,

B元素的原子價(jià)電子排布為ns2np2,C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,D元素原子的M電子層的p亞層中有1個(gè)電子。

(1)C原子的電子排布式為_(kāi)_______________________________________________,

若A元素的原子最外層電子排布為1s1,則按原子軌道的重疊方式,A與C形成的化合

物中的共價(jià)鍵屬于________鍵。

(2)當(dāng)n=2時(shí),B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為_(kāi)_________,B與C形成的化合物晶體屬于____________晶體。當(dāng)n=3時(shí),B與C形成的化合物的晶體中微粒間的作用力是_____。

(3)

若D元素與Fe形成某種晶體,該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則晶體的化學(xué)式是___(用元素符號(hào)表示);若晶胞的邊長(zhǎng)為a nm,則合金的密度為_(kāi)_____________g·cm-3。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


A、B為兩種短周期元素,A的原子序數(shù)大于B,且B原子的最外層電子數(shù)為A原

子最外層電子數(shù)的3倍。A、B形成的化合物是中學(xué)化學(xué)常見(jiàn)的化合物,該化合物熔融

時(shí)能導(dǎo)電。試回答下列問(wèn)題:

(1)A、B的元素符號(hào)分別是________、________。

(2)用電子式表示A、B元素形成化合物的過(guò)程:_____________________________

________________________________________________________________________。

(3)A、B所形成的化合物的晶體結(jié)構(gòu)與氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)相似,則每個(gè)陽(yáng)離子周圍吸引了

________個(gè)陰離子;晶體中陰、陽(yáng)離子數(shù)之比為_(kāi)_________。

(4)A、B所形成化合物的晶體的熔點(diǎn)比NaF晶體的熔點(diǎn)________,其判斷的理由是

________________________________________________________________________________________________________________________________________________。

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下列關(guān)于晶體的性質(zhì)敘述中,不正確的是(  )

A.晶體的自范性指的是在適宜條件下晶體能夠自發(fā)地呈現(xiàn)封閉規(guī)則的多面體幾何外形

B.晶體的各向異性和對(duì)稱性是矛盾的

C.晶體的對(duì)稱性是微觀粒子按一定規(guī)律做周期性重復(fù)排列的必然結(jié)果

D.晶體的各向異性直接取決于微觀粒子的排列具有特定的方向性

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