下列各組物質(zhì)中,酸性由強(qiáng)到弱排列順序錯誤的是
A.HClO4 H2 SO4 H3 PO4 B.HClO4 HClO3 HClO2
C.HC1O HBrO4 HIO4 D.H2 SO4 H2 SO3 H2 CO3
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
標(biāo)準(zhǔn)狀況下,CO和CO2的混合氣體的質(zhì)量是9.6g,體積是6.72L,則CO2在混合物中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為( )
A.25% B.34% C.75% D.50%
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
兩個體積相同的容器,一個盛有二氧化氮(NO2),另一個盛有氮?dú)夂脱?/p>
氣,在同溫同壓下兩容器內(nèi)的氣體一定具有相同的 ( )
A.原子總數(shù) B.質(zhì)子總數(shù) C.分子總數(shù) D.質(zhì)量
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
分子式為C5H12的烴,其分子內(nèi)含3個甲基,該烴的二氯代物的同分異構(gòu)體的數(shù)目為
A.8種 B.9種
C.10種 D.11種
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)】(15分)
圖1 圖2
(4)① 有機(jī)太陽能固體電池材料含有高純度C60,其結(jié)構(gòu)如圖1,則1 mol C60分子中π鍵的數(shù)目為 ,C60的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2,則其配位數(shù)為_______若此晶胞的密度為ρg/cm3則兩個最近C60間的距離為________cm(列式表達(dá),已知阿伏伽德羅常數(shù)為NA)
② 如果把晶胞頂點(diǎn)與最近三個面心所圍成的空隙叫做四面體空隙,第四周期電負(fù)性最小的原子可作為容體摻入C60晶體的空隙中,形成具有良好的超導(dǎo)性的摻雜C60化合物。若每個四面體空隙填入一個原子,則全部填滿C60晶體的四面體空隙后,所形成的摻雜C60化合物的化學(xué)式為 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列各組元素性質(zhì)的遞變情況錯誤的是
A.P、S、Cl元素最高正價依次升高 B.N、O、F第一電離能依次增大
C.Na、Mg、Al原子最外層電子數(shù)依次增多 D.Na、K、Rb電負(fù)性逐漸減小
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
某元素基態(tài)原子的外圍電子排布為3d54s2,則下列說法不正確的是
A.該元素為Mn元素 B.該元素原子核外有4個能層
C.該元素原子最外層共有7個電子 D.該元素屬于d區(qū)元素
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
二氧化硅晶體是立體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)如下圖所示。關(guān)于二氧化硅晶體的下列說法不正確的是( 。
A.晶體中Si、O原子個數(shù)比為1∶2。
B.晶體中Si、O原子最外層都滿足8電子結(jié)構(gòu)。
C.晶體中一個硅原子含有Si-O鍵數(shù)目為4。
D.晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)為6。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
“NaCl+CO2+NH3+H2O=NaHCO3↓+NH4Cl”是著名的“侯氏制堿法”的重要反應(yīng)。下面是4位同學(xué)對該反應(yīng)涉及的有關(guān)知識發(fā)表的部分見解。其中不正確的是( 。
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