【題目】下列物質(zhì)屬于食品添加劑的是（ ）
A.NaOH
B.工業(yè)NaCl
C.甲醛水溶液
D.胡蘿卜素

【答案】D
【解析】解：A．NaOH有腐蝕性，不能作食品添加劑，故A錯(cuò)誤；
B．工業(yè)NaCl含有有毒雜質(zhì)，不能食用，故B錯(cuò)誤；
C．甲醛水溶液有毒，不能食用，故C錯(cuò)誤；
D．胡蘿卜素是營養(yǎng)素，屬于食品添加劑，故D正確．
故選D．
食品添加劑是為改善食品色、香、味等品質(zhì)，以及為防腐和加工工藝的需要而加入食品中的化合物質(zhì)或者天然物質(zhì)．目前我國食品添加劑有23個(gè)類別，2000多個(gè)品種，包括酸度調(diào)節(jié)劑、抗結(jié)劑、消泡劑、抗氧化劑、漂白劑、膨松劑、著色劑、護(hù)色劑、酶制劑、增味劑、營養(yǎng)強(qiáng)化劑、防腐劑、甜味劑、增稠劑、香料等．

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】向20mL某物質(zhì)的量濃度的AlCl3溶液中滴入2mol/L NaOH溶液時(shí)，得到的Al（OH）3沉淀的質(zhì)量與所滴加的NaOH溶液的體積（mL）關(guān)系如圖所示，試回答下列問題：
（1）圖中A點(diǎn)表示的意義是；
（2）圖中B點(diǎn)表示的意義是；
（3）假如溶液中生成了沉淀0.39g，則此時(shí)用去NaOH溶液的體積最少是 ． （寫出計(jì)算過程）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】向蔗糖中加入濃硫酸，現(xiàn)象如圖所示．關(guān)于該實(shí)驗(yàn)的說法中不正確的是（ ）
A.蔗糖變黑體現(xiàn)了濃硫酸的脫水性
B.蔗糖體積膨脹變成疏松多孔的海綿狀物質(zhì)炭
C.實(shí)驗(yàn)中有大量氣體產(chǎn)生體現(xiàn)了濃硫酸的強(qiáng)酸性
D.將產(chǎn)生的氣體通入品紅溶液，溶液會(huì)褪色

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】我們飲用的水是由源水凈化所得。已知，明礬能將水中的懸浮物凝聚而沉淀，氯氣可殺菌。家庭飲用水的凈化過程正確的是 (　　)。

A.源水→過濾→加氯氣→加明礬→沉淀→凈水

B.源水→加氯氣→過濾→加明礬→沉淀→凈水

C.源水→加明礬→加氯氣→過濾→沉淀→凈水

D.源水→加明礬→沉淀→過濾→加氯氣→凈水

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】工業(yè)上用粗鹽（含Ca2+、Mg2+、SO42﹣等雜質(zhì)）為主要原料采用“侯氏制堿法”生產(chǎn)純堿和化肥NH4Cl，工藝流程如下圖所示．下列有關(guān)說法正確的是 （ ）

A.對粗鹽溶液除雜可依次加入NaOH，Na2CO3、BaCl2 ， 再加入鹽酸調(diào)節(jié)溶液pH
B.飽和食鹽水中先通入的氣體為CO2
C.流程圖中的系列操作中一定需要玻璃棒
D.
如圖所示裝置可以比較Na2CO3和NaHCO3晶體的熱穩(wěn)定性

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】20℃時(shí)，飽和KCl溶液的密度為1.174gcm﹣3 ， 物質(zhì)的量濃度為4.0molL﹣1 ， 則下列說法中不正確的是（ ）
A.20℃時(shí)，飽和KCl溶液與等質(zhì)量的水混合后物質(zhì)的量濃度大于2.0molL﹣1
B.20℃時(shí)，將29.8 gKCl溶于87.6g水中可得飽和溶液
C.20℃時(shí)，密度小于1.174gcm﹣3的KCl溶液是不飽和溶液
D.將此溶液蒸發(fā)部分水，再恢復(fù)到20℃時(shí)，溶液中各離子的濃度不變

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】把NaOH、MgCl2、AlCl3三種固體組成的混合物溶于足量水后，產(chǎn)生1.16g白色沉淀，再向所得濁液中逐漸加入1.00mol/LHCl溶液，加入HCl溶液的體積與生成沉淀的關(guān)系如圖所示．

（1）A點(diǎn)的沉淀物的化學(xué)式為 ．
（2）寫出A點(diǎn)至B點(diǎn)發(fā)生反應(yīng)的離子方程式： ．
（3）原混合物中NaOH的質(zhì)量是g，C點(diǎn)（此時(shí)沉淀恰好完全溶解）HCl溶液的體積為mL．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】【化學(xué)-選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等．回答下列問題：
（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式 ．
（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑GaAs，第一電離能GaAs．（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為 ， 其中As的雜化軌道類型為 ．
（4）GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，其原因是 ．
（5）GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，密度為ρ gcm﹣3 ， 其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．
該晶體的類型為 ， Ga與As以鍵鍵合．Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol﹣1和MAs gmol﹣1 ， 原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA ， 則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 ．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】銅及其化合物在科學(xué)研究和工業(yè)生產(chǎn)中具有許多用途．
（1）納米氧化亞銅（Cu2O）是一種用途廣泛的光電材料，已知高溫下Cu2O比CuO穩(wěn)定，
①畫出基態(tài)Cu原子的價(jià)電子軌道排布圖；
②從核外電子排布角度解釋高溫下Cu2O比CuO更穩(wěn)定的原因；
（2）CuSO4溶液常用作農(nóng)藥、電鍍液等，向CuSO4溶液中滴加足量濃氨水，直至產(chǎn)生的沉淀恰好溶解，可得到深藍(lán)色的透明溶液，再向其中加入適量乙醇，可析出深藍(lán)色的Cu（NH3）4SO4H2O晶體．
①沉淀溶解的離子方程式為；
②Cu（NH3）4SO4H2O晶體中存在的化學(xué)鍵有；
a．離子鍵 b．極性鍵 c．非極性鍵 d．配位鍵
③SO42﹣的立體構(gòu)型是 ， 其中S原子的雜化軌道類型是；
（3）Cu晶體中原子的堆積方式如圖所示（為面心立方最密堆積），則晶胞中Cu原子的配位數(shù)為 ， 若Cu晶體的晶胞參數(shù)a=361.4pm，則Cu晶體的密度是（只用數(shù)字列算式）

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